Herstellung halbleitender Si-Verbindungen mittels strukturierender Hochdosis-Ionen-Implantation

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Mit supraleitenden Solenoiden ausgerüstete Ionen-Mikrosonden stellen nicht nur exzellente Analyse-Systeme dar, sondern sind auch besonders dazu geeignet, Materialmodifikationen durch Implantation zu bewirken. Aufgrund ihrer ionenopischen Güte sind sie herkömmlichen Systemen weit überlegen und erlauben den Aufbau neuartiger Implantationssysteme. Im Rahmen dieses Antrages soll durch den Einsatz eines 14 T supraleitenden Solenoiden als fokussierende Linse die Möglichkeit geschaffen werden durch Implantation schwerer Elemente Materialien strukturiert zu synthetisieren. Dabei sollen laterale Auflösungen im Bereich von einigen Hundert Nanometern erreicht werden. Da die hier projektierte Linse ein Massen-Energie-Produkt von mehr als 100 MeV amu hat, sollte es damit möglich sein, Strukturen von (8 x 8) mm2 mit einer Auflösung unterhalb von 300 nm abzubilden. Der Aufbau der vorhandenen Ionen-Mikrosonde durch den Einsatz eines neuen Solenoids mit höherer Feldstärke würde die Implantation von schweren Elementen wie z.B. Ru, Re, Os und Ir erlauben. Hierdurch wird die Möglichkeit geschaffen, ein breites Spektrum von halbleitenden Siliziden zu erzeugen. Halbleitende Silizide mit direktem Bandübergang erlauben es, Leuchtdioden auf Si-Basis herzustellen und haben den Vorteil, daß diese Materialien in die normale, auf Si basierende Technologie zu integrieren sind. Einige Kandidaten derartiger Silizide sind bekannt, aber bislang kaum untersucht. Im Rahmen dieser Arbeit sollen systematisch sowohl bereits experimentell bekannte als auch vermutete halbleitende Silizid-Verbindungen mittels Ionen-Implantation hergestellt, untersucht und optimiert werden.