光照射による高スピンネットワークの構築

分子強磁性体構築のためには、二次元、三次元に規則正しくスピンを集積することが必須である。これまで行ってきた基本戦略は、金属イオンを用いて規則的に分子を集積化し、更に光応答型磁気カップラーを用いて、多次元スピンネットワークを構築するというものである。実際に、ジ(4-ピリジル)ジアゾメタン1の金属錯体を用い光照射によるフェロ・フェリ磁性一次元鎖構築に成功し、基本戦略の正当性を確認した。これらの研究結果を踏まえて、強磁性体発現のための必須要素である二次元、三次元スピンネットワークの構築をめざす。ヘテロスピン系における二次元、三次元構造構築に際して、その分岐点に金属イオンを用いる方法により二次元スピンネットワークの構築を行う。具体的には、より強い配位能を持ち、複数個配位可能な二座配位子の2,2'-ビピリジル基を金属イオンへの配位子として用いることを考えた。まず手始めに、フェニルジアゾメチル基を持つ2,2'-ビピリジンと金属イオンの錯体合成を行い、光照射後のカルベンの発生過程の吸収スペクトルによる追跡及び光照射後の各種磁気測定を行った。その結果、カルベンと金属イオンの間の磁気的相互作用の規則性は、ピリジン1の場合と同一であり、2,2'-ビピリジル基の金属イオンへの強固な配位能によって両スピンは強く相互作用することが明らかとなった。このモデル化合物を用いた研究を基に、新規光応答型磁気カップラーであるジアゾ基を持つ2,2'-ビピリジン化合物と各種金属イオンを用いて二次元構造構築を目指す。

分子強磁性体構築のためには、二次元、三次元に規則正しくスピンを集積することが必須である。これまで行ってきた基本戦略は、金属イオンを用いて規則的に分子を集積化し、更に光応答型磁気カップラーを用いて、多次元スピンネットワークを構築するというものである。実際に、ジ(4-ピリジル)ジアゾメタン1の金属錯体を用い光照射によるフェロ・フェリ磁性一次元鎖構築に成功し、基本戦略の正当性を確認した。これらの研究結果を踏まえて、強磁性体発現のための必須要素である二次元、三次元スピンネットワークの構築をめざす。ヘテロスピン系における二次元、三次元構造構築に際して、その分岐点に金属イオンを用いる方法により二次元スピンネットワークの構築を行う。具体的には、より強い配位能を持ち、複数個配位可能な二座配位子の2,2'-ビピリジル基を金属イオンへの配位子として用いることを考えた。まず手始めに、フェニルジアゾメチル基を持つ2,2'-ビピリジンと金属イオンの錯体合成を行い、光照射後のカルベンの発生過程の吸収スペクトルによる追跡及び光照射後の各種磁気測定を行った。その結果、カルベンと金属イオンの間の磁気的相互作用の規則性は、ピリジン1の場合と同一であり、2,2'-ビピリジル基の金属イオンへの強固な配位能によって両スピンは強く相互作用することが明らかとなった。このモデル化合物を用いた研究を基に、新規光応答型磁気カップラーであるジアゾ基を持つ2,2'-ビピリジン化合物と各種金属イオンを用いて二次元構造構築を目指す。