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エピタキシャル成長膜による軟X線光学素子の試作

使用外延生长膜进行软 X 射线光学元件的原型制作

基本信息

批准号：
09750047
负责人：
江島丈雄
金额：
$ 1.34万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至 1998
项目状态：
已结题

项目摘要

100eV以上のエネルギーを持つ光を反射する軟X線多層膜は、その作製が困難であり、その理由として、(i)多層膜を形成する2物質間に混合層が存在する、(ii)層の厚さを正確にコントロールすることが難しい、という2点が挙げられる。本研究では、この困難をエピタキシャル成長膜を使うことにより、この2つの問題を避け、最終的に100eV以上のエネルギーを持つ光を反射できるような軟X線多層膜の製作技術の確立を目的とした。目的を達成するため、初年度は多層膜の振動によるRHEEDの強度振動を観測するための装置を作製した。動作確認を行ったところ、CaF_2の成長に伴った強度振動が観測され、強度振動をモニタすることにより膜厚のコントロールが可能となった。今年度は、エピタキシャル成長条件を満たす物質対としてSi/CaF_2を選び多層膜を、実際に多層膜の作製を行った。多層膜の作製にあたって、反射率の計算の基礎となる光学定数を求めるため、分子科学研究所UV-SOR施設においてSi/CaF_2多層膜の反射率測定とTotal Electron Yield測定を行った。その結果は、平成10年8月にサンフランシスコで開催された「第12回真空紫外物理学国際会議」において発表した。実際に作成したSi/CaF_2多層膜の反射率測定を行った。Si 119Å/CaF_2 45Åの多層膜で299Åの波長の光に対し、計算では22%の反射率が得られるはずであったが、実際は2%程度の反射率しか得られなかった。現在、その原因を解明中であるが、Si/CaF_2/Si(111)多層膜とCaF_2/Si/CaF_2/Si(111)多層膜のTotal Electron Yieldスペクトル形状が互いによく似ていることから、CaF_2上にSiを積んでいったときにCaF_2ないしはCa化合物がSi層を通じて析出しており、多層構造が形成されていないのではないか、と考えている。

Soft There is a mixed layer between two substances, and the thickness of the (ii) layer is correct, and it is difficult to form a mixed layer. In this study, the difficulty of the growth film was solved, and the problems of the growth film were avoided, and the final problem was 1 The aim is to establish the production technology of soft X-ray multi-layer films that hold and reflect light above 00eV. The purpose is to achieve the purpose of achieving the first year of multi-layer film vibration and RHEED intensity vibration measurement equipment. Action Confirmation Line, CaF_2's Growth and Intensity Vibration Measurement , intensity vibration をモニタすることにより film thickness のコントロールがpossible となった. This year's は, エピタキシャル growth conditions を満たす material 対として Si/CaF_2 を selected び multilayer film を, 実记にmultilayer film の行った. Manufacturing of multilayer films, Basic calculation of reflectivity, Optical fixed number calculation, UV-SOR facility of Institute of Molecular Science, Reflectivity measurement of Si/CaF_2 multilayer films, Total Electron Yield measures を行った. The result of the event was the "12th International Conference on Vacuum Ultraviolet Physics" held in August 2010. The reflectivity measurement of the Si/CaF_2 multilayer film produced by the company was carried out. Si 119Å/CaF_2 The 45Å multi-layer film has a wavelength of 299Å and a calculated reflectivity of 22%. It has a reflectivity of about 2% and has a reflectivity of 2%. Now, the cause of the problem is explained by Ming Naka, Si/CaF_2/Si(111) multilayer film and CaF_2/Si/CaF_2/Si(111) multilayer film of Total Electron YieldスペクトルShapeが Mutual mutual いによくsimilar ていることから、CaF_2上にSiを集んでいったときにCaF_2 The Ca compound is separated into the Si layer, and the multi-layer structure is formed into the Si layer.