InPAs混晶半導体材料の化学熱力学的研究
InPAs混晶半導体材料の化学熱力学的研究
批准号:
06750748
负责人:
山口 勉功
金额:
$0.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1994
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1994 至 --
中文摘要
本研究では,InP_xAs_<(1-x)> 混晶合金およびその構成化合物InPとInAsの機械的混合物の溶融Snへの溶解熱を773Kにおいて,カルベ型の双子型溶解熱量計を用いて測定した。その結果は次のように要約される。1)双子型溶解熱量計を用いた溶解熱測定により,773KにおけるInP(red)化合物の生成熱は,-74.0±4.4kj/molと決された。また,773Kにおける生成熱より,298.15KにおけるInP(red)化合物,InP(white)化合物の標準生成熱は,それぞれ,-70.2±4.4,-87.7±4.4kj/molと決定された。なお,(red)および(white)は,それぞれリンの標準状態として赤リン,白リンを選んだ場合の値を示す。2)双子型溶解熱量計を用いた溶解熱測定により,773KにおけるInAs化合物の生成熱は,-62.8±1.0kj/molと決された。また,773Kにおける生成熱より算出された,298.15Kにおける標準生成熱は,-60.0±1.0kj/molと決定された。3)本研究により導出されたInP-InAs擬2元系の773Kにおける混合熱を表1に掲げる。InP-InAs擬2元系の混合熱は,全組成範囲おいて正の値を示し,吸熱を表す。4)InP-InAs擬2元系のξ関数は,組成に無関係にほぼ一定の値を示す(ξ=2.2kj/mol)。このことより,InP-InAs擬2元系は,正則溶液で近似できるものと考えられる。
英文摘要
本研究では,InP_xAs_<(1-x)> 混晶合金およびその構成化合物InPとInAsの機械的混合物の溶融Snへの溶解熱を773Kにおいて,カルベ型の双子型溶解熱量計を用いて測定した。その結果は次のように要約される。1)双子型溶解熱量計を用いた溶解熱測定により,773KにおけるInP(red)化合物の生成熱は,-74.0±4.4kj/molと決された。また,773Kにおける生成熱より,298.15KにおけるInP(red)化合物,InP(white)化合物の標準生成熱は,それぞれ,-70.2±4.4,-87.7±4.4kj/molと決定された。なお,(red)および(white)は,それぞれリンの標準状態として赤リン,白リンを選んだ場合の値を示す。2)双子型溶解熱量計を用いた溶解熱測定により,773KにおけるInAs化合物の生成熱は,-62.8±1.0kj/molと決された。また,773Kにおける生成熱より算出された,298.15Kにおける標準生成熱は,-60.0±1.0kj/molと決定された。3)本研究により導出されたInP-InAs擬2元系の773Kにおける混合熱を表1に掲げる。InP-InAs擬2元系の混合熱は,全組成範囲おいて正の値を示し,吸熱を表す。4)InP-InAs擬2元系のξ関数は,組成に無関係にほぼ一定の値を示す(ξ=2.2kj/mol)。このことより,InP-InAs擬2元系は,正則溶液で近似できるものと考えられる。
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科研奖励(0)
会议论文
Zn-Te系化合物半導体材料の蒸気圧-温度-組成相関図
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批准号:12750647
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2000
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
GaAs化合物半導体スクラップの精製に関する基礎研究
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批准号:09750803
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
Cd-Te系合金液体の会合体に関する熱力学的研究
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批准号:08226203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1996
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
CdS/CdTe系太陽電池の電着プロセスに関する研究
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批准号:08750849
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
Cd-Te系半導体材料の平衡状態図と熱力学に関する研究
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批准号:05750653
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1993
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
GaInAs混晶半導体材料の化学熱力学的研究
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批准号:04750612
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1992
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
III-V族化合物半導体材料の化学熱力学的研究
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批准号:02750526
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1990
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负责人:山口 勉功
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依托单位: