ピエゾMEMSの信頼性確保を目指した圧電体膜の結晶構造およびドメイン構造評価
ピエゾMEMSの信頼性確保を目指した圧電体膜の結晶構造およびドメイン構造評価
批准号:
12F02766
负责人:
舟窪 浩
金额:
$1.47万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2015-03-31
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英文摘要
MEMS(Microelectro mechanical system)は、人間の脳を高度化したのがコンピュータだとすると、筋肉や五感(目、鼻、耳、触感)等を高度化するデバイスであり、安全で安心な社会構築に向けて非常に重要な技術である。圧電体を用いたMEMSは小型化に有利なことから、MEMSの本命技術といわれているが、実用化の例は必ずしも多くない。最大の問題は、圧電体を再現性良く作製することが非常に難しいことによっている。本研究では、圧電MEMSの性能を決定している圧電体のドメイン構造の制御および観察を行うことを目的としている。これまで行ってきた膜の特性劣化の機構を透過型電子顕微鏡やラマン分光法を駆使して解析し、その原因を突き止める。これによって、特性の劣化を引き起こす原因を明らかにした。振動を用いた発電に使用への期待がある水熱合成(K,Na)NbO3について、TEMによる解析を行ったところ、膜厚方向にKとNaの組成分布が存在することが明らかになった。これがバルクで観察される大きな圧電性のK/(K+Na)依存性が膜では観察されない原因であることを突き止めた。また、膜厚がナノメータオーダーのMEMSに適用の可能性にある(Zr,Hf)O2膜についても研究を行い、緻密な結晶化した膜が作製できていることを確認した。
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東京工業大学大学院総合理工学研究科舟窪研究室ホームページ
东京工业大学研究生院交叉科学与工学研究科船久保实验室主页
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
新規蛍石構造圧電体膜の機構解明と材料群開拓
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批准号:24H00375
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$30.95万
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财政年份:2024
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负责人:舟窪 浩
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依托单位:
室温合成可能な新規単純化合物強誘電体群の開拓
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批准号:22K18307
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
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资助金额:$16.56万
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财政年份:2022
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负责人:舟窪 浩
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依托单位:
窒化アルミニウム基エピタキシャル薄膜を用いた強誘電性サイズ効果の解明
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批准号:21H01617
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.23万
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财政年份:2021
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负责人:舟窪 浩
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依托单位:
次世代強誘電体メモリ用強誘電体材料の電気的及び物理的特性
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批准号:09F09816
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2009
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负责人:舟窪 浩
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依托单位:
チタン酸ジルコン酸鉛単結晶モデル粒界を用いたナノドーパントの圧電制御機構の解明
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批准号:20047004
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.07万
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财政年份:2008
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负责人:舟窪 浩
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依托单位:
Bi-Zn-Nb-0エピタキシャル膜のチューナビリティー機構解明
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批准号:18656189
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.98万
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财政年份:2006
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负责人:舟窪 浩
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依托单位:
Si上の光-電子融合デバイス集積を目指したβ-FeSi_2エピタキシャル薄膜合成
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批准号:16656202
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2004
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负责人:舟窪 浩
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依托单位:
環境低負荷な鉄とシリコンからなるベータ鉄シリサイド半導体を用いた太陽電池の検討
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批准号:14655236
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.92万
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财政年份:2002
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负责人:舟窪 浩
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依托单位:
パルスMOCVD法によるチタン酸ジルコン酸鉛薄膜の析出機構の解明
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批准号:12750596
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2000
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负责人:舟窪 浩
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依托单位:
エピタキシャル成長単結晶薄膜を用いたチタン酸バリウム半導体化機構の解明
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批准号:10750490
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1998
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负责人:舟窪 浩
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依托单位:
in-situ伝導度測定による半導性ZnO薄膜成膜初期の成長機構の解明
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批准号:08750779
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:舟窪 浩
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依托单位:
高度に組成・結晶構造制御したPLZTエピタキシャル薄膜のMOCVD法による合成
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批准号:03855156
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1991
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负责人:舟窪 浩
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依托单位:
海外基金