半導体凹凸基板を用いたフラーレン分子鎖の構築
半導体凹凸基板を用いたフラーレン分子鎖の構築
批准号:
11165241
负责人:
吉村 雅満
金额:
$2.82万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份:
1999
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1999 至 2000
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英文摘要
Si(110)清浄表面は凹凸が一次元に配列した構造をもち、その周期は約5nmである。表面の原子構造は最近我々のグループで明らかにし、シリコン5員環がペアとなり表面に配列している。本研究の特徴はこの独特な構造をナノサイズ新物質創製のためのテンプレートとして用いることである。具体的にはフラーレンをこの凹凸に沿って配列させることを目的とする。(1)フラーレンを室温にて蒸着すると凹凸両者に吸着した。吸着位置はテラスを構成するシリコンペンタゴンユニットの中央部に位置し、テラスの中央からは多少ずれていた。この結果はペンタゴンユニットが大変反応性が高いことを示すものである。さらにこの表面をアニールすることにより分子が拡散しクラスターをつくると同時に表面のファセット化を引き起こし、ナノサイズの剣山が表面に形成された。最終段階のピン止めはSiCによるものと考えられる。(2)今回の1次元構造はマクロスケールでは等価な異なる2つの方位が混在しており、このことは電気的測定をする上でネックとなる。そこで我々はこの方向に垂直な方向にオフセット角を有する特殊なウェハーを製作し、一方の方位が支配的になるような基盤の作成を試みた。トンネル顕微鏡で表面を観察した結果設計通りマクロスケールでも完全に一次元の基板が形成されていることを確かめた。現在この表面にフラーレンを吸着させ、電気的な特性を測定している。(3)凹凸の周期を任意に変更することを目的として同属原子のドーピングを試みた結果、5nmの周期が8nmに増加することを見出した。この表面にもフラーレン吸着を試みる予定である。
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M. Yoshimura: "Observation of Si(110) surfaces by high-temperature scanning tunneling microscopy"Jpn. J. Appl. Phys.. (in press).
M. Yoshimura:“通过高温扫描隧道显微镜观察 Si(110) 表面”Jpn。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M. Yoshimura: "Ni-induced surface reconstructions on Si(110) studied by scanning tunneling microscopy"Surf. Sci.. 433-435. 470-474 (1999)
M. Yoshimura:“通过扫描隧道显微镜研究 Ni 诱导的 Si(110) 表面重建”Surf。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
B.An: "Surface superstructure of carbon clusters deposited on graphite during recrystallization"J.Vac.Sci.Technol.. B19(1). 98-102 (2001)
B.An:“再结晶过程中沉积在石墨上的碳簇的表面超结构”J.Vac.Sci.Technol.. B19(1)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
B.An: "Surface superstructure on fullerenes annealed at elevated temperature"J.Applied Physics. 87(8). 3763-3767 (2000)
B.An:“高温退火富勒烯的表面超结构”J.应用物理学。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
B.An: "Characteristics of /3x/3-R30 superstructure of graphite by scanning tunneling microscopy"Jpn.J.Appl.Phys.. (in press).
B.An:“通过扫描隧道显微镜观察石墨的 /3x/3-R30 上部结构的特征”Jpn.J.Appl.Phys..(出版中)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 12 条
水素検出顕微鏡によるプロチウムの吸脱着機構の解明
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批准号:11135226
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1999
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负责人:吉村 雅満
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依托单位:
電子線による原子操作
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批准号:11222205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (B)
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资助金额:$37.25万
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财政年份:1999
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负责人:吉村 雅満
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依托单位:
走査型水素検出顕微鏡による水素の吸脱着機構の解明
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批准号:10148227
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1998
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负责人:吉村 雅満
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依托单位:
欠陥の規則的配列面を利用した結晶成長
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批准号:10875010
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1998
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负责人:吉村 雅満
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依托单位:
トンネル分光法による金属/半導体表面の局所電子構造の解明
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批准号:07225214
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1995
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负责人:吉村 雅満
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依托单位:
低温トンネル分光法を用いた導電性有機錯体表面の電子構造の解明
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批准号:06243222
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1994
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负责人:吉村 雅満
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依托单位:
STM/STSによるシリコン表面吸着金属原子の局所電子状態の研究
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批准号:05245212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1993
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负责人:吉村 雅満
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依托单位:
高温有機超伝導体の表面電子構造の研究
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批准号:02750007
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1990
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负责人:吉村 雅満
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依托单位:
海外基金