Zn-Te系化合物半導体材料の蒸気圧-温度-組成相関図
Zn-Te系化合物半導体材料の蒸気圧-温度-組成相関図
批准号:
12750647
负责人:
山口 勉功
金额:
$1.54万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
2000
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2000 至 2001
中文摘要
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英文摘要
高温投下型熱量計を用いて,ZnTe化合物および0.75≦N_<Te>≦1.0のテルルのモル分率領域にわてる熱含量を700〜1600Kの温度範囲で測定した。得られたZnTe化合物の熱含量値に基づき,化合物の融点と融解熱が,それぞれ1565±6K,46.3kJ・mol^<-1>と決定された。本研究により導出された融点は従来の報告値と±10K以内で一致を示すが,融解熱は従来の値に比べ約18kJ・mol^<-1>小さい値を示す。また,ZnTe化合物の生成熱を,示差型熱量計により800Kにおいて直接測定した。その結果298.15KにおけるZnTe化合物の標準生成熱は,-119±4kJ・mol^<-1>と決定された。本研究により決定されたZnTe化合物の標準生成熱は従来の報告値と±10kJ・mol^<-1>以内で一致を示す。本研究により導出されたZnTe化合物の生成熱と熱含量およびZn・Te2元系の熱含量値に熱力学解析法の適用し,1300KにおけるZn-Te2元系の積分混合自由エネルギ,積分混合熱,積分混合エントロピの導出を試みた。Zn-Te系の混合熱は純粋テルル側で僅かに吸熱を示し,亜鉛濃度の増加に伴い発熱を示す。また,導出された積分混合自由エネルギよりZn-Te2元系の成分活量を算出した。亜鉛の活量は純粋テルル側でラウル則に比べ僅かに正偏倚を示し,融体中の亜鉛濃度の増加に伴い負に偏倚する。また,テルルの活量は測定全組成範囲にわたり負偏倚を示す。
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专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
GaAs化合物半導体スクラップの精製に関する基礎研究
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批准号:09750803
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
Cd-Te系合金液体の会合体に関する熱力学的研究
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批准号:08226203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1996
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
CdS/CdTe系太陽電池の電着プロセスに関する研究
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批准号:08750849
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
InPAs混晶半導体材料の化学熱力学的研究
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批准号:06750748
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1994
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
Cd-Te系半導体材料の平衡状態図と熱力学に関する研究
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批准号:05750653
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1993
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
GaInAs混晶半導体材料の化学熱力学的研究
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批准号:04750612
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1992
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
III-V族化合物半導体材料の化学熱力学的研究
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批准号:02750526
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1990
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负责人:山口 勉功
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依托单位: