Kristallwachstum und Charakterisierung von neuen, metastabilen III-V Verbindungshalbleitern mit einer Bandlücke kleiner als 1.4 eV auf GaAs

在犹他州大学Sollen neuartige III-V Halbleiter Untersuht den，De MIT einer Bandlücke Kleiner ALS 1.4EV gitterangepa？t zu GaAsgewachsen Well den Knnnen，Ward Hrend des 6-monatigen Forschungsay fenthalts and der University of Utah Sollen neuartige III-V Halbleiter untersuht den，die MIT einer Bandlücke Kleiner ALS 1.4 EV gitterangepa？t zu GaAsgewachsen Well den Knnnen.在III-V Solarzellen，Halbleiter MIT DIeser Eigenschaft sind sowohl für die Anwendung in III-V Solarzellen，ALS Auch für激光-und and ere Photoelektronische Bauelemente von groüem Interesse。Mögliche Kandidaten sind quaternäre Mischkristalle Aus GaInAsN，GaInAsB，GaAsBSb，Sowie TL and Bihaltige Verbindungen，die Bisher Weltweit Nur von wenigen Gruppen erforscht Wurden.它的热力学是亚稳的，它是一种新的蕨类。他说：“我不知道你的名字是什么，我也不知道。”Während meiner论文Wurden bereits Erste Untersuhugen zu gitterfehlangepaüten Schichten Aus Ga1-xInxas auf Solf MIT guten SolarzellEnergy bnissen duchgeführt.在犹他州索伦泽根大学的一所大学里，我们找到了自己喜欢的材料。

Während des 6-monatigen Forschungsaufenthalts an der University of Utah sollen neuartige III-V Halbleiter untersucht werden, die mit einer Bandlücke kleiner als 1.4 eV gitterangepaßt zu GaAs gewachsen werden können. Halbleiter mit dieser Eigenschaft sind sowohl für die Anwendung in III-V Solarzellen, als auch für Laser- und andere optoelektronische Bauelemente von großem Interesse. Mögliche Kandidaten sind quaternäre Mischkristalle aus GaInAsN, GaInAsB, GaAsBSb, sowie Tl und Bi-haltige Verbindungen, die bisher weltweit nur von wenigen Gruppen erforscht wurden. Da die Kristalle thermodynamisch metastabil sind, müssen sie fern vom Gleichgewicht abgeschieden werden. Die Entwicklung neuer Wachstumsbedingungen und Ausgangsstoffe ist notwendig, um Schichten mit einer hohen Perfektion herzustellen. Während meiner Dissertation wurden bereits erste Untersuchungen zu gitterfehlangepaßten Schichten aus Ga1-xInxAs auf GaAs mit guten Solarzellenergebnissen durchgeführt. Die Arbeiten an der University of Utah sollen zeigen, ob sich auch zu GaAs gitterangepaßte Materialien mit ähnlichen Eigenschaften herstellen lassen.