極低温・真空中の高分子電気絶縁材料の沿面絶縁性能向上に関する研究
極低温・真空中の高分子電気絶縁材料の沿面絶縁性能向上に関する研究
批准号:
06750316
负责人:
水野 幸男
金额:
$0.58万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1994
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1994 至 --
中文摘要
本研究では、極低温・真空中に置かれた高分子材料の沿面フラッシオーバ電圧の温度依存性や真空度依存性などの基礎特性、沿面放電による高分子材料表面の劣化状態などを把握することを主目的とした。高分子試料としてポリメチルメタクリレートを使用した。試料(沿面距離5〜10mm)を平行平板電極系に狭み、交流上昇電圧印加時の試料沿面のフラッシオーバ電圧の試料温度、試料形状、印加電圧上昇率、真空度依存性を測定するとともに、沿面フラッシオーバ後の試料の劣化状態の観察も行った。得られた結果を以下に示す。1.平板電極内部を空洞にして液体窒素を充填するように工夫したこと、試料長さが最大10mmと比較的短かったことから、試料長さ方向の温度差はほとんど認められなかった。また、液体窒素で冷却を開始後、試料表面の温度が一定値に到達するまでに要する時間は、実験条件により異なるが20〜30分程度であった。2.試料表面温度の低下につれて、沿面フラッシオーバ電圧は緩やかに上昇し、一定値に達した。3.沿面距離が長いほどと沿面フラッシオーバ電圧は高かった。また、試料直径が大きい方がフラッシオーバ電圧は低下した。直径が大きいほど電極と接する部分が増すため、弱点部が多くなることが原因と考えられる。4.沿面フラッシオーバ電圧は印加電圧上昇速度(500V/sec、1000V/sec)に依存しなかった。5.大気圧から真空度を良くして行くと、沿面フラッシオーバ電圧は一旦低下し、その後上昇する傾向が認められた。空気のパッシェン曲線との関連において検討を進めている。6.沿面放電発生後の試料表面の劣化はほとんど認められなかった。電圧遮断が早かったためと考えられる。今後、試料に温度勾配がある場合の特性についても検討を進める予定である。
英文摘要
本研究では、極低温・真空中に置かれた高分子材料の沿面フラッシオーバ電圧の温度依存性や真空度依存性などの基礎特性、沿面放電による高分子材料表面の劣化状態などを把握することを主目的とした。高分子試料としてポリメチルメタクリレートを使用した。試料(沿面距離5〜10mm)を平行平板電極系に狭み、交流上昇電圧印加時の試料沿面のフラッシオーバ電圧の試料温度、試料形状、印加電圧上昇率、真空度依存性を測定するとともに、沿面フラッシオーバ後の試料の劣化状態の観察も行った。得られた結果を以下に示す。1.平板電極内部を空洞にして液体窒素を充填するように工夫したこと、試料長さが最大10mmと比較的短かったことから、試料長さ方向の温度差はほとんど認められなかった。また、液体窒素で冷却を開始後、試料表面の温度が一定値に到達するまでに要する時間は、実験条件により異なるが20〜30分程度であった。2.試料表面温度の低下につれて、沿面フラッシオーバ電圧は緩やかに上昇し、一定値に達した。3.沿面距離が長いほどと沿面フラッシオーバ電圧は高かった。また、試料直径が大きい方がフラッシオーバ電圧は低下した。直径が大きいほど電極と接する部分が増すため、弱点部が多くなることが原因と考えられる。4.沿面フラッシオーバ電圧は印加電圧上昇速度(500V/sec、1000V/sec)に依存しなかった。5.大気圧から真空度を良くして行くと、沿面フラッシオーバ電圧は一旦低下し、その後上昇する傾向が認められた。空気のパッシェン曲線との関連において検討を進めている。6.沿面放電発生後の試料表面の劣化はほとんど認められなかった。電圧遮断が早かったためと考えられる。今後、試料に温度勾配がある場合の特性についても検討を進める予定である。
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
益口智成,水野幸男,内藤克彦: "低温・大気圧における高分子絶縁材料にフラッシオーバ特性" 1994年度電気関係学会東海支部連合大会講演論文集. 273- (1994)
Tomonari Masuguchi、Yukio Mizuno、Katsuhiko Naito:“聚合物绝缘材料在低温和大气压下的闪络特性”1994 年日本电气工程师东海分会会议记录 273- (1994)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
Development of a detection method of electric fire sign and a continuous remote monitoring system
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批准号:21K04023
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2021
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负责人:水野 幸男
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依托单位:
高磁界下における極低温冷媒/高分子複合電気絶縁系の耐部分放電性向上に関する研究
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批准号:03750193
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1991
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负责人:水野 幸男
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依托单位:
極低温・高磁界下における高分子材料の電気絶縁性能向上に関する研究
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批准号:02750184
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1990
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负责人:水野 幸男
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依托单位:
極低温・真空中における高分子材料の沿面絶縁性能の向上に関する研究
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批准号:63750258
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1988
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负责人:水野 幸男
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依托单位:
国内基金
海外基金
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真空电渣重熔制备稀土处理高洁净高均质超细晶特殊钢的冶金原理
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批准号:JCZRQNA202600051
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
真空紫外高级氧化体系降解脱毒选矿废水中浮选剂
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:王闯
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依托单位:
真空紫外活化过氧单硫酸盐缓解藻源有机质膜污染特性与机制
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批准号:2026JJ50482
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:杜锦滢
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依托单位:
超长时低温保冷真空冷链箱关键技术的研发及产业化
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:叶信立
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依托单位:
天然化合物对真空包装肴肉腐败菌的控制方法研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:崔晓鹏
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依托单位:
预抽真空渗氮炉温度场数值分析与优化研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:杨婉婷
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依托单位:
一种新型连续磁控倾斜溅射LCOS光阀芯片真空镀膜工艺研发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:石高瀑
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依托单位:
离子液体基耐真空、高性能电解质设计制备及溶剂化结构研究
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批准号:JCZRLH202601012
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
高速磁浮列车真空高温运行环境下混凝土徐变行为与调控技术研究
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批准号:2026JJ50036
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:唐卓
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依托单位:
DES真空蚀刻装置的升级改造及制造工艺优化
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:李微
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依托单位: