シリコンの理想的原子層成長の実現
シリコンの理想的原子層成長の実現
硅理想原子层生长的实现
批准号：
04750007
负责人：
今井 茂
金额：
$0.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1992
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1992 至 --
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会议论文
界面ゆらぎを完全に除去したIV族半導体の極短周期超格子の作製
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批准号：08650370
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$1.41万
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财政年份：1996
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负责人：今井 茂
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依托单位：
IV族半導体の単原子層超格子の作製
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批准号：07650359
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.34万
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财政年份：1995
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负责人：今井 茂
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依托单位：
1原子寸法オーダーで急峻なシリコン/ゲルマニウムヘテロ界面の形成法に関する研究
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批准号：06650355
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.28万
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财政年份：1994
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负责人：今井 茂
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依托单位：
インターロイキン2徐放性マイクロカプセルの臨床応用への研究
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批准号：63771008
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1988
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负责人：今井 茂
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依托单位：