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Rasterelektronenmikroskop mit Lithographie

Rasterelektronenmikroskop mit Lithographie
带光刻技术的扫描电子显微镜
批准号:
56215304
负责人:
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Major Research Instrumentation
财政年份:
2007
资助国家:
德国
项目状态:
未结题
起止时间:
2006-12-31 至 --

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项目成果

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„Die am Lehrstuhl vorhandenen Geräte waren für elektrische und optische Untersuchungen von Halbleitermaterialien (Si, SiC, ZnO etc.) bestimmt. Die Forschung an bulk-Halbleitermaterialien, die wesentlich vom Akademischen Direktor Dr. Pensl getragen wird, wird in ca. zwei Jahren mit dem altersbedingten Ausscheiden Dr. Pensls auslaufen. Es existieren eine Reihe von kleineren elektronischen Geräten (wie z.B. Lock-in-Amplifier, Stromgeber, Spektrometer, Source-Meter), die für die zukünftigen Experimente eingesetzt werden können. Es existiert weiterhin ein lonenimplanter, an den wir einen 4He-Kryostaten anbauen, so dass wir während der Messung an Halbleiter-Nanostäbchen in situ implantieren können. Für unsere Pläne der Nanolithographie sind bereits ein einfacher, kleiner Reinraum mit Temperaturregelung (ca. 10 qm, Reinraumstandard HR14 in zwei Reinluftwerkbänken), eine Lackschleuder, ein Alphastep-Profilometer, ein Plasma- Verascher älterer Bauart, ein Bondgerät, optische Mikroskope etc. vorhanden, die einen geeigneten Grundstock für das geplante Nanofabrikationslabor bilden. Übergangsweise wurde ein Rasterelektronenmikroskop LEO 1530 in der Arbeitsgruppe von Prof. Dr. P. Müller mitbenutzt, das mit einem Lithographieaufsatz versehen ist und sich in einem anderen Gebäude befindet. Dieses Gerät, das bereits sieben Jahre alt ist, ist aber erstens sehr stark ausgelastet, zweitens erfüllt es unsere Auflösungsanforderungen nicht. Wir sind nach eingehender, mehrmonatiger Prüfung zu dem Schluss gekommen, dass eine Neuinvestition nicht nur die Kapazitätsgrenzen beseitigt, sondern für unsere Forschungsvorhaben unbedingt erforderlich ist. Zum Aufdampfen von Goldschichten wurde vorübergehend eine einfache Verdampfungsapparatur benutzt, die allerdings nicht den Erfordernissen für die neuen Forschungsvorhaben entspricht.“
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TFE3/TFEB基因融合衍生特异性新生抗原引起CD8+T细胞高效应答并促进MIT基因家族易位性肿瘤免疫治疗获益的机制研究
  • 批准号:
    --
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    52万元
  • 批准年份:
    2022
  • 负责人:
    饶秋
  • 依托单位:
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  • 批准号:
    32071234
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    57.0万元
  • 批准年份:
    2020
  • 负责人:
    服部素之
  • 依托单位: