液晶ディスプレイ用アモルファスシリコンの高速度・高歩留まり作製法に関する研究
液晶ディスプレイ用アモルファスシリコンの高速度・高歩留まり作製法に関する研究
批准号:
06750328
负责人:
川崎 仁晴
金额:
$0.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1994
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1994 至 --
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英文摘要
本研究の目的は,変調高周波放電法を用いて液晶ディスプレイ用アモルファスシリコンの高速度・高歩留まり作製の実現に向けての指針を得ることにある.このために,アモルファスシリコン成膜に用いられるシランプラズマ中のダストの蓄積と成長を抑さえるのに有効なプラズマのon,off期間,及びそのon,off期間と他のパラメータとの関係を明かにする必要がある.そこで高周波シランプラズマ中の微粒子成長過程を,レーザ散乱法(LLS),走査型電子顕微鏡(SEM)などを用いて調べた.その結果,微粒子は核発生,急速成長,成長飽和期の3つの過程を経て成長すること,急速成長期以降には,2種類のサイズグループの微粒子が同時に存在していること,急速成長は微粒子の凝集反応によって生じていることが明らかになった.以上の結果から,微粒子の核発生と急速成長が生じる前に放電をoffさせ,その間に放電領域内のガスを完全に交換することにより,微粒子の発生・成長を抑制できることが明らかになった.
期刊论文(2)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
白谷 正治: "Formation processes of Particulates in Helium-Diluted silane RF Plasma" IEEE Trans.Plasma Sci.22. 103-107 (1994)
Masaharu Shiratani:“氦稀释硅烷 RF 等离子体中颗粒的形成过程”IEEE Trans.Plasma Sci.22 (1994)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
川崎 仁晴: "Investigation of particulate growth processes in RF silane plasmas using light absorption and scanning electron microscopic method" Jpn.J.Appl.Phys.33. 4198-4201 (1994)
Hitoshiharu Kawasaki:“使用光吸收和扫描电子显微镜方法研究 RF 硅烷等离子体中的颗粒生长过程”Jpn.J.Appl.Phys.33 4198-4201 (1994)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
粉体ターゲットを用いた傾斜機能型水素脆化防止膜の作製
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批准号:24K07008
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.91万
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财政年份:2024
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负责人:川崎 仁晴
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依托单位:
A Measurement System of Potential Fluctuation for Natural Disasters at KOSEN and Its Application to Disaster Prevention Education
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批准号:20K03264
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2020
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负责人:川崎 仁晴
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依托单位:
新ナノ微粒子創製用ツインレーザ成膜装置の開発
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批准号:14703034
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额:$17.06万
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财政年份:2003
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负责人:川崎 仁晴
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依托单位:
交差電磁界制御型パルスレーザデポジション法による大面積均一薄膜の作製
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批准号:12792002
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项目类别:Grant-in-Aid for University and Society Collaboration
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资助金额:$2.88万
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财政年份:2000
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负责人:川崎 仁晴
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依托单位:
磁界中パルスレーザデポジション法を用いた銅配線用窒化タンタル(TaN)薄膜の作製
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批准号:12750284
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2000
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负责人:川崎 仁晴
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依托单位:
海外基金