界面ゆらぎを完全に除去したIV族半導体の極短周期超格子の作製

点击翻译按钮获取中文摘要

1.Si、Geの原子層エピタキシ-原子層エッチングを交互に行い最表面で偏析したGeを除去する事を用いた極短周期超格子の製作法を提案した。2.上記の製作法を実現するため、室温で清浄Ge表面に吸着した塩素がGeCl_2として高温で熱脱離する事を用いた、昇温脱離法によるGeの原子層エッチングを提案した。3.塩素圧力100mTorr、昇温温度400℃としたとき、Geのエッチング速度は塩素照射時間80秒(照射量8×10^6L(ラングミュア))以上、昇温時間40秒以上で飽和し、飽和値は1原子層/サイクルであった。また、エッチング速度は昇温温度260℃以上のとき1原子層/サイクルで飽和した。以上よりGeの原子層エッチングが実現することを実験的に明らかにした。4.100サイクルの原子層エッチングによっても表面粗さは3.5原子層程度しか増大しない事をAFM測定により明らかにした。5.Geのエッチング温度がSiの場合(650℃)と比較して低いこと、また、塩素照射量がSiの場合(5×10^4L)と比較して多いことから、選択的にSiまたはGeをエッチングする可能性が明らかとなった。6.上記2〜4.の成果を第4回ALE国際シンポジウムで報告した。