半導体光偏向器の波長分割光スイッチへの応用に関する研究

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アレイ導波路領域の片側のみにワイドマスクを配置した非対称なマスクパターンを用いた、MOVPE選択成長により、GaInAs/InP MQW構造アレイ導波路を作製した。非対称マスクにより、アレイ導波路の層厚が線形的に変化し、アレイ導波路両端において約1.3%の屈折率差を持つ階段型屈折率分布アレイ導波路の作製に成功した。また光学的にもアレイ導波路のPL波長が1344nmから1469nmまで変化していることを確認した。この階段型屈折率分布アレイ導波路を波長分割光スイッチに応用するにあたり、初期実験として回折像-入射波長依存性の測定を行い、波長1520〜1580nm,マスク幅=200mmにおいて約4.4゜の回折角差を得た。このときの屈折率差の推定値は,約1.4%であった。この実験により,階段型屈折率分布アレイ導波路の空気中伝搬での角度分散を確認した。さらに屈折率分布アレイ導波路に集光構造をもつスラブ導波路を集積した波長分波器を作製した。各アレイ導波路がローランド円上に配置するようスラブ導波路を設計し、アレイ導波路の選択成長後、エッチングによりスラブ導波路を形成した。出射導波路が4本となる波長分波器により、波長1518nm、1543nm、1563nm、1588nmにおいて明確な独立したピークを得た。これより、波長分波器のスペクトラム周期(FSR)は約100nmと見積もられ、約25nm間隔で4波長の分波が確認された。