新規な発光層材料を用いる強誘電体絶縁形インテリジェント薄膜デバイスの研究
采用新型发射层材料的铁电绝缘智能薄膜器件研究
基本信息
- 批准号:07750061
- 负责人:
- 金额:$ 0.64万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:1995
- 资助国家:日本
- 起止时间:1995 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本年度の研究成果(1)優れたEL特性を実現するための発光層用酸化物蛍光体薄膜として、新規な発光層材料であるZnGa_2O_4:Mn薄膜の高周波マグネトロンスパッタ法による作製を試み、成膜温度、ガス圧、反応ガスの種類等を詳細に検討した結果、最適スパッタ成膜条件を確立できた。最適スパッタ成膜条件:成膜温度:275℃、ガス圧:1.2Pa、 反応ガス:純アルゴンガス上記のスパッタ成膜条件の下で作製したZnGa_2O_4:Mn薄膜を発光層に用いる強誘電体絶縁形薄膜EL素子を作製し、700cd/m^2以上の高輝度緑色発光を実現できた。また本素子の緑色発光の色純度は極めて高く、実用レベルのフルカラーディスプレイの実現に対して十分な性能を持っている。(2)強誘電体BaTiO_3セラミックスのメモリー特性を利用して、発光層としてZnS:Mn薄膜を用いる同様の構造の素子において電気的パルスで情報を書き込み、光として情報を取り出すことのできる電気-光論理演算機能を持つ薄膜デバイスを実現できた。(3)作製したZnGa_2O_4:Mn薄膜EL素子をパッシベーションなしで駆動した結果、2000時間以上に渡り安定に発光し続け、現在も経時特性を継続して評価中である。したがって、ZnGa_2O_4:Mn薄膜等の酸化物蛍光体薄膜は、極めて安定に動作可能な発光層材料であることを明らかにできた。ディスプレイ
The research results of this year (1) The excellent EL characteristics of the acid phosphor thin film for the light-emitting layer have been realized. The preparation of the ZnGa_2O_4:Mn thin film for the high-frequency generation of the light-emitting layer material has been tested. The film formation temperature, temperature, and type of the film have been discussed in detail. The optimum film formation conditions have been established. The optimum conditions for the formation of ZnGa_2O_4:Mn thin films are as follows: temperature:275℃, temperature: 1.2 Pa, reaction temperature: pure ZnGa_2O_4:Mn thin films. The color purity of the green light of the pigment is extremely high, and the color of the pigment is extremely high. (2)The strong dielectric BaTiO_3 thin film has the same structure as that of ZnS:Mn thin film, and the information of the strong dielectric BaTiO_3 thin film has the same structure as that of ZnS:Mn thin film. The information of the strong dielectric BaTiO_3 thin film has the same structure as that of ZnS: Mn thin film. (3)ZnGa_2O_4:Mn thin film EL element prepared by this method has been evaluated for its stability and stability over 2000 hours. The optical thin film of acid compound such as ZnGa_2O_4:Mn thin film is extremely stable and may act as an optical layer material.ディスプレイ
项目成果
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专著数量(0)
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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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