自己組織化低次元量子井戸構造の作製と波長変換素子への応用に関する研究
自己組織化低次元量子井戸構造の作製と波長変換素子への応用に関する研究
批准号:
09750362
负责人:
下村 和彦
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1997
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1997 至 1998
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英文摘要
本研究は、次世代光ファイバー通信網システムにおいて期待される高密度波長分割多重方式を実現するための周波数変換器として、半導体レーザ増幅器の四光波混合による波長変換素子、また光交換用光スイッチを実現するための研究を行った。理論的な検討として、低次元量子井戸構造内における非線形感受率χ^<(3)>を密度行列理論を用いて数値計算を行い、量子構造の次元を低減化することによってこの非線形感受率χ^<(3)>が大幅に増大することが可能なことを見いだした。具体的には通常の量子薄膜構造に比べて量子ドット構造では約10倍の非線形感受率χ^<(3)>が期待できる。こうした魅力のある半導体材料の作製として、有機金属気相成長法による自己組織化量子ドット構造の作製を試みた。基板には光通信システムで用いられている多くの光デバイスと集積化が可能なInP基板を用い、その基板上にInAs量子ドットの成長を行った。そして平均直径56nm、標準偏差8nmの量子ドット構造を得た。また同一基板上に異なる役割を担う光デバイスを集積化するための技術として有機金属気相成長法による選択成長技術の開発を行った。そして実際に同一基板内におけるバンド端制御を確認し、さらにこの技術を用いた光デバイスとして光の進路を空間内において自由に偏向することができる光スイッチ素子への応用を提案し、これを実現するための数値解析及びその基礎的実験を行い、偏向角7度程度が期待できることを明らかにした。
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T.Yamagata,Y.Nitta,and K.Shimomura,: "“Gate length dependence of optical characteristics in optically controlled MOSFET,"" Japanese J.Apply.Phys.(掲載予定). (1999)
T.Yamagata、Y.Nitta 和 K.Shimomura,“光控 MOSFET 中光学特性的栅极长度依赖性”,日本 J.Apply.Phys.(待出版)。(1999 年)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Sakai, Y.Takesue and K.Shimomura: "High On/Off ratio (12dB) and responsivity (300A/W) in integrated optically controlled HEMT." 2nd Optoelectronics and Communication Conference. 10C2-5. (1997)
T.Sakai、Y.Takesue 和 K.Shimomura:“集成光控 HEMT 中的高开/关比 (12dB) 和响应度 (300A/W)。”
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Yamagata and K.Shimomura: "High responsivity in integrated optically controlled Metal-Oxide Semiconductor field-effect transistor using directly bonded SiO2-InP" IEEE Photon.Tech.Lett.9・8. 1143-1145 (1997)
T. Yamagata 和 K. Shimomura:“使用直接键合 SiO2-InP 的集成光控金属氧化物半导体场效应晶体管的高响应度”IEEE Photon.Tech.Lett.9・8 (1997)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
ラタポン・サットルサヤエン,新田雄一,下村和彦,: "「GaInAs/InP多重量子井戸構造屈折率分布型光偏向素子の解析と試作」," 電子情報通信学会論文誌C-I. 2月号掲載予定. (1999)
Rattaporn Sattrusayaen、Yuichi Nitta、Kazuhiko Shimomura:“GaInAs/InP 多量子阱结构分级折射率光学偏转元件的分析和原型制作”,IEICE Transactions C-I 计划于 2 月出版(1999 年)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
R.Satrusajang,Y.Nitta,and K.Shimomura,: "“Steering characteristics of GaInAs/InP MQW comb type waveguide optical deflector,"" SPIE's International Symposium Optoelectronics '99,. 3630-25 (1999)
R. Satrusajang、Y. Nitta 和 K. Shimomura,“GaInAs/InP MQW 梳状波导光学偏转器的转向特性”,SPIE 国际光电电子研讨会 99, 3630-25 (1999)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 12 条
ハイブリッドシリコン集積回路による光通信用送信サブシステム構築に関する研究
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批准号:21K04199
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.66万
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财政年份:2021
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负责人:下村 和彦
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依托单位:
半導体光偏向器の波長分割光スイッチへの応用に関する研究
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批准号:13026223
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$22.91万
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财政年份:2001
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负责人:下村 和彦
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依托单位:
低次元量子井戸構造を用いた超並列光導波路の作製と全光交換器への応用に関する研究
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批准号:12750280
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.9万
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财政年份:2000
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负责人:下村 和彦
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依托单位:
半導体面型光偏向素子に関する基礎研究
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批准号:07750367
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1995
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负责人:下村 和彦
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依托单位:
半導体量子井戸構造への横電界印加による光スイッチ・変調器の基礎的研究
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批准号:04750377
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1992
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负责人:下村 和彦
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依托单位:
半導体量子井戸構造を用いる光スイッチ・変調器に関する研究
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批准号:02952147
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (Research Fellowship)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1990
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负责人:下村 和彦
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依托单位:
海外基金