Si骨格次元を制御したポリシランを前駆体として形成したa-Si薄膜の光・電子特性
使用具有受控硅骨架尺寸的聚硅烷作为前驱体形成的非晶硅薄膜的光学和电子特性
基本信息
- 批准号:05750794
- 负责人:
- 金额:$ 0.58万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:1993
- 资助国家:日本
- 起止时间:1993 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
ポリシランは、主鎖がSi-Si結合のみからなり側鎖に有機置換基を有するsigma共役系有機金属ポリマーであり、Si骨格次元で比較した場合、結晶性シリコンやアモルファスシリコン(3次元系)に対する1次元シリコンモデルであると見なすことができる。本研究では、Si骨格次元を制御したポリシランを合成し、さらにそれらを前駆体としたa-Siなどの半導体薄膜形成を目的とした研究を行った。ポリシランの合成は、ジクロロオルガノシランとトリクロロオルガノシランの共重合により行った。これにより、直鎖ポリシラン、分枝ポリシラン、さらにネットワークポリシランへと、Si骨格次元が制御されたポリシランを得ることができた。吸収スペクトルおよび発光スペクトルの結果から、Si骨格次元の増加に伴うsigma共役性の向上による、スペクトルのブロードニングおよび長波長シフトが観測された。また、シリコンネットワーク構造の形成による、光および熱安定性の向上が示された。シリコンネットワーク構造を有するポリ(n-プロピルシリン)薄膜を前駆体として、その熱処理によるa-Si薄膜の形成を行った。ポリ(n-プロピルシリン)の熱処理過程における赤外スペクトルの観測からは、400℃での側鎖プムピル基の消失が示された。吸収スペクトルからは、薄膜の熱処理に伴うバンドギャップの減少(400oCまでの加熱で3.0eVから1.2eVに減少)が観測された。遠赤外スペクトルの観測においては、アモルファスシリコン類似のSi骨格の形成が示された。これは、有機金属ポリマー前駆体法による新しいシリコン系半導体薄膜形成プロセスの可能性を示唆するものである。
In the case of organic substitution group, the main lock is Si-Si bond, the side lock is organic substitution group, the sigma co-service system organic metal is organic substitution group, and the Si lattice dimension is compared with the case of crystalline separation group (3-dimensional system). This study is aimed at the synthesis of Si lattice thin films and the formation of Si thin films. The composition of the mixture is different from that of the mixture. This is the first time that a person has ever been involved in a crime. The absorption spectrum and emission spectrum are measured as a result of the increase in Si lattice dimension accompanied by sigma co-operation. The development of optical and thermal stability in the formation of high temperature structures The formation of a-Si thin films by heat treatment and precursor treatment is carried out. During the heat treatment process of n-type polymer, the temperature of the side chain polymer group disappeared at 400℃. The decrease in absorption and heat treatment of thin films (3.0eV decrease in heating at 400 ° C and 1.2eV decrease) was measured. The formation of Si lattice similar to that of Si lattice is shown in the following aspects: The possibility of forming a semiconductor thin film by the organometallic precursor method is demonstrated.
项目成果
期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
A.Watanabe: "Amorphous silicon structure of heat-treated poly(n-propylsilyne)studied by far-infrared spectroscopy" Chem.Phys.Lett.207. 2111-2116 (1993)
A.Watanabe:“通过远红外光谱研究热处理聚(正丙基甲硅烷)的非晶硅结构”Chem.Phys.Lett.207。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
渡辺 明其他文献
低酸素負荷におけるO-G1cNAc化タンパク質のオートファジーとアポトーシスへの影響
缺氧应激下O-G1cNA酰化蛋白对自噬和凋亡的影响
- DOI:
- 发表时间:
2014 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
渡辺 明;佐々木 泉帆;古川 裕一;野村 篤生;上橋 和佳;加藤 隆児;井尻 好雄;中川 孝俊;山口 雄大;泉 康雄;葭山 稔;朝日 通雄;林 哲也 - 通讯作者:
林 哲也
高屈折率有機ゲルマニウムポリマーを用いた屈折率変調型微細構造体の形成
使用高折射率有机锗聚合物形成折射率调制微结构
- DOI:
- 发表时间:
2011 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
渡辺 明;藤井 亮;宮下 徳治 - 通讯作者:
宮下 徳治
金属ナノ粒子前駆体を用いたレーザー直接描画法による金属微細配線形成
使用金属纳米颗粒前体通过激光直写法形成精细金属布线
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Akira Watanabe;渡辺明;渡辺明;Akira Watanabe;Yoshio Kobayashi;Akira Watanabe;Akira Watanabe;Akira Watanabe;渡辺明;渡辺明;渡辺明;渡辺 明 - 通讯作者:
渡辺 明
渡辺 明的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('渡辺 明', 18)}}的其他基金
ハイパーブランチ型Ge-Ge鎖からなるゲルマニウムポリマーの超高屈折率特性制御
由超支化Ge-Ge链组成的锗聚合物的超高折射率特性的控制
- 批准号:
21656157 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
金属ナノ粒子のプラズモン共鳴によるナノヒーター効果を用いた銅微細配線レーザー描画
利用金属纳米颗粒等离子体共振产生的纳米加热器效应进行铜细布线激光绘图
- 批准号:
19651060 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
一次元超格子構造を有するσ-π共役性高分子の合成と光・電気物性
一维超晶格结构σ-π共轭聚合物的合成及其光电性能
- 批准号:
06750916 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
種々のSi骨格のポリシランを前駆体として形成した化合物半導体薄膜の光・電子機能
以各种Si骨架聚硅烷为前驱体形成的化合物半导体薄膜的光学和电子功能
- 批准号:
04750727 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
GMS画像を利用した教材の開発
使用GMS图像开发教材
- 批准号:
04680303 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
ヘテロ界面を有する積層型導電性高分子薄膜の合成とそれを用いた分子素子の基礎設計
具有异质界面的堆叠导电聚合物薄膜的合成及其分子器件的基本设计
- 批准号:
01750833 - 财政年份:1989
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
光電解酸化重合法による積層型高分子薄膜の合成及び光記憶材料を目指した分子設計
光电氧化聚合法制备层状聚合物薄膜及光存储材料分子设计
- 批准号:
63750862 - 财政年份:1988
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
プレキャスト海洋構造物の耐力耐久水中接合法に関する研究
预制海洋结构水下持久粘接方法研究
- 批准号:
62850088 - 财政年份:1987
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
PC板埋設型枠の利用による新省力・迅速施工法に関する研究
嵌入式PC板模板省力快速施工新工法研究
- 批准号:
56460125 - 财政年份:1981
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
RCおよびPC構造物における海砂使用上の問題点解明に関する総合研究
阐明RC、PC结构海砂使用问题的综合研究
- 批准号:
X00050----335025 - 财政年份:1978
- 资助金额:
$ 0.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)