金属／化合物半導体界面における電気特性及び微細構造に関する研究

金属/化合物半导体界面电学性能及微观结构研究

• 批准号: 07650373
• 负责人: 奥 健夫
• 金额: $ 1.22万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 1996
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07650373/
• 关键词: 金属間化合物; 薄膜; 機能材料; 電子材料

本年度は近年当研究室で初めてn型GaAsに対してオーム性が確認された高融点金属間化合物の機能性コンタクト材としての適用性の基礎研究を進めた。金属間化合物コンタクト材は、GaAs基板への拡散が浅く、耐熱性が優れ、コンタクト材表面は平坦であり、コンタクト抵抗値の低減のみが達成されればVLSIデバイス適用条件をすべて満足する。従って本研究は金属間化合物コンタクト材と半導体界面の電気伝導機構を明らかにし、良質の電気特性を得ることを目的とした。本年度の成果は以下の通りである。1.NiGeコンタクト材に微量の第三元素を添加し、コンタクト抵抗率の低減を達成した。第三元素の選定方法は平成5年度の結果から、金属と半導体界面近くのGaAs内にGaの空孔を形成し、その空孔にGeが拡散しやすい微量の第三元素を選定し、このIndirect dopant(Pd,Pt)がコンタクト抵抗率低減に非常に有効であることをあきらかにした。またDirect dopant(Sn,Te)添加により、熱安定性に優れた低抵抗コンタクトを開発した。15EA03:2.NiGe系コンタクトのコンタクト抵抗温度依存性を調べることにより、電気伝導機構は、GaAs、再成長GaAs界面で支配されていることを明らかにした。

This year, the basic research on the applicability of functional materials for high melting point intermetallic compounds has been carried out in recent years. Intermetallic compound materials, GaAs substrate dispersion is shallow, heat resistance is excellent, the surface of the material is flat, the resistance of the material is low, and the suitable conditions for VLSI are sufficient. The purpose of this study is to understand the electrical conduction mechanism between intermetallic compounds and semiconductors and to obtain good electrical characteristics. The results of this year are as follows: 1. The third element of NiGe alloy is added to reduce the resistance of NiGe alloy. The method of selecting the third element is based on the results obtained in the past five years. The metal and semiconductor interface is close to the GaAs. The Ga voids are formed. The Ge voids are dispersed. The third element is selected in trace amounts. The Indirect dopant(Pd,Pt) is very low in resistivity. Direct dopant(Sn,Te) addition, thermal stability, low resistance and development. 15EA03:2. NiGe system temperature dependence of resistance, electrical conduction mechanism, GaAs, regrown GaAs interface control

项目成果

T. Oku: "Development of refractory NiGe-based Ohmic contacts to n-type GaAs" Inst. Phys. Conf. Ser.141. 721-726 (1995)

T. Oku：“开发基于 NiGe 的难熔欧姆接触到 n 型 GaAs”Inst。

T. Oku: "Themal stability of WN_x and TaN_x diffusion barriers between Si and Cu" Proc. IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference. 12. 182-185 (1995)

T. Oku：“Si 和 Cu 之间 WN_x 和 TaN_x 扩散势垒的热稳定性”Proc。

M. Murakami: "Development of Ohmic contacts for compound semiconductors" Proc. Int. Conf. Solid State and Integrated-Circut Technology. 4. 374-378 (1995)

M. Murakami：“化合物半导体欧姆接触的开发”Proc。