半導体面型光偏向素子に関する基礎研究

半导体平面光偏转元件的基础研究

基本信息

  • 批准号:
    07750367
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.64万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1995
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1995 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究は半導体材料を用いた面型光偏向素子を試作することを目的として、この素子の設計指針と材料作製技術に関する研究を行った。本研究において提案する光偏向器は半導体のような印加電圧などにより屈折率を変化させることのできる材料が並んでいる。光を偏向させるときには、この部分に階段状の屈折率分布を与え、光を入射させると、入射方向に垂直な方向に屈折率差のあるところで光は反射され、全体として位相の合う方向に偏向されるものである。この屈折率分布を電気的に制御し、光の偏向状態を変化させ、また屈折率分布を縦横メッシュ状に作製することにより面内において自由に光の偏向を行おうというものである。今回この素子の設計指針を得るために、特性の構造依存性、材料依存性を数値計算により明らかにした。従来、光の伝搬問題にはフーリエ変換を用いたビーム伝搬法(FFT-BPM)が良く用いられていたが伝搬方向に垂直な方向(x方向)のサンプリング間隔を光の波長の半分より大きくしなければならないという制限がある。そこでこの制限を回避して解析を行う方法の一つとしてフレネル方程式を差分式を用いて解く方法(FD-BPM)があるが、今回の解析ではこれにさらにクランクニコルソン法を組み合わせて用いた。この方法だとx方向のサンプリング間隔を小さくできるだけでなく、さらにFFT-BPMに比べて計算時間の短縮もはかれる。我々は後で述べるようにこの差分式より得られる3項方程式を前進法と更新法によって解いている。この方法を用いると逆行列を求める必要が無くなるので計算時間の短縮がさらに可能になる。この解析より得られた設計指針は以下の通りである。(1)ミラーの間隔sは小さいほど良く、できる限り0に近い値がよい。(2)本数Nが多いほど、みたミラー全体の幅Wが広いほど偏向効率hは高くなる。しかし偏向角qはその逆で小さくなる。偏向角qと偏向効率hにはトレードオフの関係がある。(3)屈折率変化Dnが1%、ミラーの長さLが100mmにおける最適構造は、本数Nが4本、ミラーの幅wが1.6mm、間隔sが0mmであり、このとき偏向角q、偏向効率hはそれぞれ6.5_-、84%となった。またS/N比は-11.6dB、ビーム幅は8.2mmであった。(4)ミラーの長さLが長くなると偏向角qは大きくなり、約100mm程度で飽和する。一方偏向効率hはほとんど変化がなかった。(5)屈折率変化Dnを変えることにより、偏向効率hを高いレベルに保ちながら偏向角qを任意に制御できることがわかった。
This paper studies the application of semiconductor materials in the optical deflection element design. In this study, we propose that optical deflectors be composed of semiconductor materials with high refractive index. The refractive index distribution of light in the vertical direction is different from that of light in the vertical direction. The distribution of refractive index is controlled by electricity, the deflection state of light is changed, and the distribution of refractive index is controlled by horizontal deflection state. Now, the design index of the element is obtained, the structural dependence of the characteristic, the numerical value calculation of the material dependence are obtained. The FFT-BPM method (FFT-BPM) is used to solve the problem of transmission of light and light. The FFT-BPM method is used to solve the problem of transmission of light The analysis of this problem is based on FD-BPM (Differential Solution Method), which is a combination of FD-BPM and FD-BPM. This method reduces the calculation time of FFT-BPM by reducing the separation time in x direction. As I will describe later, this difference formula yields a three-term equation that can be solved by the forward method and the update method. This method is used to calculate the inverse matrix. It is necessary to shorten the calculation time. The analysis of the design pointer is as follows: (1)The interval between the two is small, medium and good, medium and close. (2)This number N is more than one, and the whole range W is more than one, and the deviation rate h is higher. The angle of deviation q is opposite to the angle of deviation q. There is a relationship between the deflection angle q and the deflection efficiency h. (3)The optimal structure for the refractive index change Dn = 1% and the length L of the beam = 100mm is: the number of elements N = 4, the width w of the beam = 1.6 mm, the spacing s = 0mm, the deflection angle q and the deflection efficiency h are 6.5_-and 84%. S/N ratio is-11.6dB and amplitude is 8.2mm. (4)The angle of deviation q is about 100mm and saturated. A party's bias rate h (5)Deflexion rate Dn

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T. Sakai: ""Fabrication of optically-controlled field-effect transistor using direct wafer bonding technique,"" Tech. Dig. 100C-95. 4. 30-31 (1995)
T. Sakai:“使用直接晶圆键合技术制造光控场效应晶体管”,Tech。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K. Funamoto: ""New type of optically controlled FET operating at 1.55μm,"" Tech. Dig. CLEO'95. 15. 180 (1995)
K. Funamoto:“新型光学控制 FET 在 1.55μm 下运行”,Tech. CLEO95。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M. Arai: ""Formation of GalnAsP/InP microscopic waveguide using mesa-etching and electrochemical anodization,"" Tech. Dig. Semiconductor Laser Symposium. 13. 15 (1996)
M. Arai:“使用台面蚀刻和电化学阳极氧化形成 GalnAsP/InP 微观波导”,Tech。
  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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