天疱瘡抗体により誘導される表皮細胞膜変化について

天疱瘡抗原とデスモゾーム抗原の発現を正常単層培養表皮細胞、コラーゲン膜上で培養した重層表皮細胞、皮膚癌細胞株、およびが正常皮膚を用いて検索し、表皮細胞の分化に伴うそれぞれの抗原発現を蛍光抗体法とウェスタンブロット法を用いて比較した。1.1.8mMのカルシウム含有培地では、正常培養表皮細胞は単層および重層部分の細胞接合部位に尋常性天疱瘡(PV)抗原を発現していた。落葉状天疱瘡(PF)抗原は単層部位にはみられず、重層化した部位に発現していた。皮膚癌細胞株(HSC-1,5,6KM株)では、PV抗原は発現が減弱ないし消失し、他のデスモゾーム抗原は正常と比べて異常な発現様式を示した。2.正常表皮でのPV抗原の発現様式の違いを共焦点レーザー蛍光顕微鏡を用いて検索したが、表皮下層と上層で明らかな差異は認められなかった。単層培養表皮細胞と同様にコラーゲン膜上で作製した重層表皮細胞にも全層にPV抗原の発現が認められた。対照とした類天疱瘡抗原、LH7.2は最下層の表皮細胞のみに認められた。ウェスタンブロット法では、PV抗原を持つ130kDaのdesmoglein分子は、単層培養細胞では主要な分子であったが、コラーゲン膜上で培養した表皮細胞シートでは相対的に減少し、逆に150kDa分子が増加した。以上の結果から、PV抗原とPF抗原は表皮細胞の分化により制御されているが、basal cellとsuprabasal cellのあいだに、類天疱瘡やLH7.2ほどの発現調節はなかった。しかし、PVとPF両抗原分子の発現量の差異と対応する自己抗体反応が、PVとPFの二病型を形成するものと考え、さらに研究を続けている。

天疱瘡抗原とデスモゾーム抗原の発現を正常単層培養表皮細胞、コラーゲン膜上で培養した重層表皮細胞、皮膚癌細胞株、およびが正常皮膚を用いて検索し、表皮細胞の分化に伴うそれぞれの抗原発現を蛍光抗体法とウェスタンブロット法を用いて比較した。1.1.8mMのカルシウム含有培地では、正常培養表皮細胞は単層および重層部分の細胞接合部位に尋常性天疱瘡(PV)抗原を発現していた。落葉状天疱瘡(PF)抗原は単層部位にはみられず、重層化した部位に発現していた。皮膚癌細胞株(HSC-1,5,6KM株)では、PV抗原は発現が減弱ないし消失し、他のデスモゾーム抗原は正常と比べて異常な発現様式を示した。2.正常表皮でのPV抗原の発現様式の違いを共焦点レーザー蛍光顕微鏡を用いて検索したが、表皮下層と上層で明らかな差異は認められなかった。単層培養表皮細胞と同様にコラーゲン膜上で作製した重層表皮細胞にも全層にPV抗原の発現が認められた。対照とした類天疱瘡抗原、LH7.2は最下層の表皮細胞のみに認められた。ウェスタンブロット法では、PV抗原を持つ130kDaのdesmoglein分子は、単層培養細胞では主要な分子であったが、コラーゲン膜上で培養した表皮細胞シートでは相対的に減少し、逆に150kDa分子が増加した。以上の結果から、PV抗原とPF抗原は表皮細胞の分化により制御されているが、basal cellとsuprabasal cellのあいだに、類天疱瘡やLH7.2ほどの発現調節はなかった。しかし、PVとPF両抗原分子の発現量の差異と対応する自己抗体反応が、PVとPFの二病型を形成するものと考え、さらに研究を続けている。