Unkonventionelle Lithographie (G 02)

非常规光刻 (G 02)

• 批准号: 5282204
• 金额: --
• 依托单位: Max-Planck-Institut für Polymerforschung
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Collaborative Research Centres
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2010-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5282204?language=en
• 关键词: Unkonventionelle; Lithographie; 02

Inhalt des TP G2 ist es, die Selbstorganisation beladener Kolloide und Mizellen zu nutzen, um zunächst geordnete Muster der kolloidalen oder mizellaren Träger zu erhalten, die sich dann durch Plasmaprozesse in entsprechend geordneten Nanoteilchen (NT) umwandeln lassen. Dabei können Größe und Abstand der resultierenden NT über einen weiten Bereich der Nanoskala kontrolliert variiert werden. Nutzt man die NT als Maske bei nachfolgenden Ätzprozessen, so lassen sich die ursprünglichen Muster in das jeweilige Substrat übertragen und man erhält z.B. Anordnungen von Nano-Säulen oder -Poren, die zu neuen Funktionen führen können.

在TP G2的内部，自组织的Kolloide和Mizellen形成了一个整体，它是通过等离子体在纳米技术（NT）中的应用而形成的。Dabei können Größe und Abstand der resultierenden NT über einen Bereich der Nanoskala kontrolliert variiert韦尔登. Nutzt man die NT als Maske bei nachfolgenden Ätzprozessen，so lassen sich die ursprünglichen Muster in das jeweilige Substrat übertragen und man erhält z.B. Anordnungen von Nano-Säulen oder -Poren，die zu neuen Funktionen führen können.