Untersuchungen zur Defektbildung bei Ionenimplantation in GaAs/AlGaAs-Grenzflächen

点击翻译按钮获取中文摘要

Ziel des beantragten Projektes ist die Untersuchung des Einflusses der Grenzfläche bei Ionenimplantation in das System GaAs/AlGaAs. Das genannte Materialsystem ist für die Herstellung von mikro- und optoelektronischen Bauelementen von technologischer Relevanz, wobei für eine Planartechnologie die Ionenimplantation das wichtige Verfahren zur lateralen Strukturierung darstellt. Um die an den Grenzflächen ablaufenden physikalischen Prozesse zu verstehen, sind Untersuchungen bei niedrigen Temperaturen notwendig, um den Einfluß thermisch aktivierter Defekte auf die Schädenbildung auszuschließen.Voraussetzung für die Durchführung der geplanten Experimente ist der Einsatz des 3MV-TANDETRONS (DFG-Projekte Wi 419/7-1073/95) in Kombination mit einer vom Land Thüringen finanzierten Implantationsanlage sowie eine spezielle Bestrahlungskammer mit Goniometer und kühl- und heizbarer Targethalterung (DFG-Projekt We 1648/3-1,2). Damit ist es möglich, die bei Temperaturen bis 20K erzeugten Defektverteilungen mittels Rutherford-Weitwinkelstreuung leichter Ionen (RBS) zu messen, ohne daß die Probe zwischenzeitlich erwärmt werden muß. Außerdem können Ausheiluntersuchungen im Temperaturbereich bis Raumtemperatur in der Targetkammer durchgeführt werden. Im Rahmen des vorliegenden Projektes ist eine Erweiterung des experimentellen Aufbaus vorgesehen, um eine wesentliche Erhöhrung des Tiefenauflösungsvermögens der RBS-Messungen zu erreichen.