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近藤格子化合物における低励起結晶場分裂の無接触分光法による探究

使用非接触光谱法探索近藤晶格化合物中的低激发晶体场分裂

基本信息

批准号：
06740293
负责人：
浴野稔一
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06740293/
关键词：
トンネル分光エネルギーギャップ近藤半導体 CeNiSn CeRhSb

项目摘要

トンネル分光によりセリウム化合物の研究を進めた。特にその結晶場励起のスペクトル構造、近藤半導体のエネルギーギャップの形成機構を探ることを主な目的とした。ここでは近藤半導体CeNiSn、CeRhSbについて得られた結果の概要を述べる。多結晶によるトンネルコンダクタンスの測定では、そのエネルギーギャップ構造を初めて直接観測した。測定温度4.2KにてCeNiSnでエネルギーギャップ8-10meV、CeRhSbでは20-27meVが得られた。これらの値は近藤温度T_K(【square root】4K(CENiSn)96K(CeRhSb))と同程度かやや大きい。近藤半導体のフェルミ面近傍での準粒子状態密度の関数形は知られていないが、得られた実験データはギャップの確率分布(Gauss分布)を考慮したBCS状態密度曲線と殆ど一致していることを初めて見い出した。これはギャップが強い異方性を持つことを示唆している。トンネルスペクトルの温度変化の測定ではCeNiSnでは12K、CeRhSbでは25K付近以下でスペクトルに構造が現れ始めており、フェルミ面に部分的にギャップが開き始めていることを示している。これらは帯磁率がピークをとる温度T_χ及び電気抵抗が弱い肩を持つ温度と一致する。更に温度を下げて行くとCeNiSnでは6K、CeRhSbでは10K以下でギャップが急速に発達していることが明かになった。これらは磁気比熱の温度比C_m/Tがピークをとる温度T_<cp>に等しい。以上をまとめるとCeNiSn、CeRhSb共にギャップは温度上昇によりT_<cp>【planck's constant】.1T_K迄は急激に減少、T_C【planck's constant】.2T_K以上で消失し金属的に振る舞うと云える。この様なギャップの強い温度依存性は強相関物質の特徴と考えられる。

Research on the chemical compounds of Tonil Spectrophotometer has been carried out. The special crystal field-stimulating structure and the Kondo Semiconductor's forming mechanism are the main purpose.ここでは Kondo Semiconductor CeNiSn, CeRhSb について got られた Summary of the results の说べる. Polycrystalline によるトンネルコンダクタンスのmeasurementでは、そのエネルギーギャップstructureをInitial measurementした. The measurement temperature is 4.2K, the temperature of CeNiSn is 8-10meV, the temperature of CeNiSn is 8-10meV, and the temperature of CeRhSb is 20-27meV.これらの値は Kondo temperature T_K (【square root】4K (CENiSn) 96K (CeRhSb)) and the same degree かやや大きい. Kondo Semiconductor's surface close proximity quasiparticle state density の Off number shape はknow られていないが, 德られた実験データはギャッThe accuracy distribution (Gauss distribution) is based on the BCS state density curve and the consistency of the BCS state density curve.これはギャップが强い性性をhold つことをshows instigation している. Measurement of the temperature change of the Tonkin のネルスペクトルの CeNiSn 12K, CeRhSb 25K is close to the following.スペクトルにSTRUCTURE が STAR めており、フェルミ面に部The にギャップが开き开めていることをshows している. The magnetic resistance of the magnetic field is the same as the temperature T_χ and the electric resistance is weak and the temperature is consistent. Change the temperature of CeNiSn under 6K and CeRhSb under 10K and the temperature below 10K.これらはMagnetic 気Specific heatのTemperature ratioC_m/TがピークをとるTemperature T_<cp>にetc.しい. Above, CeNiSn, CeRhSb, temperature rise, temperature rise, T_<cp>【planck's constant】.1T_K has been reduced, T_C【planck's constant]. Above 2T_K, the metal is gone and the metal is shaken and danced.この様なギャップの Strong い Temperature dependence は Strongly related substance の特徴と卡えられる.