Herstellung halbleitender Si-Verbindungen mittels strukturierender Hochdosis-Ionen-Implantation

利用结构化高剂量离子注入生产半导体硅化合物

• 批准号: 5241265
• 负责人: Professor Dr. Jan Meijer
• 金额: --
• 依托单位: Abteilung Nukleare Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5241265?language=en
• 关键词: Herstellung; halbleitender; Si; Verbindungen; mittels

Mit supraleitenden Solenoiden ausgerüstete Ionen-Mikrosonden stellen nicht nur exzellente Analyse-Systeme dar, sondern sind auch besonders dazu geeignet, Materialmodifikationen durch Implantation zu bewirken. Aufgrund ihrer ionenopischen Güte sind sie herkömmlichen Systemen weit überlegen und erlauben den Aufbau neuartiger Implantationssysteme. Im Rahmen dieses Antrages soll durch den Einsatz eines 14 T supraleitenden Solenoiden als fokussierende Linse die Möglichkeit geschaffen werden durch Implantation schwerer Elemente Materialien strukturiert zu synthetisieren. Dabei sollen laterale Auflösungen im Bereich von einigen Hundert Nanometern erreicht werden. Da die hier projektierte Linse ein Massen-Energie-Produkt von mehr als 100 MeV amu hat, sollte es damit möglich sein, Strukturen von (8 x 8) mm2 mit einer Auflösung unterhalb von 300 nm abzubilden. Der Aufbau der vorhandenen Ionen-Mikrosonde durch den Einsatz eines neuen Solenoids mit höherer Feldstärke würde die Implantation von schweren Elementen wie z.B. Ru, Re, Os und Ir erlauben. Hierdurch wird die Möglichkeit geschaffen, ein breites Spektrum von halbleitenden Siliziden zu erzeugen. Halbleitende Silizide mit direktem Bandübergang erlauben es, Leuchtdioden auf Si-Basis herzustellen und haben den Vorteil, daß diese Materialien in die normale, auf Si basierende Technologie zu integrieren sind. Einige Kandidaten derartiger Silizide sind bekannt, aber bislang kaum untersucht. Im Rahmen dieser Arbeit sollen systematisch sowohl bereits experimentell bekannte als auch vermutete halbleitende Silizid-Verbindungen mittels Ionen-Implantation hergestellt, untersucht und optimiert werden.

由于超电磁场的存在，离子微传感器并不是唯一的分析系统，因此也需要通过植入进行材料改性。Aufgrund ihrer ionenopischen Güte sind sie herkömmlichen Systemen weit uberlegen und erlauben den Aufbau neuartiger Implantationssysteme.在Rahmen中，这些缺陷是由于14 T超导螺线管通过植入元件材料结构合成而形成的韦尔登。在几百纳米的范围内有一个很大的侧向膨胀韦尔登。该项目是一个能量为梅尔100 MeV的物质能量生产线，其结构为（8 x 8）mm2，具有300 nm的吸收体。通过最高频率的新电磁场的前处理电离层微探头的建造将以z.B. Ru，Re，Os和Ir都是惰性的。随后，Möglichkeit geschaffen，一个breites Spektrum von halbleitenden Siliziden zu erzeugen。硅化物具有直接的带状结构，在硅基上发光，并具有涡状结构，通常在硅基技术上具有良好的综合性能。硅化物的抗氧化性很好，但需要一些时间。在这一系统化的研究中，实验表明硅橡胶的半导体植入是一种非常有效、有效和最佳的韦尔登。