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Vertical, strained 1 D silicon Nanostructures and Devices

Vertical, strained 1 D silicon Nanostructures and Devices
垂直应变一维硅纳米结构和器件
批准号:
5439634
负责人:
Professorin Dr. Elke Wendler
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2005
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2004-12-31 至 2007-12-31

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Untersuchungen zur Defektbildung bei Ionenimplantation in GaAs/AlGaAs-Grenzflächen
  • 批准号:
    5280626
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    1996
  • 负责人:
    Professorin Dr. Elke Wendler
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
基于多孔硅键合氧化技术直接在绝缘体上制备无位错应变硅材料的研究
  • 批准号:
    60776018
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    34.0万元
  • 批准年份:
    2007
  • 负责人:
    张轩雄
  • 依托单位: