Photoelectron spectroscopy of the valence regime of semi-conductor surfaces taking into account the screening of the exciting light by the solid state

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Die Analyse von Photoemissionsspektren, als Standardmittel zur Untersuchung der elektronischen Struktur im Impulsraum, ist auf detaillierte theoretische Intensitätsaussagen angewiesen, da die rein energetische Identifizierung von z.T. weniger ausgeprägten Maxima über Erhaltungssätze erstens prinzipiell nicht korrekt und zweitens unzuverlässig ist. Der Vergleich von theoretischen und experimentellen Spektren weist bei Halbleitern u.a. noch große Unterschiede auf, obwohl die numerische Berechnung auf aktuellen ab-initio Programmen beruht. Ursachen sind in Veilteilcheneffekten zu finden. Insbesondere tritt die in diesem Projekt zu untersuchende Abschirmung des anregenden Lichts durch die Festkörperoberfläche hervor. In der Nähe der Plasmafrequenz, d.h. in dem für die Bandstruktur-Untersuchungen wesentlichen Bereich von Photonenenergien, werden zu dem langwelligen auf atomarer Skala konstanten Licht nicht vernachlässigbare kurzwellige Komponenten induziert, deren Skala sich mit der Ausdehnung der Orbitale vergleicht und die sich damit stark an dem Photoübergang beteiligen können.