単結晶金属人工超格子中での界面格子緩和と原子間隔制御

单晶金属人造超晶格中的界面晶格弛豫和原子间距控制

• 批准号: 05750592
• 负责人: 菅原 昭
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1993 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05750592/
• 关键词: 金属人工格子; エピタキシャル成長; ミスフィット転位; 相安定性

単結晶金属人工超格子中では,弾性的な拘束に起因して双方の金属の格子定数がバルクの状態におけるそれとは異なる状態を実現できる.我々は,従来Au(001)上のPtの成長について界面格子緩和を調べてきた.本年度はこれを拡張して,Pt(001)上のAuの成長およびAu/Pt/Au(001),Pt/Au/Pt(001)の三層膜における原子間隔および界面格子緩和現象を調べるとともに,平衡状態図的には存在し得ない組成のPt-Au固溶体薄膜の成長を試みた.Pt/Au(001)とAu/Pt(001)の結果を比較したところ,積層順を逆にすると界面に導入される不一致転位の型が異なることを見出した.通常の静的な弾性論では,両者に導入される不一致転位の型は同じであるとの取り扱いが成されることが多い.しかしながら,人工超格子の場合には成長時の動的な観点(積層順)から現象を検討することが重要であることがわかった.三層膜中でもPt/Au(001)とAu/Pt(001)界面に導入される不一致転位の型は異なった.特に,Pt/Au界面上には不動転位が導入されるため,転位のすべり運動のみを考慮したMatthews-Blakeslee機構では界面格子緩和現象を説明できない.この場合も,動的な成長過程を考慮する必要があった.また,状態図的には相分離を起こすことが期待されるAu_<0.3>Pt_<0.7>合金薄膜をAu(001)基板上に成長させると,単相のAu-Pt固溶体薄膜が成長する事がわかった.これは,下地の弾性拘束の影響で,相分離を起こすことが弾性エネルギー的に不利となることに対応していると考えられる.このような下地の弾性拘束を用いることにより,バルクでは存在し得ない組成・原子間隔を持つ固溶体を成長させることが可能であることを示した.

Single crystal metal artificial superlattice is the cause of the restriction of the nature of the metal lattice on both sides. I'm sorry, but Pt on Au(001) is growing and the interface lattice is relaxing. In this year, the growth of Au on Pt(001) and Au/Pt(001),Pt/Au(001) trilayer films was studied. The atomic spacing and interface lattice relaxation phenomenon were adjusted. The equilibrium state existed. The composition of Pt/Au(001) and Au/Pt(001) films was studied. The difference between the two types of materials is obvious. Usually the static nature theory is opposite, the introduction is inconsistent, the type is opposite, the selection is opposite, the formation is opposite. In the case of artificial superlattice, it is important to discuss the phenomenon of dynamic growth point (stacking order). The Pt/Au(001) and Au/Pt(001) interfaces in the three-layer film are introduced into the film. In particular, the Pt/Au interface is introduced into a stationary position, and the interface lattice relaxation phenomenon is explained by considering the Matthews-Blakeslee mechanism. In this case, it is necessary to consider the growth process of the mobile phone. In addition, phase separation occurs in the state of. It is expected that an <0.3>Au-Pt-<0.7>alloy thin film will grow on an Au(001) substrate, and a single-phase Au-Pt solid solution thin film will grow. The effect of sexual restraint on the ground is to separate the two sexes. The existence of a solid solution in the presence of atomic space and the growth of a solid solution are possible.

项目成果

Akira Sugawara: "Growth dynamics of Fractal Ge Clusters during Crystallization of Amorphous Ge on Polycrystalline Au Layer" Materials Science and Engineering. (未定). (1994)

Akira Sukawara：“多晶金层上非晶态 Ge 结晶过程中分形 Ge 簇的生长动力学”材料科学与工程 (TBC)。

Akira Sugawara: "Misfit accommodations in singlecrystalline Pt-Au bilayers and trilayers deposited by ion beam sputtering" Research Report on Metallic Artificial Superlattice. 103-106 (1994)

Akira Sukawara：“离子束溅射沉积的单晶 Pt-Au 双层和三层中的失配调节”金属人工超晶格研究报告。

菅原 昭: "Au(001),NaCl(001)基板上でのPt_<0.7>Au_<0.3>合金薄膜の成長" 日本金属学会第114回講演大会概要. (未定). (1993)

Akira Sukawara：“Pt_<0.7>Au_<0.3> 合金薄膜在 Au(001)、NaCl(001) 基底上的生长”日本金属学会第 114 届会议摘要（待定）。

菊川 隆: "非晶質Ge/多結晶Au二層膜のGe結晶化におけるGeとAuの拡散挙動" 日本金属学会第113回講演大会概要. 393-393 (1994)

Takashi Kikukawa：“非晶Ge/多晶Au双层膜的Ge结晶过程中Ge和Au的扩散行为”日本金属学会第113届会议摘要393-393（1994）。