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異なる構造のイオン結晶間のヘテロエピタキシ-

不同结构的离子晶体之间的异质外延

基本信息

批准号：
05750030
负责人：
柳瀬明久
金额：
$ 0.58万
依托单位：
The Institute of Physical and Chemical Research
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

共有性からイオン性結合に至る一連の物質群について、エピタキシアル成長による薄膜作製、界面形成に対する要求は、ますます大きくなっている。イオン結晶については、従来、NaCl型構造のアルカリハライドを中心に調べられてきたが、ヘテロ界面での最初期の核発生については不明な点が多い。界面で異なる結晶構造、対称性を有する系を用いることにより、核生成がレッヂなどの表面欠陥に基づくのか、テラス上で生じるのかを明らかにすることができると考えた。本研究では、超高真空下での分子線エピタキシ-法により、NaCl型構造のMgO(001)基板上に閃亜鉛鉱型構造のCuCl、CuBrを成長させることを試みた。薄膜の構造は、反射高速電子線回折(RHEED)のその場観察、およびX線回折、原子間力顕微鏡を用いて調べた。そして、良好な2次元成長が生じ、CuCl[10]//MgO[110]、CuBr[110]//MgO[010]のそれぞれ異なる界面原子配置を与えることを見いだした。CuClとCuBrの5%の格子定数の相違が、初期核と基板表面との相対的原子配置を変化させた結果であり、特に、三量体分子である(CuCl)_3、(CuBr)_3が核発生過程で基板表面との相互作用において重要な役割を果たしていると考察された。これは、特定の表面欠陥上ではなく、平坦なテラス上での核発生を強く示唆した。また、界面での対称性からCuClとCuBrの各系は、結晶方位の異なる4つのドメインから成ることを明らかにした。

The characteristics of the common properties are combined to the growth of the material group, the growth of the thin film, the formation of the interface, the requirements of the interface, and the formation of the interface. The results show that there is an unknown number of points in the center of the system, and the interface is in the first phase of the system. The interface is fabricated, the system is used in the system, the nuclear generation system is used, the surface of the interface is poor, and the system is sensitive. In this study, CuCl and CuBr grown on MgO substrates were fabricated in ultra-high vacuum (UHV). Thin film fabrication, reflective high-speed electron line foldback (RHEED) field observation, X-ray refolding, atomic force microanalyzer. CuCl [10]