界面ゆらぎを完全に除去したIV族半導体の極短周期超格子の作製

完全消除界面涨落的IV族半导体超短周期超晶格的制备

• 批准号: 08650370
• 负责人: 今井 茂
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Ritsumeikan University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08650370/
• 关键词: ゲルマニウム; 原子層エッチング; 塩素; 極短周期超格子

1.Si、Geの原子層エピタキシ-原子層エッチングを交互に行い最表面で偏析したGeを除去する事を用いた極短周期超格子の製作法を提案した。2.上記の製作法を実現するため、室温で清浄Ge表面に吸着した塩素がGeCl_2として高温で熱脱離する事を用いた、昇温脱離法によるGeの原子層エッチングを提案した。3.塩素圧力100mTorr、昇温温度400℃としたとき、Geのエッチング速度は塩素照射時間80秒(照射量8×10^6L(ラングミュア))以上、昇温時間40秒以上で飽和し、飽和値は1原子層/サイクルであった。また、エッチング速度は昇温温度260℃以上のとき1原子層/サイクルで飽和した。以上よりGeの原子層エッチングが実現することを実験的に明らかにした。4.100サイクルの原子層エッチングによっても表面粗さは3.5原子層程度しか増大しない事をAFM測定により明らかにした。5.Geのエッチング温度がSiの場合(650℃)と比較して低いこと、また、塩素照射量がSiの場合(5×10^4L)と比較して多いことから、選択的にSiまたはGeをエッチングする可能性が明らかとなった。6.上記2〜4.の成果を第4回ALE国際シンポジウムで報告した。

1. Si, Ge atomic layer, atomic layer 2. The preparation method described above is implemented at room temperature and at room temperature. The atomic layer of Ge is adsorbed on the surface of Ge and thermally desorbed at high temperature. 3. Element pressure 100mTorr, temperature rise 400℃, Ge temperature rise speed 80 seconds or more element irradiation time (irradiation dose 8× 10^6 L), temperature rise 40 seconds or more saturation value 1 atomic layer/atom layer. The temperature rise is higher than 260℃ and the atomic layer/saturation is higher than 260℃. The above Ge atomic layer is formed by the following elements: 4.100 atomic layer thickness measurement by AFM 5. When the Ge temperature is Si (650℃), the comparison is low, and the exposure amount of Ge is Si (5× 10^4 L). When the Ge temperature is Si (650℃), the comparison is high, and the Si Ge temperature is Si (5× 10^4 L). 6. The results of the previous 2 ~ 4. ALE International Report on the Fourth Session

项目成果

K.Ikeda.: "Atomic Layer Etching of Germamium" Applied Surface Science. (印刷中). (1997)

K. Ikeda.：“锗的原子层蚀刻”应用表面科学（出版中）。