プロセス用大口径均一プラズマ発生技術
工艺用大直径均匀等离子体发生技术
基本信息
- 批准号:08650038
- 负责人:
- 金额:$ 1.22万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:1996
- 资助国家:日本
- 起止时间:1996 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
工業用に使われるプラズマは電子のエネルギー分布がマクスウェル分布からずれていることが多い。このため、このようなプラズマを二電子温度プラズマとして扱い、その特性を測定する方法を確立した。そして実際にマイクロ波プラズマを用いて、ラングミュアプローブによる測定結果から各電子温度および電子密度を求めることができることを確認した。このようなプラズマから取り出されるイオンのエネルギーとしては、特に低エネルギーの場合にはプラズマ電位によって加速される分を無視できないことが分かった。またこのプラズマ電位は、二つの電子温度のうち高いほうの電子温度に大きく左右されることを理論的に導いた。そしてマイクロ波イオン源から引き出したイオンのエネルギーを、質量分析計の磁界の自乗とイオンエネルギーが直線関係にあることを利用して測定し、このことを実験的に確かめた。一方、短波帯の高周波(13.56MHz)を誘導結合させることによるプラズマ(ICPプラズマ)発生技術により、大口径で均一なプラズマを発生させる実験をおこない、30cmの口径で、標準偏差±3%以下の不均一性で且つ10^<11>ions/cm^2以上の密度のプラズマを発生することができた。高周波アンテナとして数種類の構造のものを実験的に比較検討した結果、単純な一ターンのループアンテナを誘電体の中に埋めこんだ構造のもので上記結果を得ることができた。また、短波帯の高周波とマイクロ波を組み合わせ、同じプラズマに結合させるための構造について検討をした。その結果、短波帯の高周波アンテナに同軸ケーブルを結合させることでマイクロ波を重畳させることができることが分かった。
Industrial use: electronic distribution The method of measuring the temperature of two electrons is established. The temperature and density of each electron are determined by the measurement results. This is the first time I've ever seen a woman who's been in a relationship with a woman who's been in a relationship with a woman. The electron temperature is high, the electron temperature is high, and the electron temperature is high. The relationship between the magnetic field and the linear relationship between the magnetic field and the mass analyzer can be determined by the method of mass analysis. High frequency (13.56MHz) induced combination of square and short wave bands (ICP) generation technology, large aperture uniformity, 30cm aperture, standard deviation ±3% or less, and density above 10 <11>ions/cm^2. The results of the comparative study of the structure of the high-frequency wave and the structure of the high-frequency wave are as follows: High frequency band, high frequency band, high frequency As a result, the short wave band and the high frequency band are coaxial.
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
川崎彰: "負イオンを含んだプラズマのプラズマポテンシャル" 第12回イオン注入表層処理シンポジュウム予稿集. 25-28 (1996)
Akira Kawasaki:“含有负离子的等离子体电势”第 12 届离子注入表面处理研讨会论文集 25-28 (1996)。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
N.Sakudo: "Energy values of low-energy ion beams." proc. of 11th Int. Conf. on Ion Implantation Technology. (予定). (1997)
N.Sakudo:“低能离子束的能量值。”第 11 届国际离子注入技术会议(计划)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
H.Ito: "High frequency ion sources for ion implantation." Proc. of 11th Int. Conf. on Ion Implantation Technology. (予定). (1997)
H.Ito:“第 11 届离子注入技术会议的高频离子源”(计划)。
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- 发表时间:
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- 作者:
- 通讯作者:
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