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金属/絶縁体多層膜の軟X線吸収

金属/绝缘体多层膜的软X射线吸收

基本信息

批准号：
07740240
负责人：
江島丈雄
金额：
$ 0.64万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07740240/
关键词：
多層膜内殻吸収スペクトル全電子収量法量子井戸

项目摘要

マグネトロンスパッタ装置を用いて、Cu/SiO2, Cu/BNの2種類の組み合わせについて、それぞれ膜厚を変化させた多層膜を作成し、分子研UV-SOR施設BL7Aにおいて、Cu/L吸収の内殻吸収測定(全電子収量法)を行った。これらの測定の結果、Cuにおける新しい準位による構造を見出さなかった。この原因は、成膜時におけるCuの酸化の影響とBL7Aおける分解能が不足しているため、と考えられる。次の実験では、分解能の不足を補うためUV-SORのBL8b1を用い、ビームラインのエネルギー範囲に合わせてSi/LiFの組み合わせを選んだ。前回同様膜厚をかえて多層膜を作成し、内殻吸収測定を行った。その結果、この系のSi-L吸収スペクトルは、単結晶のものとは異なった形状を示し、そのスペクトル形状には角度依存性(異方性)が見られたが、膜厚依存性は観測されなかった。従って、この新しく見出された構造は、量子井戸状態によるものではないと考えられる。以上3つの系が多層膜を形成しているのをX線回折計を用いて確認してあるが、量子井戸状態を形成していない理由は、個々の層の膜質の均一性の欠如や層間の界面における急峻性の欠如による、と考えられる。特にSi-L吸収スペクトル形状が、多孔質Siの1種と形状が類似しており、膜質の均一性に対する問題を提起している。その解決策としては、エピタキシャル成長することが知られているSi/CaF2多層膜を用いることで、膜質の結晶性を良くすることが可能であると思われる。

The preparation of multilayer films with different film thickness, application of Cu/SiO2 and Cu/BN, molecular research UV-SOR application BL7A, measurement of Cu/L absorption and inner shell absorption (total electron absorption method) were performed. The results of these measurements show that the structure of Cu is new and accurate. The reason for this is that the film formation process is affected by the acidification of Cu. The decomposition energy of BL7A is insufficient. In addition, the decomposition energy is insufficient to compensate for the use of UV-SOR BL8b1, and the combination of Si/LiF is selected. The thickness of the film is the same as that of the multilayer film, and the absorption of the inner shell is measured. As a result, the Si-L absorption of the system is different from the shape of the crystal. The angle dependence of the crystal shape is different from the thickness dependence of the film. The structure of quantum wells is different from that of quantum wells. The above three systems are used to confirm the reasons for the formation of multilayer films and the uniformity of the film quality of each layer, such as the interface between layers. In particular, the Si-L absorption pattern, the similarity of porous Si patterns, and the uniformity of the film quality have been raised. Si/CaF2 multilayer films have good crystallinity, and their properties can be improved.