Materialsysteme für Metallisierung und Barrieren

我是索伦新材料系统和新材料的供应商。Bei den Dielektrika liegt das Ziel in der Erarbeitung einer geeigneten Präparationk für die Darstellung dünner dielektrischer Schichten MIT einem niedrigen bzw.nach Bedarf einstellbaren(für die Impeanzanpassung)‘Tablable’e.Hierfür Sollen Reererte te ferte te the Silessiquixane Rn(SiO1.5)n MIT gezielt gesteuerter Raumfülrunund and Verknüpfung der Molek laueheiten Molek laueheiten Molefinten Molek laueheiten Molnder Molek laueheiten mfitels and Verknüpunder Molek laueheiten Molek laueheiten Molek baueheiten Molek phinheiten Molek laueheiten Molefinsim此外，还有支化倍半硅氧烷、纳米晶沸石和纳米二氧化硅。在新的条件下，有机金属的存在是不可能的，因为它们都是错误的。Für die Abscheidung von Silber Wird De有机金属化学气相沉积也可替代Zum Sputterprozeüentwickelt。我们不会因此而改变他们的生活质量。在此基础上，我们得到了80 MHz的频率和能量，以便在13.56 MHz的频率范围内工作。

Im vorliegenden Teilprojekt sollen neue Materialsysteme für die Metallisierung entwickelt und untersucht werden. Bei den Dielektrika liegt das Ziel in der Erarbeitung einer geeigneten Präparationstechnik für die Darstellung dünner dielektrischer Schichten mit einem niedrigen bzw. nach Bedarf einstellbaren (für die Impedanzanpassung) 'tunable' e. Hierfür sollen substituierte Silsesquioxane Rn(SiO1.5)n mit gezielt gesteuerter Raumfüllung und Verknüpfung der Molekülbaueinheiten mittels spin coating und Polymerisation zu einem stabilen dreidimensionalen Netzwerk verknüpft werden. Als Alternativen werden 'branched Silsesquioxane', nanokristalline Zeolite und nanoporöses Siliciumdioxid untersucht. Die Abscheidung von Siliciden aus organometallischen Precursoren soll durch ein neues Konzept selektiv auf Leiter / Nichtleiter erreicht werden. Für die Abscheidung von Silber wird die organometallic chemical vapor deposition als Alternative zum Sputterprozeß entwickelt. Für die Herstellung ultra-schmaler Dotierschichten soll eine modifizierte Plasmadotierung untersucht und im Erfolgsfall entwickelt werden. Hierzu wird ein dichtes Plasma mit einer niedrigen 'Eigenvorspannung' mit einer hohen Frequenz von 80 MHz erzeugt und die Energie der auf die Si-Scheibe eintreffenden Ionen durch angelegte 13.56 MHz kontrolliert werden.