Unkonventionelle Lithographie (G 02)
Unkonventionelle Lithographie (G 02)
非常规光刻 (G 02)
批准号：
5282204
负责人：
金额：
$0.0万
依托单位国家：
德国
项目类别：
Collaborative Research Centres
财政年份：
2001
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
2000-12-31 至 2010-12-31
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英文摘要
Inhalt des TP G2 ist es, die Selbstorganisation beladener Kolloide und Mizellen zu nutzen, um zunächst geordnete Muster der kolloidalen oder mizellaren Träger zu erhalten, die sich dann durch Plasmaprozesse in entsprechend geordneten Nanoteilchen (NT) umwandeln lassen. Dabei können Größe und Abstand der resultierenden NT über einen weiten Bereich der Nanoskala kontrolliert variiert werden. Nutzt man die NT als Maske bei nachfolgenden Ätzprozessen, so lassen sich die ursprünglichen Muster in das jeweilige Substrat übertragen und man erhält z.B. Anordnungen von Nano-Säulen oder -Poren, die zu neuen Funktionen führen können.
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