Plasma potential control by dual target HPPMS for film structure modification
Plasma potential control by dual target HPPMS for film structure modification
通过双靶 HPPMS 控制等离子体电势以进行薄膜结构改性
批准号：
17K05106
负责人：
Nakano Takeo
金额：
$3.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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Optimization of Spindt-type emitter cathode shape prepared by high power pulsed magnetron sputtering: The effect of template cavity dimensions
高功率脉冲磁控溅射制备 Spindt 型发射极阴极形状的优化：模板腔尺寸的影响
高功率脉冲磁控溅射制备 Spindt 型发射极阴极形状的优化：模板腔尺寸的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Nakano, H. Taniguchi, K. Oya, M. Nagao, H. Ohsaki, K. Murakami]
通讯作者：
K. Murakami
反応性スパッタで製膜したチタン酸化物薄膜の組成比が生体適合性に及ぼす影響
反应溅射氧化钛薄膜成分比例对生物相容性的影响
反应溅射氧化钛薄膜成分比例对生物相容性的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山脇正人, 上杉直也, Kenji OHOYAMA, 天野壮, 吉澤慶祐，竹内将人，北条健太，細谷和輝，岩森 暁，大家 渓，中野武雄]
通讯作者：
吉澤慶祐，竹内将人，北条健太，細谷和輝，岩森 暁，大家 渓，中野武雄
スパッタ製膜したチタン酸化物薄の結晶構造制御
溅射沉积氧化钛薄膜的晶体结构控制
溅射沉积氧化钛薄膜的晶体结构控制
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Kanazawa, Y. Fukumoto, S. Uechi, K. Ohoyama, M. Lederer2, N. Happo3, K. Hayashi4, K. Kimura4, S. Hosokawa5, T. Hada3, M. Harada6, K. Oikawa6, Y. Inamura6, K. Tsutsui7, 竹内将人，吉澤慶祐，細谷和輝，大家 渓，岩森 暁，中野武雄]
通讯作者：
竹内将人，吉澤慶祐，細谷和輝，大家 渓，岩森 暁，中野武雄
大電力パルススパッタによる薄膜構造制御と微小錐構造形成
高功率脉冲溅射薄膜结构控制和微锥体结构形成
高功率脉冲溅射薄膜结构控制和微锥体结构形成
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[二宮啓, Dilshadbek T. Usmanov, 平岡賢三, 和田博史, 中野洋, 松村正哉, 眞田幸代, 野並浩, 大山研司, 中野武雄]
通讯作者：
中野武雄
反応性スパッタで作製した酸化タングステン薄膜のエレクトロクロミズム特性における製膜時圧力依存性
反应溅射制备的氧化钨薄膜的电致变色性能对成膜过程中压力的依赖性
反应溅射制备的氧化钨薄膜的电致变色性能对成膜过程中压力的依赖性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Ohoyama, Y. Fukumoto, S. Uechi, Y. Kanazawa, K. Hayashia, N. Happob, K. Kimuraa, S. Hosokawac, T. Hadab, B. Paulusc, J. Stellhornc, M. Lederera, M. Haradad, Y. Inamurad, K. Oikawad, W. Matsuurae, F. Igae, K. Tsutsuif, P. Wellmanng, 飯嶋佑斗，坪田祐貴，中野武雄，大家 渓]
通讯作者：
飯嶋佑斗，坪田祐貴，中野武雄，大家 渓
共 33 条