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原子制御ダイヤモンドヘテロエピタクシとそのトランジスタ応用の研究

原子控制金刚石异质外延及其晶体管应用研究

基本信息

批准号：
05750292
负责人：
作田健
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

ダイヤモンドヘテロエピタクシにおいて重要なパラメータである核形成密度を制御する負バイアス処理について検討を行った。その効果は雰囲気ガスに強く依存しており、酸素は核形成に不適当な影響をもたらす。Si基板に対して、CH_4ガス・酸素フリーの負バイアス処理では、核形成密度が未処理に比べ2桁程度向上した。一方、CH_4にO_2を添加した場合、あるいはCOガスによる処理の場合、核形成密度は未処理の場合と同様にとどまり、Si基板表面はかなり荒れたモフォロジを示した。ダイヤモンド成長において、酸素は成長レートを向上させることがよく知られているが、核形成時に基板および初期ダイヤモンド核におよぼす影響について詳しく調べることが必要である。さらにp-i-p注入形ダイオードおよびMOSダイオードをホモエピタクシャル成長により、作製、その特性を調べた。注入形ダイオードの作製にはYSZによる選択エピタクシを使用した。as grownでは、表面導電層が形成され、この層は酸素中、500℃アニールによって、除去することができた。その詳細については現在検討中である。これによって、本来のp-i-p注入特性が測定できるようになった。一方、MOSダイオードは絶縁膜に誘電率の大きなBaTiO_3を用いることによって、大きな容量の電圧依存性を得た。いずれのダイオードの場合も非常に高い密度を持ったトラップの存在が示唆された。p-i-pダイオードによりバルクトラップ密度は価電子帯上0.9eVに〜10^<18>cm^<-3>、またNOSダイオードから界面準位は価電子帯上1.7eVと見積もられた。

ダイヤモンドヘテロエピタクシにおいてimportantなパラメータであるnuclear formation density をcontrol するnegative バイアスtreatment について検question を行った.そのeffectはclimate囲気ガスにstrongくdependenceしており, acidityはnucleationにinappropriateinfluenceをもたらす. The Si substrate is processed, CH_4 ガス, acid element フリーのnegative バイアス is processed, and the nucleation density is higher than that of the untreated 2した. One side, the case where CH_4にO_2を is added, the case where COガスによる is processed, the nucleation is dense In the case where the degree is not treated, it is the same as the surface of the Si substrate and the surface of the Si substrate is exposed.させることがよく知られているが, nuclear form When the substrate is ready, the initial stage will be the core and the impact will be affected.さらにp-i-p injection type ダイオードおよびMOSダイオードをホモエピタクシャルgrowing により, production, そのcharacteristics をadjusted べた. Injection molded YSZ にはYSZ によるselect 択エピタクシを use した. As grown, the surface conductive layer is formed, the surface conductive layer is formed, the layer is neutralized, and the temperature is 500℃, and the surface conductive layer is removed.そのDetailsについてはNow 検検中である. This is the original measurement of the p-i-p injection characteristics. On the one hand, MOS's insulated film has a large dielectric constant of BaTiO_3 and a large capacity and high voltage dependence. It is a very high-density, high-density, high-density product. p-i-pダイオードによりバルクトラップdensityは価electronic band upper 0.9eV~10^<18> cm^<-3>, またNOSダイオードからInterface level is 1.7eV on the electron band and もられた.