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Materialsysteme für Metallisierung und Barrieren

用于金属化和屏障的材料系统

基本信息

批准号：
5272444
负责人：
Professor Dr. Stan Veprek
金额：
--
依托单位：
Fakultät für Chemie
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Units
财政年份：
2000
资助国家：
德国
起止时间：
1999-12-31 至 2004-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5272444?language=en
关键词：
Materialsysteme Metallisierung und Barrieren

项目摘要

Im vorliegenden Teilprojekt sollen neue Materialsysteme für die Metallisierung entwickelt und untersucht werden. Bei den Dielektrika liegt das Ziel in der Erarbeitung einer geeigneten Präparationstechnik für die Darstellung dünner dielektrischer Schichten mit einem niedrigen bzw. nach Bedarf einstellbaren (für die Impedanzanpassung) 'tunable' e. Hierfür sollen substituierte Silsesquioxane Rn(SiO1.5)n mit gezielt gesteuerter Raumfüllung und Verknüpfung der Molekülbaueinheiten mittels spin coating und Polymerisation zu einem stabilen dreidimensionalen Netzwerk verknüpft werden. Als Alternativen werden 'branched Silsesquioxane', nanokristalline Zeolite und nanoporöses Siliciumdioxid untersucht. Die Abscheidung von Siliciden aus organometallischen Precursoren soll durch ein neues Konzept selektiv auf Leiter / Nichtleiter erreicht werden. Für die Abscheidung von Silber wird die organometallic chemical vapor deposition als Alternative zum Sputterprozeß entwickelt. Für die Herstellung ultra-schmaler Dotierschichten soll eine modifizierte Plasmadotierung untersucht und im Erfolgsfall entwickelt werden. Hierzu wird ein dichtes Plasma mit einer niedrigen 'Eigenvorspannung' mit einer hohen Frequenz von 80 MHz erzeugt und die Energie der auf die Si-Scheibe eintreffenden Ionen durch angelegte 13.56 MHz kontrolliert werden.

我的Teilprojekt sollen neue Materialsysteme for die Metallisierung entwickelt und untersucht werden。在此情况下，Dielektrika 是在 der Erarbeitung einer geeigneten Präparationstechnik for die Darstellung dünner dielektrischer Schichten mit einem niedrigen bzw 中使用的。 nach Bedarf einstellbaren (für die Impedanzanpassung) '可调' e。 Hierfür sollen substituierte Silsesquioxane Rn(SiO1.5)n mit gezielt gesteuerter gezielt gesteuerter Raumfüllung der Molekülbaueinheiten mittels spincoating and Polymerization zu einem stabledreiDimensionen Netzwerk verknüpft werden.还可以选择“支链硅倍半氧烷”、纳米晶体沸石和纳米多孔二氧化硅等。有机金属前体硅化物的吸收是在新的选择中进行的。金属有机化学气相沉积是溅射技术的替代方案。 Für die Herstellung ultra-schmaler Dotierschichten soll eine modifizierte Plasmadotierung untersucht und im Erfolgsfall entwickelt werden. Hierzu wird ein dichtes Plasma mit einer niedrigen 'Eigenvorspannung' mit einer hohen Frequenz von 80 MHz erzeugt und die Energie der auf die Si-Scheibe eintreffenden Ionen durchangelegte 13.56 MHz kontrolliert werden.