プラズマCVD法による銅薄膜の選択形成に関する研究

等离子体CVD法选择性形成铜薄膜的研究

• 批准号: 07750360
• 负责人: 白谷 正治
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07750360/
• 关键词: 銅薄膜; プラズマCVD; プラズマプロセス; MOCVD; LSI; 配線材料; 銅原子; 吸収法

本研究では,高品質銅薄膜形成法の開発を目的として,プラズマCVD法による銅薄膜形成を調べ,以下のような結果を得た.(1)有機金属材料のH_2希釈率を70から88%以上に増加すると膜質が良くなり,膜中の銅濃度とグレインサイズが各々70から99%以上,10から100nm以上になり,これに伴い抵抗率も9から2μΩcmへと低下する.(2)高品質膜が得られるH_2希釈率が高い場合にはプラズマ中のH原子の発光が強く,Hが膜の不純物除去に重要であることが示唆された.(3)光吸収法により測定したプラズマ中の銅原子の密度は10^9cm^<-3>程度であり,得られた成膜速度5nm/minを説明するのに必要な密度より2桁低い.(4)質量分析器を用いて有機金属材料Cu(hfa)_2の解離イオン化断面積の予備的な結果を得た.

In this study, the development of high quality copper thin film formation method was studied. (1)The H_2 resistivity of organic metal materials increases from 70 to 88%, the film quality is good, and the copper concentration in the film increases from 70 to 99%, and from 10 to 100nm. (2)High quality films are obtained with high H_2 emission rate. (3)The density of copper atoms in the film was measured by optical absorption method and was about 10^9 cm. The <-3>film formation rate was 5nm/min, which explained the necessary density. (4)The mass analyzer was used to obtain the results of the dissociation of Cu(hfa)_2 and the preparation of the cross section area.

项目成果

白谷 正治: "銅薄膜形成用MOCVDプラズマの特性" 電気学会プラズマ研究会資料. 81-90 (1995)

Masaharu Shiratani：“用于铜薄膜形成的 MOCVD 等离子体的特性”IEEJ 等离子体研究组材料 81-90 (1995)。