Untersuchungen zur Defektbildung bei Ionenimplantation in GaAs/AlGaAs-Grenzflächen

GaAs/AlGaAs 界面离子注入过程中缺陷形成的研究

• 批准号: 5280626
• 负责人: Professorin Dr. Elke Wendler
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe Ionenstrahlphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1995-12-31 至 2000-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5280626?language=en
• 关键词: Untersuchungen; zur; Defektbildung; bei; Ionenimplantation

Ziel des beantragten Projektes ist die Untersuchung des Einflusses der Grenzfläche bei Ionenimplantation in das System GaAs/AlGaAs. Das genannte Materialsystem ist für die Herstellung von mikro- und optoelektronischen Bauelementen von technologischer Relevanz, wobei für eine Planartechnologie die Ionenimplantation das wichtige Verfahren zur lateralen Strukturierung darstellt. Um die an den Grenzflächen ablaufenden physikalischen Prozesse zu verstehen, sind Untersuchungen bei niedrigen Temperaturen notwendig, um den Einfluß thermisch aktivierter Defekte auf die Schädenbildung auszuschließen.Voraussetzung für die Durchführung der geplanten Experimente ist der Einsatz des 3MV-TANDETRONS (DFG-Projekte Wi 419/7-1073/95) in Kombination mit einer vom Land Thüringen finanzierten Implantationsanlage sowie eine spezielle Bestrahlungskammer mit Goniometer und kühl- und heizbarer Targethalterung (DFG-Projekt We 1648/3-1,2). Damit ist es möglich, die bei Temperaturen bis 20K erzeugten Defektverteilungen mittels Rutherford-Weitwinkelstreuung leichter Ionen (RBS) zu messen, ohne daß die Probe zwischenzeitlich erwärmt werden muß. Außerdem können Ausheiluntersuchungen im Temperaturbereich bis Raumtemperatur in der Targetkammer durchgeführt werden. Im Rahmen des vorliegenden Projektes ist eine Erweiterung des experimentellen Aufbaus vorgesehen, um eine wesentliche Erhöhrung des Tiefenauflösungsvermögens der RBS-Messungen zu erreichen.

本文研究了GaAs/AlGaAs系统中离子注入对晶体生长的影响。该材料系统是用于相关技术的微电子和光电元件的集成，也是用于离子注入的平面技术，该技术具有横向结构的特点。在没有温度的情况下，我们可以通过物理学方法来研究冰川运动，在3 MV TANDETRONS的实验装置上进行的试验研究（DFG-Projekte Wi 419/7-1073/95）在组合与一个从土地图林根finanzierten植入sowie一个特殊的Bestrahlungskammer与测角仪和kühl-和heizbarer目标（DFG-Projekt We 1648/3- 1，2）。Damit is möglich，die bei Temperaturen bis 20 K erzeugten Defektverteilungen mittels Rutherford-Weitwinkelstreuung leichter Ionen（RBS）zu messen，ohne dafter die Probe zwischenzeitlich erwärmt韦尔登much. Außerdem können Ausheiluntersuchungen im Temperaturbereich bis Raumtemperatur in der Targetkammer durchgeführt韦尔登. In Rahmen des vorliegenden Projektes is eine Erweiterung des experimentellen Aufbaus vorgesehen，um eine weesentliche Erhöhrung des Tiefenauflösungsvermögens der RBS-Messungen zu erreichen.