课题基金 / 基金详情

高度に組成・結晶構造制御したPLZTエピタキシャル薄膜のMOCVD法による合成

高度に組成・結晶構造制御したPLZTエピタキシャル薄膜のMOCVD法による合成
采用MOCVD法合成成分和晶体结构高度可控的PLZT外延薄膜
批准号：
03855156
负责人：
舟窪 浩
金额：
$0.64万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1991
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1991 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03855156/
关键词：

项目摘要

项目成果

舟窪 浩的其他基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
新規蛍石構造圧電体膜の機構解明と材料群開拓
  • 批准号：
    24H00375
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $30.95万
  • 财政年份：
    2024
  • 负责人：
    舟窪 浩
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
室温合成可能な新規単純化合物強誘電体群の開拓
  • 批准号：
    22K18307
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
  • 资助金额：
    $16.56万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    舟窪 浩
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
窒化アルミニウム基エピタキシャル薄膜を用いた強誘電性サイズ効果の解明
  • 批准号：
    21H01617
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.23万
  • 财政年份：
    2021
  • 负责人：
    舟窪 浩
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
ピエゾＭＥＭＳの信頼性確保を目指した圧電体膜の結晶構造およびドメイン構造評価
  • 批准号：
    12F02766
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    舟窪 浩
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology