走査型水素検出顕微鏡による水素の吸脱着機構の解明
走査型水素検出顕微鏡による水素の吸脱着機構の解明
批准号:
10148227
负责人:
吉村 雅満
金额:
$1.28万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份:
1998
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1998 至 --
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最近、金属や半導体の表面に存在するプロチウムの挙動を知るためにプロチウムの可視化が要求されている。われわれは、電子励起イオン脱離法を応用して水素やプロチウムを高感度に検出できる装置を開発し、これを高分解能にすることで走査型水素検出顕微鏡として機能するようにして、固体表面上のプロチウムの存在を2次元分布として描き出すことに成功した。現在の面分解能は1ミクロンであるが、水素吸蔵合金などのグレインサイズでのプロチウムの挙動を観察するにはもう1桁の分解能向上が望まれる。本年度は本装置の性能向上に傾注して高分解能化、高感度化を目指し以下に示す二、三の応用を試みた。1) ビーム径0.3ミクロンで固体表面上のプロチウムを連続ビームで脱離させ、その部分が正確に面分析されるかどうかで、分解能チェックができることを利用してシリコン表面に2原子層のプロチウムを吸着させ上記の実験を行い性能を立証した。シリコン酸化膜で成形されたline and spaceを用いて分解能チェックと試料面の凹凸の影響を検討し、凹凸の激しい試料では試料バイアスを低くして影響を小さくできることを見いだした。2) 電子銃の性能向上のために電界放出型の電子銃のみでなくビーム電流を確保できるようにLaB6フィラメントを用いた電子銃の開発に取り組んだ。3) 水素化物を含む鋼の表面のプロチウム濃度分布分析で、局在するプロチウムの検出に成功した。このことは材料学的に大きな意味を持つので系統的な研究が必要である。4) 走査トンネル顕微鏡によるシリコン上に成長するニッケル薄膜結晶のナノ構造の観察。2nmのNi原子蒸着後アニーリング温度を徐々に高くしてシリサイド形成過程を原子レベルの分解能で観察し、シリコン表面の未結合手を予めプロチウムで終端化したものとしていないものとの違いを観察した。プロチウム終端化面には平坦で一様なシリサイド結晶が成長した。
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K.Ueda: "Surfactant effect of atomic hydrogen on silicide-formation on nickel on Si(110)" Thin Solid Films. in press
K.Ueda:“原子氢对 Si(110) 上镍上硅化物形成的表面活性剂效应”固体薄膜。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Ueda: "A new development of scanning hydrogen imaging system and its application" MRS Symp.Proc.513. 17-23 (1998)
K.Ueda:“扫描氢成像系统的新发展及其应用”MRS Symp.Proc.513。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Yoshimura: "Initial stage of Ni reaction on Si(100) and H-terminated Si(100) surfaces" Appl.Surf.Sci.130-132. 276-281 (1998)
M.Yoshimura:“Si(100) 和 H-封端 Si(100) 表面上 Ni 反应的初始阶段”Appl.Surf.Sci.130-132。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Ueda: "Two-dimensional hydrogen analysis system and application" 4th Special Symp.on Advanced Mat.(ed.by T.Imura). 191-194 (1998)
K.Ueda:“二维氢分析系统及其应用”第4届Special Symp.on Advanced Mat.(T.Imura编辑)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Ueda: "A new system of two-dimensional hydrogen analysis and application to metal surfaces" J.Alloys and Comp.in press
K.Ueda:“二维氢分析的新系统及其在金属表面的应用”J.Alloys 和 Comp.in 出版社
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
水素検出顕微鏡によるプロチウムの吸脱着機構の解明
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批准号:11135226
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1999
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负责人:吉村 雅満
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依托单位:
電子線による原子操作
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批准号:11222205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (B)
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资助金额:$37.25万
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财政年份:1999
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负责人:吉村 雅満
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依托单位:
半導体凹凸基板を用いたフラーレン分子鎖の構築
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批准号:11165241
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$2.82万
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财政年份:1999
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负责人:吉村 雅満
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依托单位:
欠陥の規則的配列面を利用した結晶成長
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批准号:10875010
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1998
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负责人:吉村 雅満
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依托单位:
トンネル分光法による金属/半導体表面の局所電子構造の解明
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批准号:07225214
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1995
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负责人:吉村 雅満
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依托单位:
低温トンネル分光法を用いた導電性有機錯体表面の電子構造の解明
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批准号:06243222
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1994
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负责人:吉村 雅満
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依托单位:
STM/STSによるシリコン表面吸着金属原子の局所電子状態の研究
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批准号:05245212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1993
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负责人:吉村 雅満
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依托单位:
高温有機超伝導体の表面電子構造の研究
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批准号:02750007
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1990
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负责人:吉村 雅満
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依托单位:
海外基金