自己組織化低次元量子井戸構造の作製と波長変換素子への応用に関する研究

自组织低维量子阱结构的制备及其在波长转换器件中的应用研究

基本信息

  • 批准号:
    09750362
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1997
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1997 至 1998
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究は、次世代光ファイバー通信網システムにおいて期待される高密度波長分割多重方式を実現するための周波数変換器として、半導体レーザ増幅器の四光波混合による波長変換素子、また光交換用光スイッチを実現するための研究を行った。理論的な検討として、低次元量子井戸構造内における非線形感受率χ^<(3)>を密度行列理論を用いて数値計算を行い、量子構造の次元を低減化することによってこの非線形感受率χ^<(3)>が大幅に増大することが可能なことを見いだした。具体的には通常の量子薄膜構造に比べて量子ドット構造では約10倍の非線形感受率χ^<(3)>が期待できる。こうした魅力のある半導体材料の作製として、有機金属気相成長法による自己組織化量子ドット構造の作製を試みた。基板には光通信システムで用いられている多くの光デバイスと集積化が可能なInP基板を用い、その基板上にInAs量子ドットの成長を行った。そして平均直径56nm、標準偏差8nmの量子ドット構造を得た。また同一基板上に異なる役割を担う光デバイスを集積化するための技術として有機金属気相成長法による選択成長技術の開発を行った。そして実際に同一基板内におけるバンド端制御を確認し、さらにこの技術を用いた光デバイスとして光の進路を空間内において自由に偏向することができる光スイッチ素子への応用を提案し、これを実現するための数値解析及びその基礎的実験を行い、偏向角7度程度が期待できることを明らかにした。
In this study, the next-generation optical communication systems are looking forward to the realization of high-density wavelength division in multiple ways to improve the performance of high-density wave number spectrometers, semi-bulk optical framers, four-wave hybrid optical waves, optical communication, and optical communication. Theoretical theoretical and low-dimensional quantum wells are constructed in terms of non-linear sensitivity χ ^ & lt; (3) & gt; density row and column theory using numerical calculations to calculate the number of lines and quantums. it is possible that the non-linear sensitivity χ ^ & lt; (3) & gt; may be very large. The fabrication of specific quantum thin films is about 10 times higher than that of quantum thin films. χ ^ & lt; (3) & gt; looks forward to it. In order to improve the charm, the semi-metallic materials are used as the equipment, and the organic metal phase growth method is used to make the quantum mechanical equipment to make the experiment. On the substrate, the optical communication system is used to improve the performance of the InP substrate. it is possible to use the InAs substrates on the substrates and to grow the InAs quantum sensors on the substrates. The average diameter is 56nm, the standard deviation is 8nm, and the standard deviation is small. On the same substrate, you can choose to grow up and start a business in the field of advanced technology. On the same substrate, the customer end controls the confirmation and the use of fluorescent light in the optical technology. in the space, there is a bias towards the application proposal, the analysis of the cost data and the analysis of the cost of the equipment. The deviation angle is 7 degrees. I'm looking forward to it.

项目成果

期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Yamagata,Y.Nitta,and K.Shimomura,: "“Gate length dependence of optical characteristics in optically controlled MOSFET,"" Japanese J.Apply.Phys.(掲載予定). (1999)
T.Yamagata、Y.Nitta 和 K.Shimomura,“光控 MOSFET 中光学特性的栅极长度依赖性”,日本 J.Apply.Phys.(待出版)。(1999 年)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Sakai, Y.Takesue and K.Shimomura: "High On/Off ratio (12dB) and responsivity (300A/W) in integrated optically controlled HEMT." 2nd Optoelectronics and Communication Conference. 10C2-5. (1997)
T.Sakai、Y.Takesue 和 K.Shimomura:“集成光控 HEMT 中的高开/关比 (12dB) 和响应度 (300A/W)。”
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Yamagata and K.Shimomura: "High responsivity in integrated optically controlled Metal-Oxide Semiconductor field-effect transistor using directly bonded SiO2-InP" IEEE Photon.Tech.Lett.9・8. 1143-1145 (1997)
T. Yamagata 和 K. Shimomura:“使用直接键合 SiO2-InP 的集成光控金属氧化物半导体场效应晶体管的高响应度”IEEE Photon.Tech.Lett.9・8 (1997)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
ラタポン・サットルサヤエン,新田雄一,下村和彦,: "「GaInAs/InP多重量子井戸構造屈折率分布型光偏向素子の解析と試作」," 電子情報通信学会論文誌C-I. 2月号掲載予定. (1999)
Rattaporn Sattrusayaen、Yuichi Nitta、Kazuhiko Shimomura:“GaInAs/InP 多量子阱结构分级折射率光学偏转元件的分析和原型制作”,IEICE Transactions C-I 计划于 2 月出版(1999 年)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
R.Satrusajang,Y.Nitta,and K.Shimomura,: "“Steering characteristics of GaInAs/InP MQW comb type waveguide optical deflector,"" SPIE's International Symposium Optoelectronics '99,. 3630-25 (1999)
R. Satrusajang、Y. Nitta 和 K. Shimomura,“GaInAs/InP MQW 梳状波导光学偏转器的转向特性”,SPIE 国际光电电子研讨会 99, 3630-25 (1999)
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知道了