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InPAs混晶半導体材料の化学熱力学的研究

InPAs混晶半導体材料の化学熱力学的研究
InPAs混晶半导体材料的化学热力学研究
批准号:
06750748
负责人:
山口 勉功
金额:
$0.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1994
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1994 至 --

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本研究では,InP_xAs_<(1-x)> 混晶合金およびその構成化合物InPとInAsの機械的混合物の溶融Snへの溶解熱を773Kにおいて,カルベ型の双子型溶解熱量計を用いて測定した。その結果は次のように要約される。1)双子型溶解熱量計を用いた溶解熱測定により,773KにおけるInP(red)化合物の生成熱は,-74.0±4.4kj/molと決された。また,773Kにおける生成熱より,298.15KにおけるInP(red)化合物,InP(white)化合物の標準生成熱は,それぞれ,-70.2±4.4,-87.7±4.4kj/molと決定された。なお,(red)および(white)は,それぞれリンの標準状態として赤リン,白リンを選んだ場合の値を示す。2)双子型溶解熱量計を用いた溶解熱測定により,773KにおけるInAs化合物の生成熱は,-62.8±1.0kj/molと決された。また,773Kにおける生成熱より算出された,298.15Kにおける標準生成熱は,-60.0±1.0kj/molと決定された。3)本研究により導出されたInP-InAs擬2元系の773Kにおける混合熱を表1に掲げる。InP-InAs擬2元系の混合熱は,全組成範囲おいて正の値を示し,吸熱を表す。4)InP-InAs擬2元系のξ関数は,組成に無関係にほぼ一定の値を示す(ξ=2.2kj/mol)。このことより,InP-InAs擬2元系は,正則溶液で近似できるものと考えられる。
英文摘要
本研究では,InP_xAs_<(1-x)> 混晶合金およびその構成化合物InPとInAsの機械的混合物の溶融Snへの溶解熱を773Kにおいて,カルベ型の双子型溶解熱量計を用いて測定した。その結果は次のように要約される。1)双子型溶解熱量計を用いた溶解熱測定により,773KにおけるInP(red)化合物の生成熱は,-74.0±4.4kj/molと決された。また,773Kにおける生成熱より,298.15KにおけるInP(red)化合物,InP(white)化合物の標準生成熱は,それぞれ,-70.2±4.4,-87.7±4.4kj/molと決定された。なお,(red)および(white)は,それぞれリンの標準状態として赤リン,白リンを選んだ場合の値を示す。2)双子型溶解熱量計を用いた溶解熱測定により,773KにおけるInAs化合物の生成熱は,-62.8±1.0kj/molと決された。また,773Kにおける生成熱より算出された,298.15Kにおける標準生成熱は,-60.0±1.0kj/molと決定された。3)本研究により導出されたInP-InAs擬2元系の773Kにおける混合熱を表1に掲げる。InP-InAs擬2元系の混合熱は,全組成範囲おいて正の値を示し,吸熱を表す。4)InP-InAs擬2元系のξ関数は,組成に無関係にほぼ一定の値を示す(ξ=2.2kj/mol)。このことより,InP-InAs擬2元系は,正則溶液で近似できるものと考えられる。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Zn-Te系化合物半導体材料の蒸気圧-温度-組成相関図
  • 批准号:
    12750647
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $1.54万
  • 财政年份:
    2000
  • 负责人:
    山口 勉功
  • 依托单位:
GaAs化合物半導体スクラップの精製に関する基礎研究
  • 批准号:
    09750803
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $1.34万
  • 财政年份:
    1997
  • 负责人:
    山口 勉功
  • 依托单位:
Cd-Te系合金液体の会合体に関する熱力学的研究
  • 批准号:
    08226203
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $0.51万
  • 财政年份:
    1996
  • 负责人:
    山口 勉功
  • 依托单位:
CdS/CdTe系太陽電池の電着プロセスに関する研究
  • 批准号:
    08750849
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.64万
  • 财政年份:
    1996
  • 负责人:
    山口 勉功
  • 依托单位: