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熱CVDによるタングステンシリサイド膜の生成機構と次世代超LSIプロセスへの対応

熱CVDによるタングステンシリサイド膜の生成機構と次世代超LSIプロセスへの対応
热CVD硅化钨薄膜的生成机理及对下一代VLSI工艺的支持
批准号：
02750680
负责人：
霜垣 幸浩
金额：
$0.51万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1990
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1990 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-02750680/
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超臨界流体を利用したULSIカーボンナノチューブ配線用ナノ触媒粒子の高密度合成
  • 批准号：
    19656189
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.18万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    霜垣 幸浩
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
面積選択MOCVDを活用したInGaAsP化合物半導体結晶成長機構の解析とマイクロレーザアレイの作製
  • 批准号：
    04F04149
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    霜垣 幸浩
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
高信頼性ULSI多層配線形成CVDプロセスの開発
  • 批准号：
    04F04420
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    霜垣 幸浩
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
変調操作CVD法による薄膜形成における初期核発生・成長過程の制御
  • 批准号：
    13025211
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $25.66万
  • 财政年份：
    2001
  • 负责人：
    霜垣 幸浩
  • 依托单位：
    The University of Tokyo