プラズマCVD法による銅薄膜の選択形成に関する研究

等离子体CVD法选择性形成铜薄膜的研究

基本信息

  • 批准号:
    07750360
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.64万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1995
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1995 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究では,高品質銅薄膜形成法の開発を目的として,プラズマCVD法による銅薄膜形成を調べ,以下のような結果を得た.(1)有機金属材料のH_2希釈率を70から88%以上に増加すると膜質が良くなり,膜中の銅濃度とグレインサイズが各々70から99%以上,10から100nm以上になり,これに伴い抵抗率も9から2μΩcmへと低下する.(2)高品質膜が得られるH_2希釈率が高い場合にはプラズマ中のH原子の発光が強く,Hが膜の不純物除去に重要であることが示唆された.(3)光吸収法により測定したプラズマ中の銅原子の密度は10^9cm^<-3>程度であり,得られた成膜速度5nm/minを説明するのに必要な密度より2桁低い.(4)質量分析器を用いて有機金属材料Cu(hfa)_2の解離イオン化断面積の予備的な結果を得た.
In this study, the high-quality thin film formation method was successful, and the CVD method was used to form the thin film. The following results are satisfactory. (1) the sensitivity of organic metal materials is more than 70%. 88%, the temperature in the film is more than 70%, and the temperature in the film is more than 10 100nm. The resistance rate is 9 μ Ω cm and the low temperature is low. (2) High quality thin films are sensitive to H _ 2. The H atoms in the films are highly sensitive, and the H atoms in the films are light-intense. the H-films do not remove the important atoms. (3) the photoabsorption method is used to determine the atomic density 10 ^ 9cmm ^ & lt. The film forming speed 5nm/min shows that it is necessary to reduce the density of the film. (4) the organic metal material Cu (hfa) _ 2 is used in the mass analyzer. The results show that the film formation speed is very high.

项目成果

期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
白谷 正治: "銅薄膜形成用MOCVDプラズマの特性" 電気学会プラズマ研究会資料. 81-90 (1995)
Masaharu Shiratani:“用于铜薄膜形成的 MOCVD 等离子体的特性”IEEJ 等离子体研究组材料 81-90 (1995)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

白谷 正治其他文献

Thermomechanical Reliability of Ag Sinter Joining in Thermal Cycling
热循环中银烧结连接的热机械可靠性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    趙 研;節原 裕一;竹中 弘祐;白谷 正治;関根 誠;堀 勝;S. Ohara;Yuichi Setsuhara;小杉祥;Soichi Sakamoto
  • 通讯作者:
    Soichi Sakamoto
バンドギャップチューニング可能なZnO系新半導体材料の開発(プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演)
带隙可调的新型ZnO基半导体材料的开发(等离子体电子奖纪念讲座)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    板垣奈穂;松島宏一;山下大輔;徐鉉雄;古閑一憲;白谷 正治
  • 通讯作者:
    白谷 正治
Novel Mechanochemical Synthesis of Carbon Nanomaterials by a High Speed Ball-Milling Process
通过高速球磨工艺新型机械化学合成碳纳米材料
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    趙 研;節原 裕一;竹中 弘祐;白谷 正治;関根 誠;堀 勝;S. Ohara
  • 通讯作者:
    S. Ohara
パルス高周波放電オフ後のナノ粒子輸送
脉冲高频放电关闭后纳米粒子的传输
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岩下 伸也;守田 道仁;古閑 一憲;布村 正太;白谷 正治;森貞 佳紀;松木 信雄;池田 慎悟
  • 通讯作者:
    池田 慎悟
レーザー超音波法による非接触温度計測の高度化に関する検討
激光超声法非接触测温技术进展研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    趙 研;節原 裕一;竹中 弘祐;白谷 正治;関根 誠;堀 勝;S. Ohara;Yuichi Setsuhara;小杉祥
  • 通讯作者:
    小杉祥

白谷 正治的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('白谷 正治', 18)}}的其他基金

プラズマプロセスによる膜形成の一般則の統合研究
等离子体工艺成膜一般规律的综合研究
  • 批准号:
    24H00205
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Mechanism elucidation of spatio-temporal structure formation of sheath fluctuation using optically trapped fine particles in plasmas
利用等离子体中的光学捕获细颗粒阐明鞘波动时空结构形成的机制
  • 批准号:
    20H00142
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
プラズマを用いたナノカプセルの創製と物質内包技術の開発
利用等离子体创建纳米胶囊并开发材料封装技术
  • 批准号:
    18656027
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
プラズマCVD法による銅薄膜形成機構に関する研究
等离子体CVD法铜薄膜形成机理研究
  • 批准号:
    06750325
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
微粒子プラズマに関する実験的研究
颗粒等离子体的实验研究
  • 批准号:
    04780006
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
シランプラズマ中の微粒子発生機構に関する研究
硅烷等离子体中粒子产生机理研究
  • 批准号:
    01750270
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

大気圧プラズマCVD法によるシリカ膜のサブナノ細孔構造制御と超薄膜製膜技術の確立
常压等离子体CVD法二氧化硅膜亚纳米孔结构控制及超薄膜形成技术的建立
  • 批准号:
    23K23119
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
プラズマCVDを用いた低応力・高密度カーボンナノコンポジット膜の高速製膜法の創成
使用等离子体CVD创建低应力、高密度碳纳米复合材料薄膜的高速薄膜生产方法
  • 批准号:
    20J13122
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高選択透過アモルファス分離膜のプラズマCVD製膜とフレキシブルセラミック膜の創製
等离子体CVD制备高选择性渗透非晶分离膜及柔性陶瓷膜的制作
  • 批准号:
    21656199
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
マイクロ波プラズマCVD法によるハイパワーナノダイヤモンドダイオードの作製
微波等离子体CVD法制备高功率纳米金刚石二极管
  • 批准号:
    07J10950
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高強度レーザー誘起プラズマCVD法によるセラミックス膜の超高速合成とナノ構造制御
高强度激光诱导等离子体CVD法陶瓷薄膜的超快合成和纳米结构控制
  • 批准号:
    17686055
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
プラズマCVDによるTiN-基組成傾斜膜のコーティングと耐腐食性
等离子CVD制备TiN基成分梯度薄膜及其耐蚀性能
  • 批准号:
    03F03293
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
プラズマCVDによるTiN基組成傾斜膜のコーティングと耐腐食性
等离子体CVD制备TiN基成分梯度薄膜及其耐蚀性能
  • 批准号:
    03F00293
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
プラズマCVD法によるシリコン結晶成長過程における水素原子の動力学に関する研究
等离子体CVD法硅晶体生长过程中氢原子动力学研究
  • 批准号:
    13750033
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
低誘電率層間絶縁膜作製プラズマCVDの表面和周波発生振動分光による診断
使用等离子体CVD表面和频产生振动光谱诊断低介电常数层间绝缘膜生产
  • 批准号:
    12750269
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
大気圧グロー放電プラズマによるレーザ発振およびプラズマCVDへの応用
使用大气压辉光放电等离子体的激光振荡和等离子体CVD的应用
  • 批准号:
    09750820
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了