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高度に組成・結晶構造制御したPLZTエピタキシャル薄膜のMOCVD法による合成
采用MOCVD法合成成分和晶体结构高度可控的PLZT外延薄膜
基本信息
- 批准号：03855156
- 负责人：
- 金额：$ 0.64万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份：1991
- 资助国家：日本
- 起止时间：1991 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
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会议论文数量（0）
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