IV族半導体の単原子層超格子の作製

IV族半导体单原子层超晶格的制备

• 批准号: 07650359
• 负责人: 今井 茂
• 金额: $ 1.34万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07650359/
• 关键词: 単原子層超格子; 原子層エピタキシ-; 原子層エッチング; シリコン; ゲルマニウム

単原子層超格子の作製に必要不可欠な原子層エピタキシ-、原子層エッチングに関して、以下の知見を得た。1.シリコン基板上にジメチルゲルマンを照射し、基板温度520〜530°Cの範囲でゲルマニウムの単原子層吸着を実現した。吸着量はガス照射時間に依存せず自己停止機構が確認された。XPSによる観察では、カーボンは観察されなかった。また、低温によるジメチルゲルマンの照射と昇温を繰り返すことにより、温度範囲の拡大が可能であることを示した。2.塩素ガスの室温照射による原子層吸着と昇温による熱脱離を繰り返すことによりシリコンの原子層エッチングを実現した。昇温温度675°C以上で、エッチング速度は0.4原子層/サイクルと一定であり、塩素ガス照射量にも依存しない。AFMによる表面観察により、100サイクルの原子層エッチングを行っても表面荒さは1原子層程度しか増加しない事を確認した。3.塩素ガスの室温照射と昇温を繰り返すことによりゲルマニウムの原子量エッチングを実現した。昇温温度200°C以上でエッチング速度は理想的な1原子層/サイクルで一定であり、ガス照射量に依存しない。シリコンの場合との昇温温度の違いから、表面偏析したゲルマニウムを除去するために選択的にエッチングを行うことが可能である。

The "atom" superlattice is necessary not to owe the "atom", "atom", "atom", and the following "knowledge". 1. The temperature of the substrate is in the range of 520-530 °C, and the atoms are absorbed by the atoms. The exposure time of the absorption dose depends on the self-stop mechanism to confirm the dose. XPS said to observe the situation, and to observe the situation. Temperature, temperature range, temperature range, temperature range two。 After exposure to room temperature, the atoms were absorbed, and the temperature was not detected. The temperature is above 675 °C, the speed is 0.4 atoms

项目成果

Shigeru Imai: "Atomic Layer Epitaxy of Silicon" Materials and Manutacturing Processes. 10. 267-281 (1995)

Shigeru Imai：“硅原子层外延”材料和制造工艺。

Shigeru Imai: "Atomic Layer Etching of Si by Thermal Desorption Method" Japanese Journal of Applied Physics. 34. 5049-5053 (1995)

Shigeru Imai：“通过热脱附法对硅进行原子层蚀刻”日本应用物理学杂志。

Satoshi Sugahara: "Atomic Hydrogen-Assisted ALE of Germanium" Applied Sorface Science. 90. 349-356 (1995)

Satoshi Sugahara：“原子氢辅助的锗 ALE”应用 Sorface 科学。