等离子体CVD法铜薄膜形成机理研究-猫眼课题宝

等离子体CVD法铜薄膜形成机理研究

批准号：

06750325

负责人：

白谷正治

金额：

$0.58万

依托单位：

Kyushu University

依托单位国家：

日本

项目类别：

Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

财政年份：

1994

资助国家：

日本

项目状态：

已结题

起止时间：

1994 至 --

来源：

https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06750325/

关键词：

銅薄膜集積回路プラズマCVD法選択プラズマCVD法有機金属安定供給装置

项目摘要

项目成果

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英文摘要

本研究の目的は,プラズマCVD法による銅薄膜形成機構を調べ,次世代集積回路内の配線材料としての高品質銅薄膜を,プラズマCVD法を用いて作製するための指針を得ることである.本研究によって以下の結果を得た.1.従来困難であった有機金属材料を高精度にしかも長時間安定に再現性良く供給可能な,有機金属材料安定供給装置を独自に開発した.2.プラズマCVD法による銅薄膜形成に重要な役割を果たしているCuとHの発生量を,材料ガスのH_2による希釈率により大きく変化させることが可能である.3.銅薄膜形成の速度は同一条件下でも基板の種類により3倍程度の差が生じるとともに,膜の組成も基板の種類により変化する。4.基板温度が室温でも銅が60%以上を占める薄膜を作製可能である.さらに基板温度を170℃まで上げることにより銅が95%以上,電気抵抗率2.23μΩcm以下の高品質銅薄膜が得られる.以上の結果は,銅薄膜を任意の場所にのみ成膜する選択プラズマCVDを実現できる可能性があることを示唆している.

期刊论文(3)

专著(0)

科研奖励(0)

会议论文

柴田憲治: "プラズマCVD法による銅薄膜の形成" 電気関係学会九州支部連合大会論文集. 47. 132 (1994)

Kenji Shibata：“通过等离子体 CVD 方法形成铜薄膜”九州电气工程学会分会联合会会议记录 47. 132 (1994)。

DOI： --

发表时间：

期刊：

影响因子： --

作者：

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