半導体面型光偏向素子に関する基礎研究
半導体面型光偏向素子に関する基礎研究
批准号:
07750367
负责人:
下村 和彦
金额:
$0.64万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1995
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1995 至 --
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英文摘要
本研究は半導体材料を用いた面型光偏向素子を試作することを目的として、この素子の設計指針と材料作製技術に関する研究を行った。本研究において提案する光偏向器は半導体のような印加電圧などにより屈折率を変化させることのできる材料が並んでいる。光を偏向させるときには、この部分に階段状の屈折率分布を与え、光を入射させると、入射方向に垂直な方向に屈折率差のあるところで光は反射され、全体として位相の合う方向に偏向されるものである。この屈折率分布を電気的に制御し、光の偏向状態を変化させ、また屈折率分布を縦横メッシュ状に作製することにより面内において自由に光の偏向を行おうというものである。今回この素子の設計指針を得るために、特性の構造依存性、材料依存性を数値計算により明らかにした。従来、光の伝搬問題にはフーリエ変換を用いたビーム伝搬法(FFT-BPM)が良く用いられていたが伝搬方向に垂直な方向(x方向)のサンプリング間隔を光の波長の半分より大きくしなければならないという制限がある。そこでこの制限を回避して解析を行う方法の一つとしてフレネル方程式を差分式を用いて解く方法(FD-BPM)があるが、今回の解析ではこれにさらにクランクニコルソン法を組み合わせて用いた。この方法だとx方向のサンプリング間隔を小さくできるだけでなく、さらにFFT-BPMに比べて計算時間の短縮もはかれる。我々は後で述べるようにこの差分式より得られる3項方程式を前進法と更新法によって解いている。この方法を用いると逆行列を求める必要が無くなるので計算時間の短縮がさらに可能になる。この解析より得られた設計指針は以下の通りである。(1)ミラーの間隔sは小さいほど良く、できる限り0に近い値がよい。(2)本数Nが多いほど、みたミラー全体の幅Wが広いほど偏向効率hは高くなる。しかし偏向角qはその逆で小さくなる。偏向角qと偏向効率hにはトレードオフの関係がある。(3)屈折率変化Dnが1%、ミラーの長さLが100mmにおける最適構造は、本数Nが4本、ミラーの幅wが1.6mm、間隔sが0mmであり、このとき偏向角q、偏向効率hはそれぞれ6.5_-、84%となった。またS/N比は-11.6dB、ビーム幅は8.2mmであった。(4)ミラーの長さLが長くなると偏向角qは大きくなり、約100mm程度で飽和する。一方偏向効率hはほとんど変化がなかった。(5)屈折率変化Dnを変えることにより、偏向効率hを高いレベルに保ちながら偏向角qを任意に制御できることがわかった。
期刊论文(3)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
T. Sakai: ""Fabrication of optically-controlled field-effect transistor using direct wafer bonding technique,"" Tech. Dig. 100C-95. 4. 30-31 (1995)
T. Sakai:“使用直接晶圆键合技术制造光控场效应晶体管”,Tech。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K. Funamoto: ""New type of optically controlled FET operating at 1.55μm,"" Tech. Dig. CLEO'95. 15. 180 (1995)
K. Funamoto:“新型光学控制 FET 在 1.55μm 下运行”,Tech. CLEO95。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M. Arai: ""Formation of GalnAsP/InP microscopic waveguide using mesa-etching and electrochemical anodization,"" Tech. Dig. Semiconductor Laser Symposium. 13. 15 (1996)
M. Arai:“使用台面蚀刻和电化学阳极氧化形成 GalnAsP/InP 微观波导”,Tech。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
ハイブリッドシリコン集積回路による光通信用送信サブシステム構築に関する研究
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批准号:21K04199
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.66万
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财政年份:2021
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负责人:下村 和彦
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依托单位:
半導体光偏向器の波長分割光スイッチへの応用に関する研究
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批准号:13026223
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$22.91万
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财政年份:2001
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负责人:下村 和彦
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依托单位:
低次元量子井戸構造を用いた超並列光導波路の作製と全光交換器への応用に関する研究
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批准号:12750280
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.9万
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财政年份:2000
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负责人:下村 和彦
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依托单位:
自己組織化低次元量子井戸構造の作製と波長変換素子への応用に関する研究
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批准号:09750362
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1997
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负责人:下村 和彦
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依托单位:
半導体量子井戸構造への横電界印加による光スイッチ・変調器の基礎的研究
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批准号:04750377
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1992
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负责人:下村 和彦
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依托单位:
半導体量子井戸構造を用いる光スイッチ・変調器に関する研究
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批准号:02952147
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (Research Fellowship)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1990
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负责人:下村 和彦
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依托单位:
海外基金