Theoretische Analyse der elektronischen und geometrischen Struktur von Festkörpergrenzflächen und die Bedeutung für Präparation und Wachstum von geschichteten Systemen

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Vom epitaktischen Wachstum bis zur Präparation durch chemische Festkörperreaktionen entstehen geordnete Systeme über ungeordnete Zwischenstadien. Die Kontrolle der Präparationsmethoden ist auf geometrisch-strukturelle wie elektronisch-spektroskopische Untersuchungsmethoden angewiesen. In diesem Teilprojekt steht die theoretische Bestimmung der elektronischen Struktur bis hin zur Berechnung spektroskopischer Daten für fehlgeordnete Schichtstrukturen im Vordergrund. Innerhalb der geplanten Forschergruppe basiert sie auf der geometrischen Analyse der präparierten Systeme und ist für das Verständnis der Stabilität, des Wachstums, der Bindungsverhältnisse und vielen weiteren auf der elektronischen Struktur beruhenden Eigenschaften des Festkörpers ein wesentlicher Faktor. Bezüglich der theoretisch-methodischen Zielsetzung wird durch die geplante Berechnung der Photoelektronenspektren im Einstufenmodell eine Entwicklung begonnen, die ihr zentrales Ergebnis in der Ausarbeitung eines numerischen Codes für endliche Systeme, wie Cluster, einerseits und daraus vielfältig zusammensetzbaren gestörten ausgedehnten Systemen andererseits im Bereich der Vakuumultraviolett-Spektroskopie finden soll. Als oberflächenempfindliche Methode, die allerdings in der Vergangenheit vielfach ihre Fähigkeit, auch Volumeneigenschaften zu detektieren, bewiesen hat, muß ihre Eignung bei der Untersuchung gestörter bis fehlgeordneter Systeme erprobt werden.