CdS/CdTe系太陽電池の電着プロセスに関する研究
CdS/CdTe系太陽電池の電着プロセスに関する研究
批准号:
08750849
负责人:
山口 勉功
金额:
$0.64万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1996
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1996 至 --
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英文摘要
本研究では,定電位電着によりCdTe化合物の電着を種々の条件下で行ない,最適な電着条件を明らかにすることを試みた。本研究の結果は次のように要約される。(1)試験電極(カソード)にNi板,対極(アノード)にPt板,参照電極にAg-AgCl電極を用いた三電極法により定電位電解を行なった。電解浴中のCdとTeの濃度は,それぞれ0.1mol/l,過飽和である。電着条件としては,浴温は,30,50,70℃の3種類,pHは,2,3,4の3種類を選び実験を行なった。本実験の条件下では,全ての浴温,全てのpHにおいて,CdTe化合物が電着できることが分かった。電着されるCdTe化合物の結晶性は,浴温の上昇と共に良くなる傾向があり,またpHが低い場合ほど電着量が増加する傾向がある。(2)浴温50℃,pH2の時におけるCdTe化合物の電着電位は-430±10mVvsSHEであり,この電位の領域以外では,CdTe化合物と共にCdないしはTeが析出することが分かった。したがって,単独でCdTe化合物を析出させるためには,電解電位を精度良く制御する必要がある。(3)Ni試験電極上にTeを電着した後にCdを電着させ,熱処理を施すことによりCdTe化合物を合成することを試みた。Teの電着は浴温50℃,pH11,電解液Te濃度0.1mol/lの条件で,Cdの電着は浴温50℃,pH2,電解液Cd濃度0.1mol/lの条件で行った。電着後の電極を250℃で,1時間保持するとCdTe化合物が形成されることが分かった。しかしながら,CdTe化合物を単独に形成させるためには,TeとCdの電着量をモル比で1:1にする必要があり,電着時における電流の制御が重要である。
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科研奖励(0)
会议论文
Zn-Te系化合物半導体材料の蒸気圧-温度-組成相関図
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批准号:12750647
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2000
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
GaAs化合物半導体スクラップの精製に関する基礎研究
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批准号:09750803
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
Cd-Te系合金液体の会合体に関する熱力学的研究
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批准号:08226203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1996
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
InPAs混晶半導体材料の化学熱力学的研究
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批准号:06750748
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1994
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
Cd-Te系半導体材料の平衡状態図と熱力学に関する研究
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批准号:05750653
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1993
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
GaInAs混晶半導体材料の化学熱力学的研究
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批准号:04750612
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1992
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
III-V族化合物半導体材料の化学熱力学的研究
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批准号:02750526
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1990
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负责人:山口 勉功
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依托单位: