Vertical, strained 1 D silicon Nanostructures and Devices
垂直应变一维硅纳米结构和器件
基本信息
- 批准号:5439634
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:2005
- 资助国家:德国
- 起止时间:2004-12-31 至 2007-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
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项目成果
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Professorin Dr. Elke Wendler其他文献
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Untersuchungen zur Defektbildung bei Ionenimplantation in GaAs/AlGaAs-Grenzflächen
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- 项目类别:面上项目
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17360166 - 财政年份:2005
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Vertical, strained 1 D silicon Nanostructures and Devices
垂直应变一维硅纳米结构和器件
- 批准号:
5439632 - 财政年份:2005
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Standard Grant
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采用先进栅极堆叠材料的可扩展应变硅 MOSFET 技术
- 批准号:
0301238 - 财政年份:2003
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Standard Grant
SBIR Phase I: Ge-Free Strained Silicon Via dTCE Bonding (Differential Thermal Coefficient of Expansion Bonding)
SBIR 第一阶段:通过 dTCE 键合(膨胀键合的差热系数)形成无 Ge 应变硅
- 批准号:
0314300 - 财政年份:2003
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Standard Grant














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