局所的に表面修飾した微粒子の二量体化

局部表面改性颗粒的二聚化

基本信息

  • 批准号:
    14655012
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.86万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 财政年份:
    2002
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2002 至 2003
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

シリカ表面上のパッチ状金薄膜をパルスレーザー加熱することによりサイズの均一性が高い球形金微粒子が得られた。まず,シリコン基板に,熱酸化,フォトリソグラフィ,エッチングなどの微細加工技術を施し,シリコンからなる台座(〜4μm角)の上にシリコン熱酸化膜(〜10μm角)が形成されたテーブル状の構造が周期的に配列した基板を作製した。その上に膜厚30〜70nmの金薄膜を真空蒸着法によって堆積させ,それぞれが独立したパッチ状の金薄膜を得た。この試料に対して,ナノ秒パルスNd : YAGレーザーの2倍波(波長532nm)1パルスを照射し,金薄膜を加熱した。パルス幅は6ns,パルスエネルギー密度は,70〜140mJcm^<-2>の範囲で実験を行い,薄膜の形態変化を走査電子顕微鏡によって観察した。膜厚40nmの金薄膜の試料に対して,100mJcm^<-2>の1パルスを照射した場合,それぞれのパッチ状金薄膜がほぼ1個の球形微粒子へと形態を変えることがわかった。金粒子の直径は,1.9〜2.2μmであり,これは,パッチ状薄膜の金が1つの球へと変化した場合に予想される直径2.1μmとよく一致した。なお,薄膜の初期反射率(〜0.7)を考慮すると,この照射条件は薄膜を十分に融解しえるものである。この方法では,初期の金薄膜が厚いほど1個のパッチ全体の単一微粒子への形態変化が生じやすい。基板としてテーブル状の構造を用いることにより,パルスレーザー加熱時の薄膜から基板への熱移動は,主として薄膜の中心部で生じるため,加熱時において,薄膜の中心部の温度が外縁部の温度に比べて低くなる傾向にある。そのため,薄膜は外縁部から融解し,外縁部から中心部に向かって収縮しやすい。よって,1個のパッチ状薄膜は複数の部分に分断されにくく,最終的に1個の微粒子が生成されたと考えられる。
A thin film of gold on the surface of a metal plate is heated to a high temperature. The substrate is thermally acidified, and a thermally acidified film (~ 10μm angle) is formed on the top of the pedestal (~ 4μm angle) to form a circular structure and a periodic arrangement of the substrate. The gold thin film with the thickness of 30 ~ 70nm was deposited by vacuum evaporation method, and the gold thin film was obtained independently. The sample was irradiated with Nd : YAG at 2X wavelength (532nm) and the gold film was heated. The film thickness is 6ns, and the film density is 70 ~ 140 mJcm. <-2>The morphology of the film is examined by electron microscopy. When a sample of a gold thin film with a film thickness of 40nm is irradiated with 100 mJcm ^per square inch<-2>, there is a change in the shape and shape of one spherical particle in the gold thin film. The diameter of gold particles is 1.9 ~ 2.2μm, and the diameter of gold particles is 2.1μm. The initial reflectance of the film (~ 0.7) is considered, and the irradiation conditions are such that the film melts very well. This method is based on the initial thickness of the gold thin film and the morphology of the whole particle. The heat transfer of the thin film during heating is opposite to that of the substrate, and the temperature of the central part of the thin film tends to be lower than that of the outer part during heating. The outer part of the film melts, and the outer part shrinks from the central part to the central part. A thin film with a plurality of parts is divided into two parts, and finally a micro-particle is generated.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

柳瀬 明久其他文献

柳瀬 明久的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('柳瀬 明久', 18)}}的其他基金

溶融パッチ状半導体薄膜の球状粒子への連続変形と真球化
熔融的片状半导体薄膜连续变形为球形颗粒并球化
  • 批准号:
    20K05351
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
MgO(110)におけるイオン結合性分子種の表面拡散の異方性
MgO(110) 中离子物质表面扩散的各向异性
  • 批准号:
    08750041
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
イオン結晶ヘテロエピタキシ-における基板表面欠陥と初期核発生
离子晶体异质外延中的衬底表面缺陷和初始成核
  • 批准号:
    07750040
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
異なる構造のイオン結晶間のヘテロエピタキシ-
不同结构的离子晶体之间的异质外延
  • 批准号:
    05750030
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似国自然基金

高性能薄膜铌酸锂光子芯片及其TSV集成与异构封装技术研究
  • 批准号:
    JCZRQN202501306
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
VO2相变材料基准光学纳米腔结构的宽温域自适应热隐身薄膜设计
  • 批准号:
    JCZRQN202500547
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
石墨烯基自适应双模辐射热管理薄膜的构筑与性能研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
空间激光通信薄膜铌酸锂调制器研发
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
超宽禁带金红石结构氧化锗薄膜的p型掺杂调控及其功率电子器件研究
  • 批准号:
    QN25F040011
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
基于化学设计PbI2层优化钙钛矿薄膜质量及光伏器件性能研究
  • 批准号:
    QN25F040017
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
二维材料图案化薄膜热梯度无损转印技术研究
  • 批准号:
    ZYQ25A020001
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
基于LiNbO₃单晶薄膜的铁电突触及其神经形态触觉感知研究
  • 批准号:
    MS25F040015
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
氧化物半导体单晶薄膜外延剥离及物性研究
  • 批准号:
    R25E020012
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
有序介孔感知薄膜的原位组装及智能柔性气体传感器应用研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目

相似海外基金

High-performance thin film porous pyroelectric materials and composites for thermal sensing and harvesting
用于热传感和收集的高性能薄膜多孔热释电材料和复合材料
  • 批准号:
    EP/Y017412/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Fellowship
圧電/磁性体薄膜の融合による広帯域MEMS振動発電素子
压电/磁性薄膜融合宽带MEMS振动发电装置
  • 批准号:
    23K20252
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
スマートウィンドウを目指したガラス基板上へのc-軸配向スピノーダル分解薄膜の作製
用于智能窗的玻璃基板上c轴取向旋节线分解薄膜的制备
  • 批准号:
    23K23038
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
大気圧プラズマCVD法によるシリカ膜のサブナノ細孔構造制御と超薄膜製膜技術の確立
常压等离子体CVD法二氧化硅膜亚纳米孔结构控制及超薄膜形成技术的建立
  • 批准号:
    23K23119
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
前駆体相からの結晶成長による単結晶有機薄膜蒸着プロセスの開発とデバイス応用
前驱体相晶体生长单晶有机薄膜沉积工艺及器件应用的开发
  • 批准号:
    23K23214
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
遷移金属ケイ化物キラル薄膜によるスピン偏極エレクトロニクスの創成
使用过渡金属硅化物手性薄膜创建自旋极化电子器件
  • 批准号:
    23K23212
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
エピタキシャルフッ化物薄膜電池のモデル界面を活用したフッ素の輸送機構解明
利用外延氟化物薄膜电池模型界面阐明氟传输机制
  • 批准号:
    23K23221
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
時間分解光電子分光によるp-type有機半導体薄膜の正孔ダイナミクス観測
使用时间分辨光电子能谱观察 p 型有机半导体薄膜中的空穴动力学
  • 批准号:
    23K26632
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SnSの欠陥化学の探究と薄膜トランジスタへの展開
SnS缺陷化学探索及其在薄膜晶体管中的应用
  • 批准号:
    23K23431
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
強誘電体基板上に成膜した強磁性薄膜における磁気特性の評価とその発現機構の解明
铁电基板上沉积的铁磁薄膜的磁性能评估及其表现机制的阐明
  • 批准号:
    24K08198
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了