Unkonventionelle Lithographie (G 02)
Unkonventionelle Lithographie (G 02)
批准号:
5282204
负责人:
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Collaborative Research Centres
财政年份:
2001
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2000-12-31 至 2010-12-31
中文摘要
in halt des TP G2 ist, die Selbstorganisation beldener Kolloide and Mizellen zu nutzen, um zunächst geordnete nazder kolloidalen oder mizellaren Träger zu erhalten, die sich durch Plasmaprozesse in entsprechendgeordneten Nanoteilchen (NT) umwandeln lassen。Dabei können Größe and ababder resultierenden NT <e:1>, bereinen weitich der Nanoskala controlliert variiert werden。Nutzt man die NT als Maske bei nachfolgenden Ätzprozessen, so lassen sich die urspr<e:1> nglichen在das jeweilige substrate <e:1> bertragen und man erhält z.B. Anordnungen von Nano-Säulen oder -Poren, die zu neuen Funktionen f<s:1> hren können。
英文摘要
Inhalt des TP G2 ist es, die Selbstorganisation beladener Kolloide und Mizellen zu nutzen, um zunächst geordnete Muster der kolloidalen oder mizellaren Träger zu erhalten, die sich dann durch Plasmaprozesse in entsprechend geordneten Nanoteilchen (NT) umwandeln lassen. Dabei können Größe und Abstand der resultierenden NT über einen weiten Bereich der Nanoskala kontrolliert variiert werden. Nutzt man die NT als Maske bei nachfolgenden Ätzprozessen, so lassen sich die ursprünglichen Muster in das jeweilige Substrat übertragen und man erhält z.B. Anordnungen von Nano-Säulen oder -Poren, die zu neuen Funktionen führen können.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
海外基金