Vertical, strained 1 D silicon Nanostructures and Devices

垂直应变一维硅纳米结构和器件

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Untersuchungen zur Defektbildung bei Ionenimplantation in GaAs/AlGaAs-Grenzflächen
GaAs/AlGaAs 界面离子注入过程中缺陷形成的研究
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    5280626
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
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基于多孔硅键合氧化技术直接在绝缘体上制备无位错应变硅材料的研究
  • 批准号:
    60776018
  • 批准年份:
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  • 资助金额:
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  • 项目类别:
    面上项目

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Strained germanium photonic crystal membranes for scalable and efficient silicon-based photonic devices
用于可扩展且高效的硅基光子器件的应变锗光子晶体膜
  • 批准号:
    EP/V048732/1
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  • 资助金额:
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  • 项目类别:
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应变硅周期性纳米结构热电转换材料的研究
  • 批准号:
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  • 财政年份:
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  • 资助金额:
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    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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通过离子注入缺陷控制实现压应变硅及其在高空穴迁移率器件中的应用
  • 批准号:
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  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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硅碳应变异质结构缺陷形成过程及电性能研究
  • 批准号:
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  • 批准号:
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  • 财政年份:
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  • 项目类别:
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Monolithic Integration of Ring-Resonator Optical Switches using Electro-Optic Material, on Si LSI
使用电光材料在 Si LSI 上单片集成环形谐振器光开关
  • 批准号:
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  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
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  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Vertical, strained 1 D silicon Nanostructures and Devices
垂直应变一维硅纳米结构和器件
  • 批准号:
    5439632
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
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  • 项目类别:
    Research Grants
SBIR Phase II: Ge-Free Strained Silicon Via dTCE Bonding (Differential Thermal Coefficient of Expansion Bonding)
SBIR 第二阶段:通过 dTCE 键合(膨胀键合的差热系数)获得无 Ge 应变硅
  • 批准号:
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  • 资助金额:
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  • 项目类别:
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  • 财政年份:
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  • 资助金额:
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  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: Ge-Free Strained Silicon Via dTCE Bonding (Differential Thermal Coefficient of Expansion Bonding)
SBIR 第一阶段:通过 dTCE 键合(膨胀键合的差热系数)形成无 Ge 应变硅
  • 批准号:
    0314300
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Standard Grant
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