プラズマCVD法による銅薄膜形成機構に関する研究

等离子体CVD法铜薄膜形成机理研究

• 批准号: 06750325
• 负责人: 白谷 正治
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06750325/
• 关键词: 銅薄膜; 集積回路; プラズマCVD法; 選択プラズマCVD法; 有機金属安定供給装置

本研究の目的は,プラズマCVD法による銅薄膜形成機構を調べ,次世代集積回路内の配線材料としての高品質銅薄膜を,プラズマCVD法を用いて作製するための指針を得ることである.本研究によって以下の結果を得た.1.従来困難であった有機金属材料を高精度にしかも長時間安定に再現性良く供給可能な,有機金属材料安定供給装置を独自に開発した.2.プラズマCVD法による銅薄膜形成に重要な役割を果たしているCuとHの発生量を,材料ガスのH_2による希釈率により大きく変化させることが可能である.3.銅薄膜形成の速度は同一条件下でも基板の種類により3倍程度の差が生じるとともに,膜の組成も基板の種類により変化する。4.基板温度が室温でも銅が60%以上を占める薄膜を作製可能である.さらに基板温度を170℃まで上げることにより銅が95%以上,電気抵抗率2.23μΩcm以下の高品質銅薄膜が得られる.以上の結果は,銅薄膜を任意の場所にのみ成膜する選択プラズマCVDを実現できる可能性があることを示唆している.

は の purpose, this study プ ラ ズ マ CVD method に よ る copper film formation institutions を べ, next generation の wiring material within the collection of integrated circuit と し て の high quality copper film を, プ ラ ズ を マ CVD method using い て cropping す る た め を の Pointers to る こ と で あ る. Under this study に よ っ て の results を た. 1. 従 to difficult で あ っ た organic を high-precision metal materials に し か も good stability and reproducibility に く supply for a long period of time will な, organic metal material stable supply device を に alone open 発 し た. 2. プ ラ ズ マ CVD method に よ る copper film formation に important な "を cut fruit た し て い る Cu と H の 発 production を, material It is estimated that ガス ガス H_2による hash rate によ <s:1> large <s:1> く variation させる とが とが とが possible である.3. Copper film formation は の speed under the same conditions で も substrate の kinds に よ り level 3 times の born poor が じ る と と も に, types of membrane of の も substrate の に よ り variations change す る. 4. The substrate temperature が room temperature で も accounted for more than 60% copper が を め る film を as system may で あ る. さ ら を に substrate temperature 170 ℃ ま で on げ る こ と に よ が り copper 95%, electricity 気 resistance rate 2.23 mu Ω cm below の high quality copper film が ら れ る. の above results は, copper film を place arbitrary の に の み film-forming す る sentaku プ ラ ズ マ CVD を be presently で き る possibility が あ る こ と を in stopping し て い る.

项目成果

柴田 憲治: "プラズマCVD法による銅薄膜の形成" 電気関係学会九州支部連合大会論文集. 47. 132 (1994)

Kenji Shibata：“通过等离子体 CVD 方法形成铜薄膜”九州电气工程学会分会联合会会议记录 47. 132 (1994)。

白谷 正治: "銅薄膜形成用MOCVDプラズマの特性" 電気学会プラズマ研究会資料. EP-95-10. 81-90 (1995)

Masaharu Shiratani：“用于铜薄膜形成的 MOCVD 等离子体的特性”IEEJ 等离子体研究组材料。 ​​EP-95-10 (1995)。

白谷 正治: "Fabrication of Cu thin films using plasma CVD method" Proceeding of the 12th Symposium on plasma processing. 12. 71-74 (1995)

Masaharu Shiratani：“使用等离子体 CVD 方法制备铜薄膜”第 12 届等离子体处理研讨会论文集。12. 71-74 (1995)