Kristallwachstum und Charakterisierung von neuen, metastabilen III-V Verbindungshalbleitern mit einer Bandlücke kleiner als 1.4 eV auf GaAs

Während des 6-monatigen Forschungsaufenthalts和der University of Utah sollen neuartige III-V Halbleiter untersucht werden， die mit einer bandlcke kleiner als 1.4 eV gitterangepaßt zu GaAs gewachsen werden können。Halbleiter mit dieser Eigenschaft sind and sowohl fbr die Anwendung in III-V Solarzellen, als auch fbr Laser- und andere optoelektronische Bauelemente von grose ßem Interesse。Mögliche候选人签名quaternäre Mischkristalle aus GaInAsN， GaInAsB, GaAsBSb, sowie Tl und Bi-haltige verindungen, die bisher weltweit nur von wenigen Gruppen erforscht wurden。晶体热力学亚稳态分析，[j] . [j]。Die Entwicklung neuer Wachstumsbedingungen and Ausgangsstoffe ist not enddig, um Schichten mit einer hohen perfect herzustellen。Während meiner Dissertation wurden bereits erste Untersuchungen zu gitterfehlangepaßten Schichten aus Ga1-xInxAs auf GaAs mit guten Solarzellenergebnissen durchgef<s:1> hrt。德国柏林大学和美国犹他大学的研究人员索伦·齐格说：“我们的研究结果表明，我们的材料学研究已经取得了进展。”

Während des 6-monatigen Forschungsaufenthalts an der University of Utah sollen neuartige III-V Halbleiter untersucht werden, die mit einer Bandlücke kleiner als 1.4 eV gitterangepaßt zu GaAs gewachsen werden können. Halbleiter mit dieser Eigenschaft sind sowohl für die Anwendung in III-V Solarzellen, als auch für Laser- und andere optoelektronische Bauelemente von großem Interesse. Mögliche Kandidaten sind quaternäre Mischkristalle aus GaInAsN, GaInAsB, GaAsBSb, sowie Tl und Bi-haltige Verbindungen, die bisher weltweit nur von wenigen Gruppen erforscht wurden. Da die Kristalle thermodynamisch metastabil sind, müssen sie fern vom Gleichgewicht abgeschieden werden. Die Entwicklung neuer Wachstumsbedingungen und Ausgangsstoffe ist notwendig, um Schichten mit einer hohen Perfektion herzustellen. Während meiner Dissertation wurden bereits erste Untersuchungen zu gitterfehlangepaßten Schichten aus Ga1-xInxAs auf GaAs mit guten Solarzellenergebnissen durchgeführt. Die Arbeiten an der University of Utah sollen zeigen, ob sich auch zu GaAs gitterangepaßte Materialien mit ähnlichen Eigenschaften herstellen lassen.