単量子物性のための単原子制御

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固体表面上に原子的なスケールのミクロ構造を人工的に構成することにより、これまで知られていない新しい物性があらわれると考えられ、それは、半導体デバイスの分野に限ってみても、大きなブレークスルーを生み出すと期待される。本研究で調査する「300Aから50A」あるいは「50A以下」の領域には、1個の電子あるいは1個の光子から生ずる「単量子効果」の領域があると考えられ、これは今後の研究にゆだねられた新しい開拓領域である。本研究においては、このような問題に対して重点研究として取り組み、この課題を効率よく解決するために以下のような企画・調査、研究会を開催した。これらの成果に基づき、「単電子ナノエレクトロニクス」なる課題を選択して、重点領域研究の申請を行った。研究打ち合せ会:今後の調査・研究の取り組み方進め方に関しての相談を行った。(平成5年5月26日、東京大学工学部)研究打ち合せ会:重点領域としての準備の進め方、テーマに関しての打ち合せを行った。(平成5年7月26日、北海道大学工学部)研究連絡会議:重点領域研究が取扱う範囲について班員の意見交換を行い、次回会議で取りまとめることとした。シングルエレクトロンデバイスのための原子スケール制御シンポジウム:北海道大学で行われた応用物理学会の期間中シンポジウムを開催し、7件の報告がなされ、活発な議論が交わされた。(平成5年9月28日、北海道大学)研究連絡会議:重点領域研究申請のための具体的な話合いを行った。(平成5年9月28日、北海道大学工学部)研究連絡会議:重点領域研究申請書の作成に関する最終的打ち合せ、作業を行った。(平成6年2月8日、東京大学工学部)