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原子制御ダイヤモンドヘテロエピタキシとそのMOS界面準位の研究

原子制御ダイヤモンドヘテロエピタキシとそのMOS界面準位の研究
原子控金刚石异质外延及其MOS界面态研究
批准号：
04750018
负责人：
作田 健
金额：
$0.45万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1992
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1992 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-04750018/
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ダイヤモンド/SiCヘテロエピタキシャル構造電子放出素子の基礎研究
  • 批准号：
    09750384
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    作田 健
  • 依托单位：
    Osaka University
ダイヤモンドエピタクシにおける in-situ SiCバッファ効果の研究
  • 批准号：
    08750368
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1996
  • 负责人：
    作田 健
  • 依托单位：
    Osaka University
ダイヤモンドエピタクシにおける原子層制御希土類添加と発光特性の研究
  • 批准号：
    07750356
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    作田 健
  • 依托单位：
    Osaka University
原子層制御エピタクシによるダイヤモンドヘテロ薄膜とそのデバイスの研究
  • 批准号：
    06750321
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1994
  • 负责人：
    作田 健
  • 依托单位：
    Osaka University