原子スケール利御薄膜・表面

原子尺度控制薄膜/表面

• 批准号: 04352018
• 负责人: 金原 粲
• 金额: $ 1.47万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
• 财政年份: 1992
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1992 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-04352018/

物質の性質を徴視的レベルで解明しようとする基礎的観点と、電子デバイスの徴小化という応用的観点から、原子スケールで制御された薄膜・表面を実現するための、原子レベルでの形成の素過程の解明、物性評価、制御技術の確立の必要性が認識され、このような徴視的構造を実現したときに発現するであろう新しい物性とそれらの積極的応用を目指す研究が盛んになりつつある。本研究においては、このような問題に重点研究として取り組み、この課題を効率よく解決するために以下のような企画・調査、研究会を開催した。これらの成果に基づき「シングルエレクトロンデバイスと原子スケール制御」なる課題を選択して、重点領域研究の申請を行った。研究連絡会議:今後の調査・研究の取り組み方進め方に関しての相談を行った(平成4年6月29日、東京大学山上会館)研究打ち合せ会:重点領域としての準備の進め方、テーマに関しての打ち合せを行った。(平成4年9月4日、東京大学工学部)原子スケール制御薄膜・表面シンポジウム:関西大学で行われた応用物理学会の期間中シンポジウムを開催し、成長の素過程の原子レベルでの研究など9件の報告がなされ、活発な議論が交わされた。(平成4年9月17日関西大学)研究連絡会議:重点領域研究申請のための具体的な話合いを行った。(平成5年1月14日、東京大学工学部)研究連絡会議および研究会:重点領域研究申請書の作成に関する打ち合せ、作業を行い、新しい電子デバイスに関する研究会が行われた。(東京大学工学部、平成5年1月26日)

The fundamental understanding of the properties of matter, the characterization of electron particles, the characterization of electron particles, the characterization of atom particles, the formation of thin films and surfaces, and the understanding of the necessity of establishing the formation process of atom particles, the evaluation of physical properties, and the establishment of control techniques The structure of this feature is developed and new physical properties are developed. This study focuses on the study of the problem, the selection of the problem, the solution of the problem, the following planning, investigation and research meetings The results of this research are based on the selection of topics and applications for research in key areas. Research Liaison Meeting: Future Research and Development (June 29, 2004, Yamanaka Hall, University of Tokyo) Research and Development Meeting: Key Areas, Preparation and Development (September 4, 2004, Faculty of Engineering, University of Tokyo) Atomic Energy Control Thin Films and Surface Engineering: Research on Atomic Energy Control of Growth Elements during the Period of Applied Physics Society of Kansai University. Nine reports and discussions were presented. (September 17, 2004, Kansai University) Research Liaison Conference: Application for Research in Key Areas (January 14, 2015, Faculty of Engineering, University of Tokyo) Research liaison meeting and research meeting: research meetings related to the preparation of research applications in key areas, work in progress, and new electronic equipment. (Faculty of Engineering, University of Tokyo, January 26, 2005)

项目成果

津田 穰: "Mechanism of the Step Growth of Diamond Crystals with Carbon Atoms(I)Epitaxial Growtn of(001)Surfaces with Carbon Atoms in the Lowest Singlet State 1D" J.Electrochem.Soc.139. 1482-1489 (1992)

Minoru Tsuda：“具有碳原子的金刚石晶体的逐步生长机制（I）具有最低单线态 1D 的（001）表面的外延生长”J.Electrochem.Soc.139（1992）。

金原 粲: "Effects of Different Pretreatments on the Surface Structure of Silicon and the Abhesion of Metal Films" J.Vac.Sci.Technol.A. 10. 3166-3170 (1992)

Kanehara, K.：“不同预处理对硅表面结构和金属膜附着力的影响”J.Vac.Sci.Technol.A. 10. 3166-3170 (1992)

長谷川 英機: "Control of Surface and Inteface Fermi Level Pinning for compod Semiconductor Nanometer Scale Structures" presented The 1st Int.Workshop on Quantum-Effect Physics,Electronics and Applications,Luxor(Egypt). (1992)

Hideki Hasekawa：“控制复合半导体纳米级结构的表面和界面费米能级钉扎”，在第一届量子效应物理、电子学和应用国际研讨会上发表演讲，卢克索（埃及）（1992 年）。

津田 穰: "Elementary Processes of Surface Reaction in Amorphous Silicon Film Growth" Appl.Sur.Sci.60/61. 29-38 (1992)

Minoru Tsuda：“非晶硅薄膜生长中的表面反应的基本过程”Appl.Sur.Sci.60/61 (1992)。

河津 璋: "Structural Stnkies of Al/Si(III)Surfaces by LEED" Surface Science. 269/270. 995-999 (1992)

Sho Kawazu：“LEED 的 Al/Si(III) 表面结构”表面科学 269/270。