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1原子寸法オーダーで急峻なシリコン/ゲルマニウムヘテロ界面の形成法に関する研究

一原子量级陡峭硅/锗异质界面形成方法研究

基本信息

批准号：
06650355
负责人：
今井茂
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06650355/
关键词：
原子層エピタキシ-シリコンゲルマニウムヘテロ界面

项目摘要

1.Ge基板にジメチルゲルマンを原子状水素の交互供給を行い、GeのホモALEを実現した。成長速度は、420℃から530℃までの広い温度範囲にわたり1原子層/サイクルで一定であり、また、どちらのガスの照射量にも依存しない。AES測定により、膜中へのCの混入はないことを確認した。AFMによる観察により100サイクルのALEによる表面荒さの増加は2原子層程度であることを確認した。2.Ge基板に原子状水素とジクロルシランの交互供給を行いSi層を形成した。この基板表面の構造を角度分解XPS法により調査した。その結果、Ge上のSiのヘテロALEではSiは1原子層/サイクルで成膜すること、成膜したSiの表面に1原子層近いGeが表面偏折することがわかった。これは原子状水素の照射により成長膜表面をカバーしている塩素がはずれ、Si表面がむき出しになるからである。従って、成長Si層の表面を常にカバーしながらALEを行う必要がある。3.Si上のGeのテヘロALEにおいて、Si基板上に原料ガス中の有機基が吸着しGeの原子層吸着を妨げることをXPS観察により確認した。そこで、有機原料ガスの代わりにトリクロルゲルマンを照射し、0.5原子層のGeが吸着することを確認した。

1. Ge substrate is a mixture of atomic water and Ge. The growth rate depends on the temperature range from 420℃ to 530℃, and the exposure dose. AES determination of C in the membrane and its mixing with the sample AFM inspection of 100 atomic layers 2. The Ge substrate is formed by alternating supply of atomic water and silicon. The structure of the substrate surface was investigated by angular decomposition XPS. As a result, Si on Ge has an atomic layer and a film on Si has an atomic layer near Ge. The atomic element is irradiated on the surface of the growth film, and the Si surface is irradiated on the surface of the growth film. The growth of Si layer is often necessary. 3. Ge atoms on Si and Ge atoms on Si substrates are adsorbed by organic radicals. XPS observations confirm that Ge atoms on Si substrates are adsorbed by organic radicals. For example, the organic raw material is irradiated with 0.5 atomic layers of Ge.