プラズマCVD法による銅薄膜の選択形成に関する研究

等离子体CVD法选择性形成铜薄膜的研究

• 批准号: 07750360
• 负责人: 白谷 正治
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07750360/
• 关键词: 銅薄膜; プラズマCVD; プラズマプロセス; MOCVD; LSI; 配線材料; 銅原子; 吸収法

本研究では,高品質銅薄膜形成法の開発を目的として,プラズマCVD法による銅薄膜形成を調べ,以下のような結果を得た.(1)有機金属材料のH_2希釈率を70から88%以上に増加すると膜質が良くなり,膜中の銅濃度とグレインサイズが各々70から99%以上,10から100nm以上になり,これに伴い抵抗率も9から2μΩcmへと低下する.(2)高品質膜が得られるH_2希釈率が高い場合にはプラズマ中のH原子の発光が強く,Hが膜の不純物除去に重要であることが示唆された.(3)光吸収法により測定したプラズマ中の銅原子の密度は10^9cm^<-3>程度であり,得られた成膜速度5nm/minを説明するのに必要な密度より2桁低い.(4)質量分析器を用いて有機金属材料Cu(hfa)_2の解離イオン化断面積の予備的な結果を得た.

In this study, the high-quality thin film formation method was successful, and the CVD method was used to form the thin film. The following results are satisfactory. (1) the sensitivity of organic metal materials is more than 70%. 88%, the temperature in the film is more than 70%, and the temperature in the film is more than 10 100nm. The resistance rate is 9 μ Ω cm and the low temperature is low. (2) High quality thin films are sensitive to H _ 2. The H atoms in the films are highly sensitive, and the H atoms in the films are light-intense. the H-films do not remove the important atoms. (3) the photoabsorption method is used to determine the atomic density 10 ^ 9cmm ^ & lt. The film forming speed 5nm/min shows that it is necessary to reduce the density of the film. (4) the organic metal material Cu (hfa) _ 2 is used in the mass analyzer. The results show that the film formation speed is very high.

项目成果

白谷 正治: "銅薄膜形成用MOCVDプラズマの特性" 電気学会プラズマ研究会資料. 81-90 (1995)

Masaharu Shiratani：“用于铜薄膜形成的 MOCVD 等离子体的特性”IEEJ 等离子体研究组材料 81-90 (1995)。