ECRプラズマエッチング装置による化合物半導体エッチング反応機構の解明
使用ECR等离子蚀刻设备阐明化合物半导体蚀刻反应机理
基本信息
- 批准号:05750682
- 负责人:
- 金额:$ 0.58万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:1993
- 资助国家:日本
- 起止时间:1993 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究ではECR-RIBE(電子サイクロトロン共鳴反応性イオンビームエッチング)による化合物半導体のエッチングメカニズムの解明を主目標とし、半導体レーザや光スイッチなどのデバイス作製プロセスの最適化を検討した。まず、実験に使用したECR-RIBE装置におけるエッチング速度などの基礎データを収集するため、広範な実験領域でのエッチングを試みた。その結果、反応ガスである塩素の分圧を一定に保っても、エッチング速度は塩素ガス流量に依存することが分かった。これは、プラズマ励起反応により生成する塩素ラジカルの塩素ガスに対する割合が一定であり、塩素ラジカルの供給量が塩素ガス流量に比例するためであると考えられる。次に、エッチング形状の最適化を検討した。デバイスを作製する際には垂直にエッチングできることが望ましいが、多くの場合にアンダーカットなどが発生し、メサ型、逆メサ型のエッチングとなってしまう。エッチング形状に対してはガス分圧の依存性が大きいことが分かり、当研究補助金により購入した高精度絶対圧型バラトロン真空計により最適圧力条件を検討したところ、10^<-4>Torr程度の圧力条件において垂直加工が可能であることが分かった。また、反応メカニズムをより詳細に検討するためにエッチング速度および形状に関するシミュレーションを行った。実験結果との比較からエッチング反応主成分の反応確率は0.6以上であることが示唆された。また、垂直に入射した粒子のうち反応に寄与しなかった成分は反射して側壁をエッチングすると思われる。このとき、溝の幅が狭いほど側壁をエッチングする割合が大きくなるため、垂直方向のエッチング速度が低下するものと思われ、実験を行った結果、予期した通りの結果が得られた。今後、実験データを蓄積することにより解析精度を高め、学会などにおいて発表する予定である。
This research is based on the ECR-RIBE (Electronic Resonance Reaction System) ECR-RIBE Compound Semiconductorチングメカニズムの解明を main target とし, semiconductor レーザや光スイッチなどのデバイス プロセスのoptimized を検した.まず、実験に Use the したECR-RIBE device におけるエッチングspeedなどのBasic データをCollection するため, 広法な実験区でのエッチングをtrial みた.その results, 応ガスである塩素の分嫧を必に宝っても, エッチング speed は塩素ガス流にdependence することが分かった.これは, プラズマstimulates the reaction, により generates する塩素ラジカルの塩素ガスに対する成合が一The supply volume of the fixed supply and the flow rate of the supply are determined by the proportion of the supply and the flow rate. The optimization of the shape of the times, the shape of the エッチング is optimized.デバイスをproduced する间にはverticalにエッチングできることが看ましいが、多くのoccasionにアンダーカットなどが発生し, メサ type, reverse メサ type のエッチングとなってしまう.エッチングshapeに対してはガス分徧のdependencyが大きいことが分かしたHigh-precision absolute pressure type バラトロン vacuum was purchased by により with a research grant It is possible to calculate the optimal pressure condition of したところ and 10^<-4>Torr degree of vertical pressure for vertical machining.また、反応メカニズムをより詳細に検討するためにエッチングspeed およびshape に关するシミュレーションを行った. The result of the comparison is that the accuracy of the main component of the reflection is more than 0.6, and the accuracy of the reflection is higher than 0.6.また, vertical に incidence した particle のうちreflection に Send and しなかった component は reflection して side wall をエッチング すると思われる. The width of the groove is narrow and the side wall is narrowチング Speed is low するものと思われ, 実験を行った results, and expected した通 りの results がget られた. From now on, we will continue to analyze and analyze the accuracy of the accumulated data and learn how to use it.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
霜垣 幸浩其他文献
子ども向け文芸運動の産業化-童謡レコードを事例として
儿童文学运动的产业化——以童谣唱片为例
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
徳本 有紀;柴田 直哉;溝口 照康;霜垣 幸浩;山本 剛久;幾原 雄一;伊佐栄二郎;伊佐栄二郎;伊佐 栄二郎;伊佐 栄二郎;周東美材;周東美材;周東美材;周東 美材;周東 美材;周東 美材 - 通讯作者:
周東 美材
方法論からみたグラフィティ文化
方法论视角下的涂鸦文化
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
徳本 有紀;柴田 直哉;溝口 照康;霜垣 幸浩;山本 剛久;幾原 雄一;伊佐栄二郎 - 通讯作者:
伊佐栄二郎
録音産業の成立と印刷技術に関するメディア論的考察
唱片工业和印刷技术的建立的媒介理论研究
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
徳本 有紀;柴田 直哉;溝口 照康;霜垣 幸浩;山本 剛久;幾原 雄一;伊佐栄二郎;伊佐栄二郎;伊佐 栄二郎;伊佐 栄二郎;周東美材;周東美材;周東美材;周東 美材;周東 美材;周東 美材;周東美材;周東美材;周東 美材 - 通讯作者:
周東 美材
ポピュラー音楽の受容と再生-甲子園における応援演奏を手がかりに
流行音乐的接受与复兴——以甲子园应援表演为基础
- DOI:
- 发表时间:
2008 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
徳本 有紀;柴田 直哉;溝口 照康;霜垣 幸浩;山本 剛久;幾原 雄一;伊佐栄二郎;伊佐栄二郎;伊佐 栄二郎;伊佐 栄二郎;周東美材;周東美材;周東美材;周東 美材;周東 美材;周東 美材;周東美材;周東美材 - 通讯作者:
周東美材
霜垣 幸浩的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('霜垣 幸浩', 18)}}的其他基金
超臨界流体を利用したULSIカーボンナノチューブ配線用ナノ触媒粒子の高密度合成
使用超临界流体高密度合成用于 ULSI 碳纳米管布线的纳米催化剂颗粒
- 批准号:
19656189 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
面積選択MOCVDを活用したInGaAsP化合物半導体結晶成長機構の解析とマイクロレーザアレイの作製
InGaAsP化合物半导体晶体生长机制分析及区域选择性MOCVD微激光阵列制作
- 批准号:
04F04149 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高信頼性ULSI多層配線形成CVDプロセスの開発
开发高可靠性ULSI多层互连CVD工艺
- 批准号:
04F04420 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
変調操作CVD法による薄膜形成における初期核発生・成長過程の制御
调制 CVD 方法控制薄膜形成中的初始成核和生长过程
- 批准号:
13025211 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
エリプソメトリー、FT-IRを利用したInGaAsP CVDプロセスの解析
使用椭圆光度法和 FT-IR 分析 InGaAsP CVD 工艺
- 批准号:
98F00244 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ECR-RIBEによる化合物半導体エッチングプロセスの反応工学的解析
使用 ECR-RIBE 进行化合物半导体蚀刻工艺的反应工程分析
- 批准号:
08750880 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
酸化物薄膜のCVD合成及びエッチングプロセスの反応工学的解析と低誘導率化
氧化物薄膜CVD合成、刻蚀过程及降低电感的反应工程分析
- 批准号:
07750843 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
CVD製膜における微小温度勾配が製膜速度と物性に及ぼす効果
CVD成膜微温度梯度对成膜速度和物性的影响
- 批准号:
07219204 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
CVD製膜における微小温度勾配が製膜速度物性に及ぼす効果
CVD成膜微温度梯度对成膜速率和物性的影响
- 批准号:
06230205 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
CVDプロセスとエッチングプロセスの反応工学的比較考察
CVD工艺与刻蚀工艺反应工程对比研究
- 批准号:
06750789 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
相似海外基金
10nm解像・極紫外(EUV)顕微鏡を実現するLayer by layerエッチング波面制御法の開発
开发逐层蚀刻波前控制方法实现10nm分辨率极紫外(EUV)显微镜
- 批准号:
24H00434 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
レーザ援用光電気化学エッチング法による可視帯光回路光源の開発
激光辅助光电化学刻蚀法可见光波段光路光源的研制
- 批准号:
24K17318 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
局在光を活用したエッチングによる完全平滑表面創製技術の確立
建立通过局部光蚀刻实现完全光滑表面的技术
- 批准号:
24KJ0524 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
新しい基板主面と新しいエッチング手法による酸化ガリウム微細加工デバイスの開発
使用新衬底主表面和新蚀刻方法开发氧化镓微加工器件
- 批准号:
24K01368 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
超音速分子線照射による遷移金属材料に対する原子層エッチング表面反応機構の解明
超声分子束辐照阐明过渡金属材料原子层刻蚀表面反应机理
- 批准号:
24K08246 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
クラスタービーム原子層エッチングと照射位置制御を用いた超高精度形状創成
使用簇束原子层蚀刻和照射位置控制进行超高精度形状创建
- 批准号:
23K22649 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
MIR-laser assisted near-field etching ~ contactless super-planarization of compound semiconductors
中红外激光辅助近场蚀刻 ~ 化合物半导体的非接触超平坦化
- 批准号:
23K03616 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ジケトン分子吸着過程およびガスクラスターイオンビーム照射による表面反応過程の解明
通过气体团簇离子束照射阐明二酮分子的吸附过程和表面反应过程
- 批准号:
23K13236 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
トライボプラズマを援用したダイヤモンド基板の高能率ドライエッチング法の開発
利用摩擦等离子体开发金刚石基底的高效干法蚀刻方法
- 批准号:
23K03621 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Ultra-precise fabrication technology by location specific atomic layer etching with cluster beam
利用簇束进行位置特定原子层蚀刻的超精密制造技术
- 批准号:
22H01378 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)