等离子体CVD法选择性形成铜薄膜的研究-猫眼课题宝

等离子体CVD法选择性形成铜薄膜的研究

批准号：

07750360

负责人：

白谷正治

金额：

$0.64万

依托单位：

Kyushu University

依托单位国家：

日本

项目类别：

Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

财政年份：

1995

资助国家：

日本

项目状态：

已结题

起止时间：

1995 至 --

来源：

https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07750360/

关键词：

銅薄膜プラズマCVD プラズマプロセス MOCVD LSI 配線材料銅原子吸収法

项目摘要

项目成果

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英文摘要

本研究では,高品質銅薄膜形成法の開発を目的として,プラズマCVD法による銅薄膜形成を調べ,以下のような結果を得た.(1)有機金属材料のH_2希釈率を70から88%以上に増加すると膜質が良くなり,膜中の銅濃度とグレインサイズが各々70から99%以上,10から100nm以上になり,これに伴い抵抗率も9から2μΩcmへと低下する.(2)高品質膜が得られるH_2希釈率が高い場合にはプラズマ中のH原子の発光が強く,Hが膜の不純物除去に重要であることが示唆された.(3)光吸収法により測定したプラズマ中の銅原子の密度は10^9cm^<-3>程度であり,得られた成膜速度5nm/minを説明するのに必要な密度より2桁低い.(4)質量分析器を用いて有機金属材料Cu(hfa)_2の解離イオン化断面積の予備的な結果を得た.

期刊论文(1)

专著(0)

科研奖励(0)

会议论文

白谷正治: "銅薄膜形成用MOCVDプラズマの特性" 電気学会プラズマ研究会資料. 81-90 (1995)

Masaharu Shiratani：“用于铜薄膜形成的 MOCVD 等离子体的特性”IEEJ 等离子体研究组材料 81-90 (1995)。

DOI： --

发表时间：

期刊：

影响因子： --

作者：

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