SPCPによる微粒子生成と高速成膜

通过 SPCP 产生细颗粒并高速成膜

• 批准号: 03650761
• 负责人: 山本 英夫
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Soka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1991 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03650761/
• 关键词: CVD; 超微粒子; 沿面放電; 高速成膜; 静電沈着

1.オソナイザ-用セラミック電極を沿面コロナ発生用電極として、二重円筒型CVD装置を試作した。セラミック電極と放電用高周波電源のマッチングが課題である。放電特性はこのマッチングに依存するが、ガス成分に極めて影響される。Arガスのみのときは良好な放電特性が得られるものの、反応ガス特にO_2ガスの濃度に敏感である。また、放電による電極温度の上昇に敏感であり、この対策としては、反応管外壁(電極外壁)にフィンを取り付けて室冷することが有効である。2.SiCl_4/H_2+O_2系反応ガスによるSio_2粒子の常温生成が可能であることが確認された。生成粒子は比較的単分散でその大きさは、SiCl_4およびO_2濃度の制御により、0.05から3μm程度まで変えることができる。しかし、反応収率は平均して20%と極めて悪い。この原因は反応ガスと沿面コロナプラズマの接触効率の悪さにある。反応ガス帯留空間を狭くするとともに、ガスの流速を落して、ガスの帯留時間を長くすることにより反応率を50%まで上げることができた。さらに収率向上のためには、プラズマ密度を大きくする必要があるが、試作した電源の能力不足により検討はできなかった。3.反応焼結を試みた。生成した粒子は総括的に負に帯電していた。そこで、粒子生成ゾ-ンに直流電界を印加すると、生成粒子は反応器壁面(電極側)に静電沈着し、ポ-ラスな粒子堆積層を形成した。放電はこの推積層内で起きるので、空げき中にコロナプラズマが生成し、この空げき内でもガスの反応が起こり、反応焼結が進行した。そのため、粒子層は極めて微密な膜へと成長した。成膜速度は最大で7μm/minであった。この方法で高速成膜が可能であると期待される。

1. Double barrel type CVD device is used for the production of electrical equipment along the surface. It is necessary to use high-frequency power sources to generate high-frequency power sources for high-frequency applications. Release the properties, the components, the dependencies and the components. Ar is sensitive because of its good performance, and its sensitivity is very low. The temperature of the cathode is sensitive to the temperature of the cathode, and the outer wall of the reverse tube (the outer wall of the cathode) is in charge of the room cooler. 2.SiCl_4/H_2+O_2 is caused by the formation of 2 particles at room temperature. it is possible to confirm the temperature. The dispersion of the particles is much higher than that of the particles, the dispersion of the particles is much higher than that of the particles, the dispersion of the particles is much higher than that of the particles, the dispersion of the particles is much higher than that of the particles, the dispersion of the particles is much higher than that of the particles, the dispersion of the particles is much higher than that of the particles, the dispersion of the particles is much higher than that of the particles, the dispersion of the particles is much higher than that of the particles, the dispersion of the particles is much higher than that of the particles, the dispersion of the particles is much higher than that of the particles, the dispersion of the particles is much higher than that of the particles, the dispersion of the particles is much higher than that of the particles, the dispersion of the particles is larger than that of the particles, the temperature of the particles is O _ 2 degrees of O _ 2 degrees, and the temperature The average negative rate is 20%. The reason is the opposite of the contact rate along the surface. The temperature response rate is 50% higher than that of 50% of the temperature. The rate of failure is high, the density is high, and the capacity of the power source is insufficient. 3. The counter-attempt is to try to make an attempt. Generate the particles enclosed by the particles. The generation of particles, the generation of particles, the formation of Incas, the generation of particles, the static settling of the wall of the inverter, and the formation of an active pile of particles. In the system, the data is generated, and the operation is made. The growth of micro-dense membranes is very important for the growth of particles and particles. The film forming speed is "maximum" 7 μ m