金属／化合物半導体界面における電気特性及び微細構造に関する研究

本年度は近年当研究室で初めてn型GaAsに対してオーム性が確認された高融点金属間化合物の機能性コンタクト材としての適用性の基礎研究を進めた。金属間化合物コンタクト材は、GaAs基板への拡散が浅く、耐熱性が優れ、コンタクト材表面は平坦であり、コンタクト抵抗値の低減のみが達成されればVLSIデバイス適用条件をすべて満足する。従って本研究は金属間化合物コンタクト材と半導体界面の電気伝導機構を明らかにし、良質の電気特性を得ることを目的とした。本年度の成果は以下の通りである。1.NiGeコンタクト材に微量の第三元素を添加し、コンタクト抵抗率の低減を達成した。第三元素の選定方法は平成5年度の結果から、金属と半導体界面近くのGaAs内にGaの空孔を形成し、その空孔にGeが拡散しやすい微量の第三元素を選定し、このIndirect dopant(Pd,Pt)がコンタクト抵抗率低減に非常に有効であることをあきらかにした。またDirect dopant(Sn,Te)添加により、熱安定性に優れた低抵抗コンタクトを開発した。15EA03:2.NiGe系コンタクトのコンタクト抵抗温度依存性を調べることにより、電気伝導機構は、GaAs、再成長GaAs界面で支配されていることを明らかにした。

本年度は近年当研究室で初めてn型GaAsに対してオーム性が確認された高融点金属間化合物の機能性コンタクト材としての適用性の基礎研究を進めた。金属間化合物コンタクト材は、GaAs基板への拡散が浅く、耐熱性が優れ、コンタクト材表面は平坦であり、コンタクト抵抗値の低減のみが達成されればVLSIデバイス適用条件をすべて満足する。従って本研究は金属間化合物コンタクト材と半導体界面の電気伝導機構を明らかにし、良質の電気特性を得ることを目的とした。本年度の成果は以下の通りである。1.NiGeコンタクト材に微量の第三元素を添加し、コンタクト抵抗率の低減を達成した。第三元素の選定方法は平成5年度の結果から、金属と半導体界面近くのGaAs内にGaの空孔を形成し、その空孔にGeが拡散しやすい微量の第三元素を選定し、このIndirect dopant(Pd,Pt)がコンタクト抵抗率低減に非常に有効であることをあきらかにした。またDirect dopant(Sn,Te)添加により、熱安定性に優れた低抵抗コンタクトを開発した。15EA03:2.NiGe系コンタクトのコンタクト抵抗温度依存性を調べることにより、電気伝導機構は、GaAs、再成長GaAs界面で支配されていることを明らかにした。