Control of Point Defects in Si and its Application to Process Simulation

硅点缺陷控制及其在工艺模拟中的应用

基本信息

  • 批准号:
    07455152
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.8万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    1995
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1995 至 1997
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

In the structure of silicon directly covered with silicon nitride (Si_3N_4) films, stresses of Si_3N_4 films and substrates during annealing, and its effect on boron (B) diffusion and extended defects are studied. During annealing, tensile stress is generated in the Si_3N_4 film, resulting in compressive stress at the surface of the substrates. From the results of Si_3N_4 film thickness and annealing temperature dependence on both B diffusivity and stress in the substrates, B diffusion is found to be retarded and the substrates are found to have high elastic compressive strain during annealing under the films. These results indicate that excess vacancies are generated by elastic compressive strain, causing the retardation of interstitial-mediated diffusion of B.The effect of Si_3N_4 films on diffusion of phosphorus (P) and antimony (Sb) in Si has also been studied. P diffusion is retarded, while Sb diffusion is enhanced in Si under nitride films. It is determined that fraction of interstitialcy component in P and Sb diffusion in Si is approximately 0.96 and 0, respectively.
在硅直接覆盖氮化硅(Si_3N_4)薄膜的结构中,研究了Si_3N_4薄膜和衬底在退火过程中的应力,以及其对硼(B)扩散和扩展缺陷的影响。退火过程中,Si_3N_4薄膜中产生拉应力,导致衬底表面产生压应力。从Si_3N_4薄膜厚度和退火温度对衬底中B扩散率和应力的依赖结果来看,在薄膜下退火时,B扩散被延缓,衬底具有较高的弹性压缩应变。结果表明,弹性压缩应变产生了多余的空位,阻碍了b在间隙中的扩散。本文还研究了Si_3N_4薄膜对Si中磷(P)和锑(Sb)扩散的影响。氮化膜作用下,硅中P元素的扩散速度减慢,而Sb元素的扩散速度加快。测定出P和Sb在Si中扩散的间隙成分分别约为0.96和0。

项目成果

期刊论文数量(27)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
K.Osada.: "Effect of Stress in the Peposited Silicon Nitride Films on Boron Diffusion in Silicon" J.Electrochem.Soe.Vol.142. 202-206 (1995)
K.Osada.:“沉积氮化硅薄膜中的应力对硅中硼扩散的影响”J.Electrochem.Soe.Vol.142。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Y.Zaitsu, K.Osada and S.Matsumoto: "Effect of Si_3N_4 Films on Diffusion of Boron and Extended Defects in Silicon during Post-Implantation Annealing" Materials Science Forum. Vol.196-201. 1891-1896 (1995)
Y.Zaitsu、K.Osada 和 S.Matsumoto:“Si_3N_4 薄膜对注入后退火过程中硼扩散和硅中扩展缺陷的影响”材料科学论坛。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T. Shimizu, Y. Zaitsu, S. Matsumoto: "Determination of Vacancy Diffusivify in Silicon for Process Simulation" Simulation of Semiconductor Device and Processes. 6. 444-447 (1995)
T. Shimizu、Y. Zaitsu、S. Matsumoto:“用于工艺仿真的硅中空位扩散的确定”半导体器件和工艺的仿真。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Osada, Y.Zaitsu S.Matsumoto: "Effect of Stress in the Deposited Silicon Nitride Films on Boron Diffusion in Silicon" J.Electrochemi.Soc.Vol.157. 202-206 (1995)
K.Osada、Y.Zaitsu S.Matsumoto:“沉积氮化硅薄膜中的应力对硅中硼扩散的影响”J.Electrochemi.Soc.Vol.157。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Osada: "Effect of Stress in the Deposited Silicon Nitride Films on Boron Diffusion in Silicon" J.Electrochem.Soc.Vol.142. 202-206 (1995)
K.Osada:“沉积氮化硅薄膜中的应力对硅中硼扩散的影响”J.Electrochem.Soc.Vol.142。
  • DOI:
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  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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