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原子制御ダイヤモンドヘテロエピタキシの界面準位評価とMOS構造素子への応用

原子制御ダイヤモンドヘテロエピタキシの界面準位評価とMOS構造素子への応用
原子控制金刚石异质外延界面态评估及其在MOS结构器件中的应用
批准号：
03750013
负责人：
作田 健
金额：
$0.58万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1991
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1991 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03750013/
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ダイヤモンド/SiCヘテロエピタキシャル構造電子放出素子の基礎研究
  • 批准号：
    09750384
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    作田 健
  • 依托单位：
    Osaka University
ダイヤモンドエピタクシにおける in-situ SiCバッファ効果の研究
  • 批准号：
    08750368
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1996
  • 负责人：
    作田 健
  • 依托单位：
    Osaka University
ダイヤモンドエピタクシにおける原子層制御希土類添加と発光特性の研究
  • 批准号：
    07750356
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    作田 健
  • 依托单位：
    Osaka University
原子層制御エピタクシによるダイヤモンドヘテロ薄膜とそのデバイスの研究
  • 批准号：
    06750321
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1994
  • 负责人：
    作田 健
  • 依托单位：
    Osaka University