Synthese und Charakterisierung stabiler Verbindungen im System Si-C-N

硅碳氮化物陶瓷材料是一种高温稳定性好的材料和非金属材料。高频离子束或离子注入技术可以在6CyNz离子束的作用下实现自由放电。Eine thermische Behandlung führt zur Aubildung stabiler binärer und ternärer keramischer Verbindungen.在阶段性培养和结晶化过程中，扩散性原子的运输过程是一个重要的角色。在这种情况下，材料运输的复杂性将取决于示踪剂扩散系数对结构元件的温度函数和温度分布的影响，这一点将被韦尔登所证实。这是通过同位素稳定剂示踪扩散法测定韦尔登的结果。通过建立可靠的认知模型韦尔登，通过建立认知阶段的认知和稳定性模型，可以在硅碳氮体系中建立韦尔登模型。

Keramische Silizium-Carbonitrid-Verbindungen bilden eine vielversprechende Klasse nichttoxidischer Materialien zum Einsatz als hochtemperaturstabile Werkstoffe und Beschichtungsmaterialien. Duch HF-Sputtern oder Ionenimplantation lassen sich nahezu verunreinigungsfreie Schichten mit der Zusammensetzung SixCyNz herstellen. Eine thermische Behandlung führt zur Aubildung stabiler binärer und ternärer keramischer Verbindungen. Im Zusammenhang mit der strukturellen Umordnung bei der Phasenbildung und der Kristallisation spielen diffusive atomare Transportprozesse eine entscheidende Rolle. Zum Versändnis des Materietransportes in diesen Verbindungen sollen die Tracer-Diffusionskoeffizienten der konstituierenden Elemente als Funktion der Temperatur und der Zusammensetzung bestimmt werden. Dieses Ziel soll mittels Tracer-Diffusionsmessungen unter Verwendung seltener stabiler Isotope und durch den Einsatz der Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) erreicht werden. Mit Hilfe der erzielten Ergebnisse sollen Modelle erstellt werden, mit deren Hilfe die Entstehungs- und Stabilitätsbedingungen der Phasen sowie die Umordnungs- und Kristallisationskinetik im System Si-C-N geklärt werden können.